Тип памяти ddr3


В чем разница в типах оперативной памяти DDR3 и DDR3L

Оперативное запоминающее устройство, или ОЗУ, — это микросхемы для оперативного или временного хранения информации. Информация в ОЗУ сохраняется, пока на микросхему подается питание. При отключении питания информация теряется. Введи здесь текст

В англоязычной технической литературе такие устройства называют RAM — Random Access Memory, или памятью произвольного доступа.

Оглавление:

  • Статические и динамические ОЗУ
  • Типы динамических ОЗУ
  • Обзор оперативной памяти DDR3
  • Характеристики DDR3
  • Снижение напряжения питания микросхем
  • В чем отличие DDR3 и DDR3l

Статические и динамические ОЗУ

Существует два типа ОЗУ: статические и динамические.

Элементарной ячейкой статического ОЗУ является триггер. Триггер состоит из двух транзисторных ключей, включенных навстречу друг другу так, что из состояния взаимно противоположны — когда открыт один ключ, второй закрыт и наоборот. Без внешнего сигнала переключения ключи остаются в неизменном состоянии пока на триггер подается питание. Для реализации триггера необходимо как минимум два транзистора на кристалле.

Элементарной ячейкой динамического ОЗУ является конденсатор. Заряженный конденсатор хранит 1, разряженный — 0. В качестве запоминающего конденсатора можно использовать собственную емкость затвора полевого транзистора, таким образом, появляется возможность реализовать ячейку памяти всего на одном транзисторе. Более высокая плотность размещения ячеек памяти на кристалле и определила использование динамической памяти для построения ОЗУ большого объема.

Конденсатор постепенно теряет свой заряд, поэтому его необходимо поддерживать в заряженном состоянии, или< как говорят — регенерировать. Поэтому в динамической памяти, кроме обычных операций чтения и записи, появляется еще и операция регенерации.

Типы динамических ОЗУ

Первоначально и статические и динамические устройства были асинхронными, то есть не требовали для своей работы тактовой частоты. Быстродействие было примерно одинаковым и единственным существенным различием была необходимость регенерации в динамических ОЗУ. Со временем быстродействие транзисторных ключей росло, а быстродействие динамической памяти ограничивалось тем, что заряд и разряд запоминающего конденсатора требует определенного времени. Динамическая память стала отставать от статической.

Разработчикам динамической памяти пришлось пойти на усложнение своих микросхем. Микросхемы динамической памяти получили на кристалле довольно сложную обвязку и устройство управления, для работы которого необходима подача тактовой частоты. Динамические ОЗУ стали синхронными и получили название SDRAM — Synchronous Dynamic RAM.

За счет различных схемотехнических ухищрений эффективное быстродействие SDRAM стало превышать пропускную способность шины памяти и шина стала узким местом. Обычно в синхронных устройствах передача информации происходит по определенному фронту синхроимпульса — переднему (нарастающему) или заднему (спадающему).Появились микросхемы DDR SDRAM, у которых в отличие от обычных SDRAM передача информации по шине осуществляется как по обоим фронтам синхроимпульса. Это позволило увеличить пропускную способность шины памяти вдвое. DDR и означает Double Data Rate, или удвоенную скорость данных.

Технология DDR развивалась и появились новые поколения этих устройств, сначала DDR2, затем DDR3. Последним поколением на сегодняшний день является DDR4, но оно еще не получило широкого распространения и самым распространенным типом остается DDR3 .

Обзор оперативной памяти DDR3

DDR3 SDRAM означает синхронную динамическую память третьего поколения с удвоенной скоростью передачи по шине данных. Память выпускается в виде модулей — печатных плат прямоугольной формы, на одной из длинных сторон которых располагаются контактные площадки для соединения с разъемами материнской платы.

В зависимости от исполнения контактов модули разделяются на два типа — SIMM и DIMM. SIMM или Single In line Memory Module — означает модуль памяти с одним рядом контактов. DIMM — модуль с двумя рядами контактов. У обоих типов модулей контактные площадки расположены на двух сторонах платы, но в модулях SIMM противоположные контакты соединены.

Модули памяти DDR2 и DDR3 имеют по 240 контактов. На контактной стороне модулей имеется специальный вырез — ключ. На модулях DDR2 и DDR3 ключи располагаются по-разному, что исключает установку одного модуля вместо другого. Выпускаются модули уменьшенного габарита для ноутбуков, которые обозначаются SoDIMM, So в обозначении расшифровывается как Small Outline, то есть малый наоборот.

Характеристики DDR3

Основные характеристики любого типа памяти — объем и быстродействие. Объем выпускаемых в настоящее время модулей составляет от 1 до 16 ГБ для стандартных модулей и до 8 ГБ для SoDIMM.

Быстродействие синхронной памяти определяется тактовой частотой шины и задержками в цикле обращения к памяти, которые характеризуют быстродействие самих микросхем памяти и называются латентностями (от английского Latency — задержка) или таймингами. Разных задержек указывается несколько — иногда до пяти. Для выбора модуля DDR3 можно не обращать особого внимания на задержки.

В системах DDR данные буферизуются, используется конвейерный ввод-вывод, при этом значение задержек собственно микросхем компенсируется. Кроме того, современные процессоры имеют на кристалле такие объемы быстродействующих статических ОЗУ в кеш-памяти второго и даже третьего уровня, что подкачка страниц между внутренним кешем и внешним ОЗУ происходит довольно редко. Поэтому в современных компьютерах быстродействие оперативной памяти престало играть определяющую роль.

Главная характеристика быстродействия памяти DDR3 — частота передачи по шине данных. Для DDR3 она может быть в диапазоне от 800 до 2400 МГц. Частота шины в два раза ниже, поскольку передача данных идет два раза за цикл по обоим фронтам тактового сигнала. За счет буферизации еще делится на 4, то есть сама память работает на частоте в 4 раза ниже частоты шины.

Быстродействие модулей измеряется в мегабайтах за секунду. Поскольку шина имеет ширину в 64 бита или 8 байт в секунду, значение скорости обмена данными для модуля DDR3 будет в 8 раз больше частоты передачи по шине.

Самый медленный модуль с частотой данных на шине 800 МГц будет иметь скорость 2400 МБ в секунду и иметь обозначение PC3−2400.

Самый, быстрый модуль с частотой данных 2400 МГц будет иметь скорость 19200 МБ в секунду и обозначение будет выглядеть как PC3−19200.

При выборе модуля, надо обязательно убедиться что тактовая частота шины модуля соответствует тактовой частоте процессорной шины вашего компьютера.

Снижение напряжения питания микросхем

Современные микросхемы изготавливаются по технологии КМОП. Транзисторный ключ в этой технологии состоит из двух полевых транзисторов, включенных по двухтактной схеме. В любом состоянии ключа один транзистор полностью открыт, другой — закрыт. В закрытом состоянии полевой транзистор практически не пропускает тока. То есть, в стабильном состоянии КМОП ключ не потребляет ток от источника питания. Но у затворов полевых транзисторов есть емкость. И она имеет существенную величину. При переключении ключа происходит перезаряд затворных емкостей. А конденсатор, как известно, запасает энергию в виде электрического поля. И эта энергия пропорциональна величинам емкости и напряжения.

Мощность определяет скорость изменения энергии и пропорциональна в нашем случае частоте переключения. Получается, что вся энергия источника питания расходуется на перезаряд затворных емкостей. И потребляемая мощность растет линейно с ростом тактовой частоты. Есть два пути понижения потерь мощности на перезаряд паразитных конденсаторов:

  • Уменьшить их емкость.
  • Уменьшить напряжение перезаряда — понизить напряжение питания.

С каждым новым шагом в совершенствовании технологического процесса изготовления интегральных микросхем линейные размеры транзисторов уменьшаются. Уменьшается и площадь паразитных конденсаторов, а соответственно и их емкость. Но и число транзисторов на кристалле тоже увеличивается.

Значит, надо добиться работы микросхем при как можно более низком напряжении питания. В результате с каждым новым поколением микросхем напряжение их питания уменьшается.

  • DDR — 2, 5 В.
  • DDR2 — 1, 8 В.
  • DDR3 — 1, 5 В.
  • DDR4 — 1, 2 В.

В чем отличие DDR3 и DDR3l

На рынке можно найти модули с микросхемами DDR3l и DDR3. Разница в том, что DDR3L — это модернизированная версия DDR3. L- означает Low или по-русски низкий, пониженный. Микросхемы DDR3l могут работать на пониженном напряжении 1,35 В. Но могут работать и при обычном для DDR3 напряжении 1,5 В. Лучше использовать соответствующие модули по своему прямому назначению.

DDR3L может устанавливаться вместо DDR3, а наоборот — нет. Если напряжения питания модулей памяти равно 1,35 в, то такая материнская плата предполагает использование только модулей DDR3L, и установка обычных модулей DDR3 невозможна.

komp.guru

Типы и характеристики оперативной памяти (RAM)

Новые поколения процессоров стимулировали разработку более скоростной памяти SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) с тактовой частотой 66 МГц, а модули памяти с такими микросхемами получили название DIMM(Dual In-line Memory Module). Для использования с процессорами Athlon, а потом и с Pentium 4, было разработано второе поколение микросхем SDRAM — DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM). Технология DDR SDRAM позволяет передавать данные по обоим фронтам каждого тактового импульса, что предоставляет возможность удвоить пропускную способность памяти. При дальнейшем развитии этой технологии в микросхемах DDR2 SDRAM удалось за один тактовый импульс передавать уже 4 порции данных. Причем следует отметить, что увеличение производительности происходит за счет оптимизации процесса адресации и чтения/записи ячеек памяти, а вот тактовая частота работы запоминающей матрицы не изменяется. Поэтому общая производительность компьютера не увеличивается в два и четыре раза, а всего на десятки процентов. На рис. показаны частотные принципы работы микросхем SDRAM различных поколений.

Существуют следующие типы DIMM:

    • 72-pin SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) — используется для FPM DRAM (Fast Page Mode Dynamic Random Access Memory) и EDO DRAM (Extended Data Out Dynamic Random Access Memory)

    • 100-pin DIMM — используется для принтеров SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory)

    • 144-pin SO-DIMM — используется для SDR SDRAM (Single Data Rate … ) в портативних компьютерах

    • 168-pin DIMM — используется для SDR SDRAM (реже для FPM/EDO DRAM в рабочих станциях/серверах

    • 172-pin MicroDIMM — используется для DDR SDRAM (Double date rate)

    • 184-pin DIMM — используется для DDR SDRAM

    • 200-pin SO-DIMM — используется для DDR SDRAM и DDR2 SDRAM

    • 214-pin MicroDIMM — используется для DDR2 SDRAM

    • 204-pin SO-DIMM — используется для DDR3 SDRAM

    • 240-pin DIMM — используется для DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM и FB-DIMM (Fully Buffered) DRAM

    • 244-pin Mini-DIMM – для Mini Registered DIMM

    • 256-pin SO-DIMM — используется для DDR4 SDRAM

    • 284-pin DIMM — используется для DDR4 SDRAM

Чтобы нельзя было установить неподходящий тип DIMM-модуля, в текстолитовой плате модуля делается несколько прорезей (ключей) среди контактных площадок, а также справа и слева в зоне элементов фиксации модуля на системной плате. Для механической идентификации различных DIMM-модулей используется сдвиг положения двух ключей в текстолитовой плате модуля, расположенных среди контактных площадок. Основное назначение этих ключей — не дать установить в разъем DIMM-модуль с неподходящим напряжением питания микросхем памяти. Кроме того, расположение ключа или ключей определяет наличие или отсутствие буфера данных и т. д.

Модули DDR имеют маркировку PC. Но в отличие от SDRAM, где PC обозначало частоту работы (например PC133 – память предназначена для работы на частоте 133МГц), показатель PC в модулях DDR указывает на максимально достижимую пропускную способностью, измеряемую в мегабайтах в секунду.

DDR2 SDRAM

Название стандарта Тип памяти Частота памяти Частота шины Передача данных в секунду (MT/s) Пиковая скорость передачи данных
PC2-3200 DDR2-400 100 МГц 200 МГц 400 3200 МБ/с
PC2-4200 DDR2-533 133 МГц 266 МГц 533 4200 МБ/с
PC2-5300 DDR2-667 166 МГц 333 МГц 667 5300 МБ/с
PC2-5400 DDR2-675 168 МГц 337 МГц 675 5400 МБ/с
PC2-5600 DDR2-700 175 МГц 350 МГц 700 5600 МБ/с
PC2-5700 DDR2-711 177 МГц 355 МГц 711 5700 МБ/с
PC2-6000 DDR2-750 187 МГц 375 МГц 750 6000 МБ/с
PC2-6400 DDR2-800 200 МГц 400 МГц 800 6400 МБ/с
PC2-7100 DDR2-888 222 МГц 444 МГц 888 7100 МБ/с
PC2-7200 DDR2-900 225 МГц 450 МГц 900 7200 МБ/с
PC2-8000 DDR2-1000 250 МГц 500 МГц 1000 8000 МБ/с
PC2-8500 DDR2-1066 266 МГц 533 МГц 1066 8500 МБ/с
PC2-9200 DDR2-1150 287 МГц 575 МГц 1150 9200 МБ/с
PC2-9600 DDR2-1200 300 МГц 600 МГц 1200 9600 МБ/с

DDR3 SDRAM

Название стандарта Тип памяти Частота памяти Частота шины Передач данных в секунду(MT/s) Пиковая скорость передачи данных
PC3-6400 DDR3-800 100 МГц 400 МГц 800 6400 МБ/с
PC3-8500 DDR3-1066 133 МГц 533 МГц 1066 8533 МБ/с
PC3-10600 DDR3-1333 166 МГц 667 МГц 1333 10667 МБ/с
PC3-12800 DDR3-1600 200 МГц 800 МГц 1600 12800 МБ/с
PC3-14400 DDR3-1800 225 МГц 900 МГц 1800 14400 МБ/с
PC3-16000 DDR3-2000 250 МГц 1000 МГц 2000 16000 МБ/с
PC3-17000 DDR3-2133 266 МГц 1066 МГц 2133 17066 МБ/с
PC3-19200 DDR3-2400 300 МГц 1200 МГц 2400 19200 МБ/с

В таблицах указываются именно пиковые величины, на практике они могут быть недостижимы. Для комплексной оценки возможностей RAM используется термин пропускная способность памяти. Он учитывает и частоту, на которой передаются данные и разрядность шины и количество каналов памяти.

Пропускная способность = Частота шины x ширину канала x кол-во каналов

Для всех DDR — количество каналов = 2 и ширина равна 64 бита. Например, при использовании памяти DDR2-800 с частотой шины 400 МГц пропускная способность будет:

(400 МГц x 64 бит x 2)/ 8 бит = 6400 Мбайт/с

Каждый производитель каждому своему продукту или детали дает его внутреннюю производственную маркировку, называемую P/N (part number) — номер детали. Для модулей памяти у разных производителей она выглядит примерно так:

  • Kingston KVR800D2N6/1G
  • OCZ OCZ2M8001G
  • Corsair XMS2 CM2X1024-6400C5

На сайте многих производителей памяти можно изучить, как читается их Part Number.

Kingston Part Number Description
KVR1333D3D4R9SK2/16G 16GB 1333MHz DDR3 ECC Reg CL9 DIMM (Kit of 2) DR x4 w/TS

Так же советую почитать немного об USB портах и типах.

sysadm.pp.ua

Виды модулей памяти и их характеристики

FAQ HardГлавнаяНовостиВопрос-ОтветСтатьиСправочникWindows

Существует несколько распространенных видов модулей памяти, использующихся в современных компьютерах и компьютерах выпущенных несколько лет назад, но еще работающих в домах и офисах.Для многих пользователей отличить их как по внешнему виду, так и по производительности - это большая проблема.

В этой статье мы рассмотрим основные особенности разных модулей памяти.

FPM

FPM (Fast Page Mode) — вид динамической памяти.Его название соответствует принципу работы, так как модуль позволяет быстрее получать доступ к данным которые находятся на той же странице, что и данные, переданные во время предыдущего цикла.

Эти модули использовались на большинстве компьютеров с процессорами 486 и в ранних системах с процессорами Pentium, ориентировочно в 1995 году.

EDO

Модули EDO (Extended Data Out) появились в 1995 году как новый тип памяти для компьютеров с процессорами Pentium.Это модифицированный вариант FPM.

В отличие от своих предшественников, EDO начинает выборку следующего блока памяти в то же время, когда отправляет предыдущий блок центральному процессору.

SDRAM

SDRAM (Synchronous DRAM) — вид памяти со случайным доступом, работающий на столько быстро, чтобы его можно было синхронизировать с частотой работы процессора, исключая режимы ожидания.Микросхемы разделены на два блока ячеек так, чтобы во время обращения к биту в одном блоке шла подготовка к обращению к биту в другом блоке.

Если время обращения к первой порции информации составляло 60 нс, все последующие интервалы удалось сократить до 10 нс.Начиная с 1996 года большинство чипсетов Intel стали поддерживать этот вид модулей памяти, сделав его очень популярным вплоть до 2001 года.

SDRAM может работать на частоте 133 МГц, что почти в три раза быстрее, чем FPM и в два раза быстрее EDO.Большинство компьютеров с процессорами Pentium и Celeron, выпущенных в 1999 году использовали именно этот вид памяти.

DDR

DDR (Double Data Rate) стал развитием SDRAM.Этот вид модулей памяти впервые появился на рынке в 2001 году.Основное отличие между DDR и SDRAM заключается в том, что вместо удвоения тактовой частоты для ускорения работы, эти модули передают данные дважды за один такт.

Сейчас это основной стандарт памяти, но он уже начинает уступать свои позиции DDR2.

DDR2

DDR2 (Double Data Rate 2) — более новый вариант DDR, который теоретически должен быть в два раза более быстрым.Впервые память DDR2 появилась в 2003 году, а чипсеты, поддерживающие ее — в середине 2004.

Эта память, также как DDR, передает два набора данных за такт.Основное отличие DDR2 от DDR — способность работать на значительно большей тактовой частоте, благодаря усовершенствованиям в конструкции.

Но измененная схема работы, позволяющая добиться высоких тактовых частот, в то же время увеличивает задержки при работе с памятью.

DDR3

DDR3 SDRAM (синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видео-памяти.Пришла на смену памяти типа DDR2 SDRAM.

У DDR3 уменьшено на 40% потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) напряжением питания ячеек памяти.Снижение напряжения питания достигается за счёт использования 90-нм (вначале, в дальнейшем 65-, 50-, 40-нм) техпроцесса при производстве микросхем и применения транзисторов с двойным затвором Dual-gate (что способствует снижению токов утечки).

Модули DIMM с памятью DDR3 механически не совместимы с такими же модулями памяти DDR2 (ключ расположен в другом месте), поэтому DDR2 не могут быть установлены в слоты под DDR3 (это сделано с целью предотвращения ошибочной установки одних модулей вместо других - эти типы памяти не совпадают по электрическим параметрам).

RAMBUS (RIMM)

RAMBUS (RIMM) — это вид памяти, который появился на рынке в 1999 году.Он основан на традиционной DRAM, но с кардинально измененной архитектурой.

Дизайн RAMBUS делает обращение к памяти более «разумным», позволяя получать предварительный доступ к данным, немного разгружая центральный процессор.

Основная идея, использованная в этих модулях памяти, заключается в получении данных небольшими пакетами, но на очень высокой тактовой частоте.Например, SDRAM может передавать 64 бит информации при частоте 100 МГц, а RAMBUS — 16 бит при частоте 800 МГц.Эти модули не стали успешными, так как у Intel было много проблем с их внедрением.

Модули RDRAM появились в игровых консолях Sony Playstation 2 и Nintendo 64.

Перевод: Владимир Володин

Драйвер Game Ready GeForce 436.48 WHQL (добавлено)

Пакет драйверов Game Ready GeForce 436.48 WHQL предназначен для оптимизации игр: Tom Clancy’s Ghost Recon Breakpoint и Asgard’s Wrath и для поддержки шлема виртуальной реальности HTC Vive Cosmos VR.

Читать далее

Toshiba меняет название на Kioxia

Компания Toshiba Memory Holdings 1 октября 2019 года сменит название на Kioxia Holdings.

Читать далее

Драйвер Intel Graphics 10 DCH 26.20.100.7212

25 сентября Intel представила пакет драйверов версии 26.20.100.7212, обеспечивающий программную поддержку ядер Iris Plus Graphics (поколение Gen11) в составе 10-нм мобильных процессоров Ice Lake.

Читать далее

Накопительное обновление Windows 10 1903 KB4517211

26 сентября 2019 г. Microsoft выпустила накопительное обновление KB4517211 для Windows 10 версии 1903 на базе процессоров x64 (amd64), ARM64 и Windows Server 2019 (1903) для систем на базе процессоров x64.

Читать далее

Тестируется российская мобильная ОС «Аврора»

По сообщению «Ростелекома» саратовские спасатели начали испытания мобильной операционной системы «Аврора» — отечественной платформы.

Читать далее

Все новости

faqhard.ru

Как отличить типы памяти SIMM, DIMM, DDR, DDR2, DDR3

Тут в очередной раз у меня спросили, как по внешнему виду можно определить тип оперативной памяти. Т.к. такой вопрос всплывает периодически, я решил, что лучше один раз показать, чем сто раз объяснять на пальцах, и написать иллюстрированный мини-обзорчик типов оперативной памяти для PC.

Не всем это интересно, по-этому прячу под кат. Читать

Самые распространённые типы оперативной памяти которые применялись и применяются в персональных компьютерах в обиходе называются SIMM, DIMM, DDR, DDR2, DDR3.  SIMM и DIMM вы вряд ли уже встретите, а вот DDR, DDR2 или DDR3  сейчас установлены в большинстве персональных компьютеров. Итак, по порядку

SIMM

SIMM на 30 контактов. Применялись в персональных компьтерах с процессорами от 286 до 486. Сейчас уже является раритетом.SIMM на 72 контакта. Память такого типа была двух видов FPM (Fast Page Mode) и EDO (Extended Data Out).

Тип FPM использовался на компьютерах с процессорами 486 и в первых Pentium до 1995 года. Потом появился  EDO.  В отличие от своих предшественников, EDO начинает выборку следующего блока памяти в то же время, когда отправляет предыдущий блок центральному процессору.

Конструктивно они одинаковы, отличить можно только по маркировке. Персоналки, поддерживавшие EDO, могли работать и с FPM, а вот наоборот — далеко не всегда.

DIMM

Так называли тип памяти SDRAM (Synchronous DRAM). Начиная с 1996 года большинство чипсетов Intel стали поддерживать этот вид модулей памяти, сделав его очень популярным вплоть до 2001 года. Большинство компьютеров с процессорами Pentium и Celeron использовали именно этот вид памяти.

Дальше пошла эра DDR, и память  почти перестали называть симы или димы. Теперь в ходу название DDR (DDR2, DDR3)  модуль или планка.

DDR

DDR (Double Data Rate) стал развитием SDRAM. Этот вид модулей памяти впервые появился на рынке в 2001 году. Основное отличие между DDR и SDRAM заключается в том, что вместо удвоения тактовой частоты для ускорения работы, эти модули передают данные дважды за один такт.

DDR2

DDR2 (Double Data Rate 2) — более новый вариант DDR, который теоретически должен быть в два раза более быстрым. Впервые память DDR2 появилась в 2003 году, а чипсеты, поддерживающие ее — в середине 2004. Основное отличие DDR2 от DDR — способность работать на значительно большей тактовой частоте, благодаря усовершенствованиям в конструкции. По внешнему виду отличается от DDR числом контактов: оно увеличилось со 184 (у DDR) до 240 (у DDR2).

DDR3

Как и модули памяти DDR2, они выпускаются в виде 240-контактной печатной платы (по 120 контактов с каждой стороны модуля), однако не являются электрически совместимыми с последними, и по этой причине имеют иное расположение «ключа».RIMM (Rambus)

Ну и наконец, есть еще один вид оперативной памяти — RIMM (Rambus).  Появился на рынке в 1999 году. Он основан на традиционной DRAM, но с кардинально измененной архитектурой. В персональных компьютерах этот тип оперативки не прижился и применялся очень редко. Такие модули применялись еще в игровых приставках Sony Playstation 2 и Nintendo 64.

abramov-online.ru

Как выбрать оперативную память

     Сейчас на рынке огромное количество видов оперативной памяти. Не разбирающемуся пользователю трудно сделать правильный выбор. А придя в магазин, бывает так: продавец-консультант, пользуясь незнанием покупателя, продает ему не всегда то, что нужно. Поэтому я решил написать об этом подробную статью, чтобы любой человек, прочитав её, сам с уверенностью выбирал модуль оперативной памяти. Идя в магазин за покупкой, нужно всего лишь определиться, для какого ПК приобретается память (бюджетный, универсальный и игровой), какой объем, частота и фирма. В этой статье оперативную память я рассмотрю от «А» до «Я».

К сведению! Оперативная память служит для временного хранения данных и команд, которые нужны для работы операционной системы. Избыток оперативной памяти не всегда увеличивает производительность ПК.      Существует три вида оперативной памяти. На это стоит обратить особое внимание. Здесь нет ничего сложного.

DIMM – данный тип оперативной памяти используется в персональных компьютерах.

SO-DIMM – этот тип предназначен для моноблоков и ноутбуков. По своим характеристикам они такие же, как и DIMM, только меньше по размеру.

FB-DIMM – это специальный тип оперативной памяти с повышенной надежностью работы и поддержкой буферизации. Такая память используется в серверах.

     При покупке нужно знать, какую оперативную память поддерживает Ваша материнская плата. На момент написания статьи на рынке имелось четыре типа. DDR и DDR2 уже устарели, но купить их можно с склада по цене, превышающей DDR3 (т.к. вышли из производства). А вот модули памяти DDR3 сейчас преобладают на рынке. В этом году появилась память DDR4.

Хочу обратить внимание, что типы оперативной памяти между собой несовместимы.      Тут я думаю, не стоит объяснять: чем больше, тем лучше. Правда есть свои подводные камни. В первую очередь, нужно смотреть какую частоту поддерживает материнская плата. Вот к примеру, у Вас имеется планка оперативной памяти с частотой 2400 МГц, а материнская плата поддерживает 1800 МГц. Так вот, скорость работы при этом не увеличится. А такими действиями Вы потеряете 600 МГц и разницу в деньгах.

     Сейчас самыми ходовыми являются модули памяти DDR3 с частотой 1333 МГц и 1600 МГц. Но в скором времени их вытеснят DDR4 с частотой от 2133 до 4266 МГц.      На начале развития оперативной памяти их объем измерялся в килобайтах и мегабайтах. Теперь, конечно, все кардинально изменилось. Чем больше память, тем больше информации влезет в чип. Как правильно подобрать объем?

2 Гб – отлично подойдет для бюджетных вариантов ПК (интернет-серфинг, просмотр фильмов, фото и т.д.)

4 Гб – хорошо подойдет для требовательных программ и игр на средних настройках качества 8 Гб – такой объем хватит для современных игр с головой 16 Гб – все программы и игры будут летать 32 Гб – пустая трата денег, лучше купить SSD-диск или видеокарту (значительно увеличит работы Вашего ПК) На заметку! 32-битная операционная система Windows не видит оперативную память больше 3 Гб. Даже если разоритесь и поставите модуль памяти объёмом в 32 Гб, Windows распознает и будет использовать только 3Гб. Никому не верьте по поводу устранения этой проблемы с помощью программ. Тут необходима установка 64-битной версии Windows.      Об этом параметре мало кто знает, и на него не обращают внимание. Латентность (тайминг) – это задержка сигнала при работе процессора с памятью. Тайминг имеет значение от 2 до 13. Чем меньше эта цифра, тем лучше. Но с увеличением частоты оперативной памяти увеличивается тайминг. Так что нужно учитывать соотношение этих параметров.

     Тайминг записывается в виде трех чисел 2-2-2, 3-3-3 и т.д. Каждое число это параметр. Начнем по порядку.

CAS Latency – время рабочего цикла

RAS to CAS Delay – время доступа RAS Precharge Time – время предварительного заряда      Все мы знаем, что при работе моноблок, ПК и ноутбук сильно греются. Представьте себе, оперативная память тоже может греться. В связи с этим производители стали оснащать модули памяти охлаждающими кожухами. Дорогие модели имеют свою собственную систему охлаждения.

Тут я хочу Вам посоветовать покупать оперативную память хотя бы с минимальным охлаждением.      Если материнская плата позволяет использовать несколько режимов, то радуйтесь! Оперативные памяти могут работать в 1,2,3,4 канальном режиме. В двухканальном режиме система работает в 2 раза быстрее и т.д.

Подробнее рассмотрим все типы режимов:

Single chanell Mode – это одноканальный или асимметричный режим, который включается, когда в системе стоит 1 модуль памяти или все модули отличаются по частоте, объему памяти или производителю. Какую бы оперативную память не подсоединяли, работать все будут по самой медленной.

Dual Mode – двухканальный режим работает когда устанавливаются одинаковые модули оперативной памяти. Тут происходит удвоение скорости. Здесь важно знать, что модули работают попарно 1 с 3, а 2 с 4. Triple Mode – трехканальный режим работающий по принципу двухканального. Вот только на практике она не всегда производительнее двухканального. Flex Mode – это гибкий (смешанный) режим, когда производительность увеличивается независимо от вида оперативной памяти. Главное, чтобы у них была одинаковая частота. На мой взгляд, этот режим самый хороший.

     Самым распространённым является двухканальный режим. Для многоканального режима необходимо покупать специальные модули памяти. Называются они Kit-памятью. Продается набором, в котором оперативная память одинаковая.      По виду и маркировки на модуле памяти можно много что сказать. В качестве примера приведу оперативную память фирмы Kingston.

1. KVR – производитель 2. 1066/1333 – рабочая частота 3. D3 – тип оперативной памяти (DDR3) 4. D-rank – это означает, что память имеет двухканальный режим 5. 4 – означает, что у ОЗУ 4 чипа памяти 6. 7 – задержка сигнала составляет 7 7. S – присутствует термодатчик на модуле 8. K2 – состоит из набора Kit 9. 4G – объем Kit-памяти составляет 4 Гб      Я надеюсь, что понятно написал статью. Про производителей сказать ничего не могу, потому что неважно какой производитель, поскольку модули оперативной памяти ломаются очень редко. А цена в первую очередь будет зависеть от характеристик. Итог, главное знать, какие характеристики оперативной памяти поддерживает Ваша материнская плата.

www.pc-aio.ru

Разница между оперативной памятью DDR3 и DDR3L: сравнительный анализ

Оперативно запоминающее устройство (ОЗУ) – модуль временной памяти, который используется в компьютерной архитектуре для хранения определенного набора команд и информации. Оперативная память обеспечивает стабильную и надежную работу операционной системы и запущенных программ и приложений.

С развитием технологий оперативная память постоянно усовершенствовалась: увеличивались ее объем и производительность. Современный тип ОЗУ DDR3 является модернизированной версией своего «предка», который пришел на смену оперативной памяти типа DIMM в далеких 90-х годах.

Конструкция DDR

Прежде чем определять различия между DDR3 и DDR3L следует ознакомиться с конструкцией ОЗУ типа DDR. Оперативная память собрана на форм-факторе своего предшественника DIMM. Платформу оснастили микросхемами, которые собираются в корпусах TSOP BGA и транзисторов, благодаря чему передача информации осуществлялась как по фронту, так и спаду. Осуществление двойной передачи данных за один такт стало возможным за счет реализации в компьютерной архитектуре технологии 2n Prefetch.

От характеристик оперативной памяти зависит производительность ПК

Развитие компьютерных технологий и внедрение в производство инновационных привело к тому, что микросхемы для модуля оперативного запоминающего устройства типа DDR3 стали изготавливаться только в корпусах BGA. Это же способствовало модернизации транзисторов, и появились новые модели с двойным затвором Dual-gate. Применения данной технологии позволило сократить величину токов утечки и повысить производительность ОЗУ. Так в ходе своего развития энергопотребление блока памяти снижалось: DDR – 2,6 В, DDR2 – 1,8 В и DDR3 – 1,5 В.

Внимание! Модули памяти типа DDR2 и DDR3 не совместимы и не взаимозаменяемы по механическим и электротехническим показателям. Защита от установки планки оперативной памяти в несоответствующий слот (разъем) реализована за счет расположения ключа в разных местах модуля.

Особенности оперативной памяти DDR3

Планки ОЗУ выпускаются от 1 ГБ до 16 ГБ, а частота памяти может находиться в диапазоне 100 – 300 МГц, а шины от 400 до 120 МГц. В зависимости от частоты шины оперативная память DDR3 обладает разной пропускной способностью:

  • DDR3-1600 – от 2400 до 2500 МБ/сек;
  • DDR3-1866 – от 2800 до 2900 МБ/сек;
  • DDR3-2133 – от 3200 до 3500 МБ/сек;
  • DDR3-2400 – от 3400 до 3750 МБ/сек.

Оптимальными значениями частоты шины оперативно запоминающего устройства являются 1066 – 1600 МГц. При увеличении частоты возрастает энергопотребление модуля памяти вплоть до 1,65 В при частоте шины 2400 МГц. Подобное явление ведет за собой нагрев планок и обильное выделение тепловой энергии. Для устранения подобного недостатка высокопроизводительные платы ОЗУ оснащаются системой пассивного охлаждения, т. е. радиаторами из алюминиевого сплава, которые устанавливаются двустороннюю липкую ленту-термоинтерфейс.

Также повышение энергопотребления может осуществляться при разгоне компьютера или выполнении определенных действий (операций). Это осуществляется внутренними преобразователями за счет использования в планках оперативной памяти DDR3 напряжения Vddr. Следует помнить, что это также ведет к излишнему выделению количества тепла.

Внимание! Выделение количества тепловой энергии выше установленного значения приводит к снижению общей производительности компьютера, появлению «зависания» и «тормозов» операционной системы и выполняемых программ.

Структура DDR3 насчитывает 8 банков памяти, а величина строки ее чипа составляет 2048 байт. Подобное строение, а также недостатки технологии SSTL, из-за которой возможны утечки токов появляются длинные тайминги в работе оперативно запоминающего устройства. Это также приводит к относительно медленному переключению между чипами памяти.

Особенности оперативной памяти DDR3L

По своей конструкции планки оперативной памяти DDR3L аналогичны DDR3. Они имеют те же 240 контактов, габаритные размеры одинаковые за исключением высоты она равна 28 – 32,5 мм против 30,8 мм у DDR3. Подобная разница обуславливается наличием радиаторов в зависимости от модели и фирмы производителя устройства.

Экономия энергии DDR3L составляет 15% в сравнении с оперативной памятью DDR3

Оснащение оперативной памяти DDR3L системой пассивного охлаждения предусматривает возможность ее разгона и увеличения производительности за счет увеличения энергопотребления. Подобное решение позволяет эффективно выполнять отвод и рассеивание обильно выделяемой тепловой энергии для и предотвращения перегрева и преждевременного выхода из строя модуля памяти. Размеры ОЗУ, устанавливаемые в ноутбуки, сопоставимы со стандартными платами DDR3. Большая часть подобных модулей памяти на компьютерном рынке представлена в исполнении с отсутствием радиаторов охлаждения. Подобное решение сводится к тому, что данный класс ПК малопригоден к модернизации и разгону.

Внимание! В начале 2012 года на рынке появилась разновидность данной модификации оперативно-запоминающего устройства DDR3L-RS, она специально разработана под смартфоны.

Индекс «L» в маркировки ОЗУ DDR3L означает Low – сниженное энергопотребление. Данная модификация оперативной памяти в сравнении с DDR3 нуждается в источнике питания, напряжение которого составляет 1,35 В. Данная модернизация приводит к сокращению энергопотребления на 10 — 15% в сравнении с DDR3 и до 40 % относительно DDR2, снижению величины нагрева устройства. То есть уменьшенное выделение тепла предусматривает возможность отказа от пассивного охлаждения и приводит к сокращению таймингов, повышению производительности и стабильности в работе устройства. Остальные технические характеристики оперативной памяти типа DDR3L сопоставимы с ее «прародителем» DDR3.

Совместимость и взаимозаменяемость DDR3 на DDR3L может осуществляться только в обратном порядке. Поскольку установка ОЗУ DDR3 в слот под оперативную память DDR3L приведет к не совместимости по электрическим параметрам и ее запуск не осуществится. Обратная замена возможна, но повышенное значение напряжения под DDR3 может привести к нагреву платы оперативной памяти DDR3L.

Как выбрать оперативную память: видео

viborprost.ru


Смотрите также