Ssd 250gb samsung 850 evo обзор


Обзор твердотельных накопителей Samsung 850 Evo, 860 Evo и 860 Pro

Методика тестирования накопителей образца 2016 года

На начало этого года нами было запланировано небольшое обновление тестовой методики, однако его решено было чуть-чуть отложить, чтобы можно было сравнить еще три интересных накопителя со всеми ранее изученными. Что в них такого интересного? В первую очередь — производитель и его история.

В отличие от многих других компаний, работающих на данном рынке, компания Samsung стояла у его истоков (если можно так выразиться), причем ее всегда «интересовали» устройства высокого класса. В частности, именно Samsung 64 GB SSD SATA-2 около десяти лет назад был одним из немногих конкурентов Intel X25-M на момент выхода последнего, причем в ряде сценариев он тогда так и остался непревзойденным. Конечно, это его не спасло: как и у всех устройств «первого поколения», высокие скоростные характеристики достигались благодаря использованию быстрой, но очень дорогой SLC-памяти. X25-M же продемонстрировал другой способ повышения производительности: сочетание [относительно] недорогого MLC-флэша с интеллектуальным контроллером. В итоге получилось быстрое устройство ценой в $600 за 80 ГБ — на что Samsung и остальные могли ответить разве что моделью с 64 ГБ за $1000.

Выводы компания сделала правильные, сразу же занявшись разработкой контроллеров. Первое время они продавались многим производителям, но звезд с неба не хватали. С другой стороны, это позволило накопить необходимый опыт и окончательно определиться с направлениями дальнейшего развития. Приняты были два серьезных решения: во-первых, продать бизнес накопителей на жестких магнитных дисках (чтоб не мешал), а во-вторых, выпускать твердотельные накопители полностью собственной разработки, причем не отдавая компоненты «на сторону». Первое на тот момент казалось смелым, но рискованным шагом: все-таки винчестеры имели очень устойчивый спрос благодаря ценам, так что напрямую флэш-память с ними конкурировать никак не могла. Однако с т. з. крупнейшего производителя полупроводников логичным было как раз поработать над тем, чтоб смогла :) Что компания и делала последующие годы, тем более имея в рукаве такой серьезный козырь, как самостоятельное производство всего необходимого, а также первое место по объемам производства конкретно флэш-памяти. В итоге контроллеры всегда можно было «подогнать» под память, а память — под контроллеры, да и от рыночной конъюнктуры Samsung зависел гораздо слабее, чем большинство производителей — скорее, компания ее определяла. Многие перспективные направления тоже были правильно просчитаны заранее. В частности, более четырех лет назад мы уже знакомились с Samsung SSD 840 Evo — по сути, второй попыткой компании (первой был «обычный» 840) создать быстрый и надежный накопитель на базе TLC-памяти, которую для этого тогда не использовал никто. И даже не пытался. Нельзя сказать, что обошлось совсем без шероховатостей, но ценный опыт был накоплен. В частности, тогда же была опробована технология SLC-кэширования.

Казалось бы, что тут особенного? Сейчас TLC-память уже привычна — ее используют все. И SLC-кэш тоже. Но это было, напомним, в 2013 году. И примерно тогда же в Samsung было решено заняться «трехмерной» флэш-памятью, поскольку традиционный подход с сохранением «обычных» ячеек и уменьшением норм производства начал постепенно заходить в тупик. Впрочем, о переходе на 3D NAND в те годы заговорили все производители, поскольку все находились в сходном положении. Но от разговоров до внедрения всегда проходит достаточно много времени — кто-то преодолевает этот путь быстрее, кто-то медленнее. Samsung удалось опередить всех: уже в середине 2014 года появились первые коммерческие продукты, использующие V-NAND (как ее назвал разработчик). Первое время компания конфигурировала эту память исключительно как MLC, для работы в более щадящем режиме, однако с 2015 года начало́ увеличиваться количество кристаллов, способных надежно работать и с восемью уровнями, что позволяет хранить три бита информации. Отметим, кстати, что Samsung предпочитает не использовать аббревиатуру «TLC», говоря о «3-bit MLC». В принципе, это вполне корректно, хоть некоторых и может сбивать с толку. Но большинству покупателей важно, все-таки, не как что называется, а как оно работает. И сегодня мы это изучим на примере трех продуктов Samsung — двух совсем новых и одного тоже почти нового.

Samsung V-NAND SSD 850 Evo 500 ГБ

Первые накопители линейки с таким названием появились, как уже было сказано, в 2015 году. В принципе, они были сильно похожи на 840 Evo, но использовали вместо планарных кристаллов по 128 Гбит 32-слойную 3D той же емкости. Чуть похудел ассортимент: 120 / 250 / 500 / 1000 ГБ — без интересной промежуточной модели емкостью 750 ГБ. В старшей модели остался даже тот же трехъядерный контроллер MEX, что и в 840 Evo, а остальные получили двухъядерные, но усовершенствованные MGX, работающие в паре с памятью LPDDR2 с частотой 1066 МГц и емкостью до 1 ГБ. При этом накопитель (как и предшественник) позиционировался как конкурент устройствам среднего уровня — в то время в основном использующим MLC-память. Впрочем, даже таковые зачастую имели лишь трех-, а не пятилетнюю гарантию, ставшую визитной карточкой семейства Evo. В том числе, и появившейся чуть позже модификации на 2 ТБ — что по тем временам было очень серьезным значением, так что потребовало и появления специального контроллера MHX (заодно и DRAM-кэш в этой модели перевели на более быструю LPDDR3-память).

Существенно превзойденным во втором поколении 850 Evo, где применялась уже 48-слойная 3D NAND с кристаллами по 256 Гбит. В принципе, это и при прочих равных позволило бы преобразовать модельный ряд из «120 /250 / 500 / 1000 / 2000 ГБ» в «250 / 500 / 1000 / 2000 / 4000 ГБ», что и было сделано, но и прочими равными компания не ограничилась. Переведя, например, DRAM-кэш с LPDDR2 на LPDDR3 во всей линейке и т. п. Впрочем, в основном эти улучшения были уже косметическими и на производительности не слишком сказывались. Да это и не требовалось — отлаженный процесс производства позволял выпускать быструю и надежную память в то время, как конкуренты все еще делали только лишь первые шаги на этом пути.

А в конце прошлого года компания в очередной раз обновила 850 Evo — поскольку производство было уже переведено на 64-слойную память: более выгодную экономически. Принципиальных изменений между моделями нет, так что, как и предыдущий «апгрейд» этот прошел тихо: просто с определенного момента прекратились поставки накопителей старого образца и начали отгружаться исключительно новые. Какие-то отличия в части модификаций можно было бы и поискать — в частности, устройства емкостью от 1 ТБ начали использовать кристаллы по 512 Гбит, но в 250 и 500 ГБ для сохранения ТТХ на прежнем уровне так и осталось 256 Гбит. И кэш-память типа LPDDR3 из расчета «мегабайт на гигабайт емкости». Гарантия, естественно, осталась пятилетней — ограниченной TBW по формуле «75 ТБ на каждые 250 ГБ», т. е. 150 ТБ для нашего героя.

Главным для покупателя в общем-то во всех этих эволюционных изменениях было постоянное снижение цен. Остальные производители как правило добивались подобного эффекта выпуском новых моделей — Samsung предпочитал дорабатывать имеющуюся. В итоге 850 Evo в конце жизненного цикла это совсем не тот 850 Evo, что в начале. В 2015 году эти накопители не пытались по цене конкурировать с самыми дешевыми SSD на рынке — для этого Samsung иногда выпускал устройства на планарной TLC, типа 750 Evo или 650. В 2017 уже могли. При этом их скоростные характеристики как минимум не снижались — внедрение же TLC-памяти в продуктах других компаний, как мы уже не раз отмечали, сопровождалось обычно уменьшением производительности и надежности. Впрочем, три года — срок немалый: за это время «подтянулись» и производители контроллеров, и 3D NAND других поставщиков. На что Samsung заготовил даже не один, а два ответа.

Samsung V-NAND SSD 860 Evo 500 ГБ

Буквально через несколько месяцев после последнего «апгрейда» 850 Evo, компания выпустила новую линейку накопителей — на той же памяти. Практически на той же: в моделях от 1 ТБ не изменилось ничего, а модификация на 500 ГБ (которую мы сегодня и будем тестировать) получила аналогичные старшим кристаллы по 512 Гбит, вместо 256 Гбит. Таким образом, в каких-то условиях она может и отставать от предшественницы, что можно считать недостатком. Но вполне предсказуемым: 500 ГБ ныне уже никакого пиетета не вызывает, постепенно превращаясь в ходовой объем, по цене доступный уже многим пользователям. Для чего нужно снижать себестоимость — пусть даже ценой снижения некоторых скоростных характеристик.

Поскольку происходить это будет не всегда: новая серия накопителей получила и новый контроллер MJX. Он остался двухъядерным, зато тактовая частота выросла почти в два раза, что позволяет работать с более сложными алгоритмами. В частности, впервые за долгие годы (с самого появления в 840 Evo!) изменился SLC-кэш. Ранее он был статическим, теперь же при необходимости и наличии свободных ячеек новый контроллер может задействовать часть их в SLC-режиме, отложив «уплотнение» данных «на потом» — когда нагрузка уменьшится. На практике это означает, что, если 840 Evo и все версии 850 Evo на 500 ГБ могли на высокой скорости принять лишь 6 ГБ данных (статический SLC-кэш, размерами 3 ГБ на каждые 250 ГБ емкости), то в аналогичном 860 Evo предел увеличен уже до 22 ГБ. В принципе, последние контроллеры Silicon Motion (типа SM2258 или SM2259) могут записывать в SLC-режиме хоть все свободные ячейки (т. е. в пределе до трети полной емкости устройства), однако на практике достаточно и первого значения. Строго говоря, большинству пользователей, не увлекающемуся «охотой на попугаев» в бенчмарках, и 6 ГБ было более чем достаточно, однако раз уж конкуренты появились, надо как-то на это отвечать.

В принципе, и увеличение TBW для сохранения гарантийных условий можно тоже считать ответом на внешние воздействия. К примеру, появившиеся в прошлом году накопители серии Intel 545s имеют пятилетнюю гарантию, но ограниченную 72 ТБ на каждые 128 ГБ емкости. В 850 Evo, напомним, 75 ТБ на 250 ГБ, т. е. почти вдвое меньше. А в 860 Evo уже стало чуть больше, поскольку предыдущее значение удвоено: 150 ТБ на каждые 250 ГБ. В общем-то, компании никто не мешал сделать это и раньше. И не только потому, что накопители на это физически способны — просто при их использовании «по-назначению» в обычных персональных компьютерах объемы записи куда скромнее. Почему же производители их ограничивают? Чтобы немного защититься от достаточно популярного «нецелевого» использования — когда потребительские накопители с длинной гарантией устанавливают куда-нибудь в сервер: резервные копии есть, а «накроется» — поменяют. Естественно, это снижает продажи устройств соответствующего назначения, что их основным поставщикам (а Samsung к таковым относится в полной мере) абсолютно не нужно. Особенно с учетом наличия в ассортименте еще одного продукта...

Samsung V-NAND SSD 860 Pro 512 ГБ

Выпуск в 2018 году в новой линейке SATA-накопителя на базе MLC-памяти — решение, конечно, очень смелое, но вполне оправданное. Во всяком случае, если абстрагироваться только лишь от запросов сферических пользователей ПК в вакууме, а посмотреть на рынок шире. После чего мы сразу же увидим, например... разнообразные сетевые хранилища. NVMe-устройства там не нужны. До последнего времени считалось, что и SSD вообще не нужны, поскольку стоят они слишком дорого, а производительность определяется не ими. При использовании гигабитных сетевых адаптеров и небольшом количестве одновременных запросов это действительно так. А с каким-нибудь корпоративным хранилищем может сразу работать и десяток-другой пользователей, да и для соединения его с коммутатором вполне может использоваться канал на 10 Гбит/с — и вот тут уже винчестеры будут узким местом, что мы в процессе тестирования топовых NAS неоднократно наблюдали. А твердотельные накопители — не будут. Конечно, они обойдутся дороже, но если проблему можно решить за деньги, то это уже не проблема, а всего лишь расходы :) В принципе, для такой работы подойдет и устройство на базе TLC-памяти, но MLC обеспечит более стабильные скоростные характеристики, да и ресурс тоже.

Более интересен в данном случае вопрос используемой памяти. Предыдущая MLC-линейка компании, а именно накопители серии 850 Pro использовали отбраковку от 3D TLC NAND — с чем связан и немного атипичный размер кристалла на старте: 86 Гбит. Слова «отбраковка», разумеется, пугаться не стоит: очевидно, что режим работы ячеек с четырьмя уровнями является куда более щадящим, нежели с восемью, а не только более быстрым. В новых же накопителях применяются кристаллы 64-слойной MLC 3D NAND, емкостью 256 Гбит. С TLC это никак не «бьется», так что можно предположить, что Samsung делает такую память специально. С другой стороны (что более вероятно с учетом того, что на дворе уже 2018 год) это может быть и побочным результатом работы по освоению выпуска кристаллов QLC 3D NAND емкостью 512 Гбит. Понятно, что выпуск качественной памяти такого типа очень сложен, но заниматься ей все равно нужно. А дальше срабатывает то, о чем было сказано выше — имея собственное производство (причем крупнейшее по объемам), от рыночной конъюнктуры Samsung не зависит. Если бы компании нужно было закупать память на открытом рынке, выпуск SSD на MLC был бы крайне рискованным мероприятием. При собственном производстве — нет. Особенно, если это действительно те чипы, которые неспособны хранить по четыре бита в ячейке — куда-то же их девать все равно нужно. А покупатели в итоге могут приобрести устройство с большим ресурсом — TBW для моделей на 1 ТБ и выше впору именовать PBW, поскольку счет там идет на петабайты, что для накопителей пользовательского назначения немного непривычно. Собственно, и для 512 ГБ речь идет о 600 ТБ на пятилетней срок гарантии — против 300 и 150 ТБ соответственно для 860 / 860 Evo. Но не дешево, разумеется. Но, по крайней мере, соответствующее предложение в ассортименте компании есть, чем можно и воспользоваться — при необходимости или просто при желании (и финансовой возможности).

Конкуренты

Для сравнения мы решили взять результаты двух накопителей: Intel 545s 512 ГБ и WD Blue 3D SSD 500 ГБ, благо оба актуальны на данный момент и используют сходную (в первом приближении) память. 545s с нашими героями также роднит пятилетняя гарантия, причем и ограничения ее условий сходны с 860 Evo (впрочем, кто на ком стоял вопрос сложный, как уже было сказано выше). У Blue 3D до последнего времени срок гарантии составлял три года, однако сейчас компания начала процедуру его увеличения до тех же пяти лет. Впрочем, и при «старых» условиях сравнивать Blue 3D с остальными участниками можно — это тоже накопитель от крупного и известного производителя, да и цены близкие.

Тестирование

Методика тестирования

Методика подробно описана в отдельной статье. Там можно познакомиться с используемым аппаратным и программным обеспечением.

Производительность в приложениях

Как и следовало ожидать, с точки зрения тестов высокого уровня все примерно одинаковы. Но не совсем — если вооружиться лупой, можно разглядеть, что тройка SSD Samsung немного быстрее, чем предложения Intel и WD. А распределение мест внутри нее тоже предсказуемо: самым быстрым оказывается 860 Pro, а самым медленным — 860 Evo. Однако чтобы это заметить, нужна уже не лупа, а микроскоп :)

Что же касается потенциальных возможностей накопителей, то в целом картина не изменилась — разве что отрыв от «преследователей» увеличился. В итоге современные версии Evo — первые попавшие к нам в руки SATA-накопители на TLC-памяти, способные в этом тесте «перевалить» за 300 МБ/с. Впрочем, и безотносительно ее типа ранее у нас в лаборатории побывало лишь одно способное на это устройство — Toshiba Q300 Pro 256 ГБ. Таким образом, единственное, что несколько омрачает значимость события — потенциальность данного результата.

Предыдущая версия тестового пакета демонстрирует нам аналогичную картину. В целом для накопителей Samsung скорее благоприятную, чем наоборот. Т. е. понятно, что если разница в скорости заметна только в тестах, ей можно и пренебречь — но почему бы при прочих равных не выбрать более быстрый накопитель. При неравных — уже выбирать нужно: что важнее.

Последовательные операции

С этими сценариями при ограниченной области данных давно все ясно — ограничителем для SATA-накопителей является собственно интерфейс SATA. В т. ч. и при записи, поскольку SLC-кэширование давно уже стало стандартным поведением накопителей на базе TLC, а для MLC-памяти никакие ухищрения и сами по себе не нужны. Поэтому в обновленной тестовой методике мы задачу усложним :) А сегодня просто отложим окончательный вердикт до более серьезных нагрузок.

Случайный доступ

Контроллеры Samsung давно уже с такими нагрузками справляются легко и непринужденно, 3D NAND собственного производства медлительностью тоже никогда не отличалась — в итоге и результаты высокие. Разве что проигрыш 860 Evo предшественнику той же емкости может кого-то расстроить, однако ничего неожиданного в нем нет — увеличение емкости кристаллов и уменьшение их количества так и должно было сработать. В конце-концов, запас производительности был достаточным для того, чтобы даже после ее снижения все равно опережать накопители того же класса от других производителей, а «внутрифирменная» конкуренция все равно не планируется: по мере исчерпания старых запасов, 850 Evo просто исчезнет с прилавков.

Работа с большими файлами

Чтение данных как неоднократно было сказано проблемой для памяти любого типа давно не является (вот контроллеры могут производительность ограничивать), так что все дружно уперлись в интерфейс на сопоставимом уровне.

Запись заведомо «вылетает» за емкость SLC-кэша, несмотря на увеличение его емкости в 860 Evo, а производительность собственно массива памяти за счет снижения параллелизма снизилась. Соответственно, если 850 Evo выдавал максимум для SATA600, то его сменщик этого не может. И даже отстает от конкурентов, использующих в моделях такой емкости кристаллы по 256 Гбит, «придерживая» более крупные для больших емкостей.

Еще один сложный (до сих пор) сценарий для TLC-накопителей — запись одновременно с чтением. Впрочем, 860 Pro по понятным причинам эта проблема не касается — использование двухбитных ячеек в паре с высокопроизводительным контроллером позволяет устройству демонстрировать максимальную доступную для SATA600 производительность. А вот накопители семейства Evo заметно медленнее — особенно при (псевдо)случайном доступе. Впрочем, несложно также заметить, что обеспечить заметно более высокую производительность можно разве что за счет хитростей, типа «бесконечного» SLC-кэша накопителей на базе последних контроллеров Silicon Motion, но не при использовании обычного статического кэширования. Да и «необычного» как в 860 Evo тоже — справляется оно только при меньших объемах информации. Однако все это становится незначимым, если вспомнить, что большинстве твердотельных накопителей дела обстоят не лучше :) Но, при этом, такого выбора, как Samsung (обновивший MLC-линейку — пусть и по соответствующей цене), их производители покупателю не оставляют.

Рейтинги

Как уже было сказано выше, производительность 860 Evo можно было и снизить — все равно «в попугаях» он длиннее основных конкурентов. А если нужно еще больше «пернатых», охотиться за ними принято в других местах — снабженных другими интерфейсами, во всяком случае. Последний давно уже многое определяет — почему мы сразу и написали, что 860 Pro это в первую очередь не «про скорость». Во всяком случае, не про ту, которая интересна индивидуальному пользователю ПК.

Но, естественно, представители этой линейки отлично справятся и с такими нагрузками — просто для этого они избыточны. Равно как и гарантийный ресурс тоже совсем из другой области, но особо мнительным покупателям может пригодиться. А с точки зрения производительности и Evo вполне достаточно. В т. ч. и новой серии — где таковая немного снизилась, но все равно осталась заметно более высокой, чем у большинства конкурирующих разработок. Во всяком случае, в пределах класса — понятно, что смена интерфейса позволяет убрать некоторые узкие места (как минимум, в плане низкоуровневых характеристик), но это отдельная история.

Цены

В таблице приведены средние розничные цены протестированных сегодня SSD-накопителей, актуальные на момент чтения вами данной статьи:

Итого

В принципе, на какие-либо открытия мы не рассчитывали: Samsung, как уже было сказано в начале, имеет солидный опыт как разработки твердотельных накопителей в целом, так и использования (и производства, что особенно важно) 3D NAND TLC. По сути, компания просто обогнала конкурентов «на повороте»: о необходимости перехода на 3D NAND говорили все, но вот сам переход у большинства проходил с большими сложностями. Полученной форой в пару лет в Samsung распорядились правильным образом, в результате чего сейчас решения компании на базе TLC-памяти являются одними из лучших на рынке. И очень важно, что к настоящему моменту они даже могут считаться недорогими: из «среднего» класса линейка Evo постепенно спустилась в бюджетный, не растеряв попутно своих преимуществ.

При этом высокие объемы производства позволяют компании не забрасывать полностью MLC NAND. Конечно, эта память уже превратилась в нишевое решение, но ниша у нее однозначно есть. А при дальнейшем снижении цены она только расширится. И конечно, 860 Pro будет относительно популярен и у обычных пользователей, поскольку некоторые из них до сих пор настороженно относятся к TLC-памяти. Понятно, что за психологический комфорт им придется доплатить... Но с другой стороны, а за что еще стоит платить, как не за комфорт? :)

Таково положение на день сегодняшний. Что будет завтра — неизвестно. На полупроводниковом рынке безусловно нужно бежать, чтобы просто оставаться на месте, а чтобы куда-то попасть — бежать нужно вдвое быстрее. В скором будущем нас ожидают новые «повороты» в виде внедрения QLC NAND, а то и вовсе «не-NAND»-памяти. И кто из производителей справится с переходом в наилучшей степени, покажет только время. Пока же положению Samsung на рынке SSD никто серьезно не угрожает, и новые линейки накопителей целиком и полностью это подтверждают.

www.ixbt.com

Обзор Samsung 850 EVO второй версии: с 48-слойной TLC 3D V-NAND внутри

⇡#Методика тестирования

Тестирование проводится в операционной системе Microsoft Windows 10 Enterprise x64 Build 10586, корректно распознающей и обслуживающей современные твердотельные накопители. Это значит, что в процессе прохождения тестов, как и при обычном повседневном использовании SSD, команда TRIM поддерживается и активно задействуется. Измерение производительности выполняется с накопителями, находящимися в «использованном» состоянии, которое достигается их предварительным заполнением данными. Перед каждым тестом накопители очищаются и обслуживаются с помощью команды TRIM. Между отдельными тестами выдерживается 15-минутная пауза, отведённая для корректной отработки технологии сборки мусора. Во всех тестах используются рандомизированные несжимаемые данные.

Начиная с этого тестирования, мы приняли решение внести отдельные изменения в протокол проведения синтетических тестов с целью привести их в большее соответствие с современными сценариями работы с SSD. Размер раздела, в пределах которого тестируется скорость операций, теперь будет увеличен до 16 Гбайт, а продолжительность тестов будет составлять одну минуту при последовательных операциях  чтения и записи и полминуты — при случайных. Такие изменения, в частности, позволят получать более релевантные результаты для тех SSD, которые используют различные технологии SSD-кеширования.

Используемые приложения и тесты:

    • Iometer 1.1.0
      • Измерение скорости последовательного чтения и записи данных блоками по 256 Кбайт (наиболее типичный размер блока при последовательных операциях в десктопных задачах). Оценка скоростей выполняется в течение минуты, после чего вычисляется средний показатель.
      • Измерение скорости случайного чтения и записи блоками размером 4 Кбайт (такой размер блока используется в подавляющем большинстве реальных операций). Тест проводится дважды — без очереди запросов и с очередью запросов глубиной 4 команды (типичной для десктопных приложений, активно работающих с разветвлённой файловой системой). Блоки данных выравниваются относительно страниц флеш-памяти накопителей. Оценка скоростей выполняется в течение тридцати секунд, после чего вычисляется средний показатель.
      • Установление зависимости скоростей случайного чтения и записи при работе накопителя с 4-килобайтными блоками от глубины очереди запросов (в пределах от одной до 32 команд). Блоки данных выравниваются относительно страниц флеш-памяти накопителей. Оценка скоростей выполняется в течение тридцати секунд, после чего вычисляется средний показатель.
      • Установление зависимости скоростей случайного чтения и записи при работе накопителя с блоками разного размера. Используются блоки объёмом от 512 байт до 256 Кбайт. Глубина очереди запросов в течение теста составляет 4 команды. Блоки данных выравниваются относительно страниц флеш-памяти накопителей. Оценка скоростей выполняется в течение тридцати секунд, после чего вычисляется средний показатель.
      • Измерение производительности при смешанной многопоточной нагрузке и установление её зависимости от соотношения между операциями чтения и записи. Тест проводится дважды: для последовательных операцияй чтения и записи блоками объёмом 128 Кбайт, выполняемых в два независимых потока и для случайных операций с блоками объёмом 4 Кбайт, которые выполняются в четыре независимых потока. В обоих случаях соотношение между операциями чтения и записи варьируется с шагом 20 процентов. Оценка скоростей выполняется в течение тридцати секунд, после чего вычисляется средний показатель.
      • Исследование падения производительности SSD при обработке непрерывного потока операций случайной записи. Используются блоки размером 4 Кбайт и глубина очереди 32 команды. Блоки данных выравниваются относительно страниц флеш-памяти накопителей. Продолжительность теста составляет два часа, измерения моментальной скорости проводятся ежесекундно. По окончании теста дополнительно проверяется способность накопителя восстанавливать свою производительность до первоначальных величин за счёт работы технологии сборки мусора и после отработки команды TRIM.
    • CrystalDiskMark 5.1.2
      • Синтетический тест, выдающий типовые показатели производительности твердотельных накопителей, измеренные на 1-гигабайтной области диска «поверх» файловой системы. Из всего набора параметров, которые можно оценить с помощью этой утилиты, мы обращаем внимание на скорость последовательного чтения и записи, а также на производительность произвольных чтения и записи 4-килобайтными блоками без очереди запросов и с очередью глубиной 32 команды.
    • PCMark 8 Storage Benchmark 2.0
      • Тест, основанный на эмулировании реальной дисковой нагрузки, которая характерна для различных популярных приложений. На тестируемом накопителе создаётся единственный раздел в файловой системе NTFS на весь доступный объём, и в PCMark 8 проводится тест Secondary Storage 2.0. В качестве результатов теста учитывается как итоговая производительность, так и скорость выполнения отдельных тестовых трасс, сформированных различными приложениями.
    • Тесты реальной файловой нагрузки
      • Измерение скорости копирования директорий с файлами разного типа. Для копирования применяется стандартное средство Windows – утилита Robocopy, в качестве тестового набора используется рабочая директория, включающая офисные документы, фотографии и иллюстрации, pdf-файлы и мультимедийный контент общим объёмом 8 Гбайт.
      • Измерение скорости архивации файлов. Тест проводится с той же рабочей директорией, что и копирование, а в качестве инструмента для компрессии файлов избран архиватор 7-zip версии 9.22 beta. Для уменьшения влияния производительности процессора используется метод Deflate.
      • Исследование скорости разворачивания архива. Тест проводится с архивом, полученным при измерении скорости архивации.
      • Оценка скорости запуска игрового приложения. Измеряется производительность дисковой подсистемы при выполнении сценария, захваченного при запуске игры Far Cry 4 и загрузке в ней уровня с пользовательским сохранением. Для минимизации влияния производительности процессора и памяти все задержки, возникающие по их вине, из тестового сценария убраны.
      • Оценка скорости старта приложений, формирующих типичную рабочую пользовательскую среду. Измеряется производительность дисковой подсистемы при выполнении сценария, захваченного при запуске пакета приложений, который состоит из браузера Google Chrome, текстового редактора Microsoft Word, графического редактора Adobe Photoshop и видеоредактора Adobe Premiere Pro с рабочими файлами. Для минимизации влияния производительности процессора и памяти все задержки, возникающие по их вине, из тестового сценария убраны.

⇡#Тестовый стенд

В качестве тестовой платформы используется компьютер с материнской платой ASUS Maximus VIII Ranger, процессором Core i5-6600K со встроенным графическим ядром Intel HD Graphics 530 и 8 Гбайт DDR4-2133 SDRAM. Приводы с SATA-интерфейсом подключаются к контроллеру SATA 6 Гбит/с, встроенному в чипсет материнской платы, и работают в режиме AHCI. Используется драйвер Intel Rapid Storage Technology (RST) 14.8.0.1042.

Объём и скорость передачи данных в бенчмарках указываются в бинарных единицах (1 Кбайт = 1024 байт).

⇡#Список участников тестирования

Основная цель данного тестирования – сопоставление производительности первой и второй версий Samsung 850 EVO. Всё-таки версии этого SSD, в основе которых лежит TLC 3D V-NAND различных поколений, имеют слишком глубокие различия, из-за которых скорость их работы может серьёзно различаться. Причём не в пользу новой, второй версии 850 EVO, массив флеш-памяти которой имеет меньшую степень параллелизма. Однако, чтобы сделать тестирование более содержательным, мы включили в него и некоторые конкурирующие SSD лидеров рынка.

Для исследования мы взяли сразу две модификации Samsung 850 EVO – объёмом 250 и 500 Гбайт. Поэтому на диаграммах, иллюстрирующих полученные результаты, вы сможете найти показатели быстродействия SSD разной ёмкости – 240-256 и 480-512 Гбайт.

В итоге получился следующий перечень соперников:

      • Crucial MX200 250 Гбайт (CT250MX200SSD1, прошивка MU03);
      • Crucial MX200 500 Гбайт (CT500MX200SSD1, прошивка MU03);
      • Kingston HyperX Savage 240 Гбайт (SHSS37A/240G, прошивка SAFM00.r);
      • Kingston HyperX Savage 480 Гбайт (SHSS37A/480G, прошивка SAFM00.r);
      • Plextor M7V 256 Гбайт (PX-256M7VC, прошивка 1.01);
      • Plextor M7V 512 Гбайт (PX-512M7VC, прошивка 1.01);
      • Samsung 850 PRO 256 Гбайт (MZ-7KE256, прошивка EXM01B6Q);
      • Samsung 850 PRO 512 Гбайт (MZ-7KE256, прошивка EXM02B6Q);
      • Samsung 850 EVO v1 250 Гбайт (MZ-75E250, прошивка EMT02B6Q);
      • Samsung 850 EVO v1 500 Гбайт (MZ-75E250, прошивка EMT02B6Q);
      • Samsung 850 EVO v2 250 Гбайт (MZ-75E250, прошивка EMT02B6Q);
      • Samsung 850 EVO v2 500 Гбайт (MZ-75E250, прошивка EMT02B6Q).

На следующих диаграммах результаты оригинального 850 EVO будут помечаться как Samsung 850 EVO v1, вторая же версия этого накопителя, основанная на 48-слойной памяти, будет проходить под обозначением Samsung 850 EVO v2.

⇡#Производительность

Последовательные операции чтения и записи

Samsung не обманула. Несмотря на то, что в новой версии 850 EVO применяется флеш-память с крупными ядрами ёмкостью 256 Гбит, её производительность практически не отличается от того, что было раньше. Иными словами, увеличение скорости TLC 3D V-NAND третьего поколения пришлось как нельзя более кстати. Оно прекрасно компенсирует двукратное снижение параллелизма массива флеш-памяти. В конечном итоге при последовательных операциях первая и вторая версии Samsung 850 EVO демонстрируют очень похожее быстродействие. При чтении различия между накопителями одного и того же размера вообще находятся в рамках погрешности измерений, а при записи обновлённый 850 EVO чуть быстрее, но прибавка в скорости столь незначительна, что ею смело можно пренебречь.

⇡#Случайные операции чтения

Отсутствие явных отличий в производительности между различными версиями Samsung 850 EVO обнаруживается и при случайном чтении. Однако справедливости ради нужно заметить, что при формировании очереди запросов новый 850 EVO чуть медленнее старого, и особенно это касается модели с ёмкостью 250 Гбайт. Впрочем, отличие не выходит за пределы 3-4 процентов, что в мире SATA SSD совершенно незаметно.

Несмотря на то, что операции с глубокой очередью запросов для персональных компьютеров не характерны, мы всё же посмотрим, как зависит производительность рассматриваемого SSD от глубины очереди запросов при чтении 4-килобайтных блоков. Для того чтобы излишне не загромождать график, мы оставили на нём лишь модели накопителей с ёмкостью 240-256 Гбайт – именно на таком объёме различия версий Samsung 850 EVO проявляются наиболее сильно.

А вот тут картина уже более любопытна. С увеличением очереди запросов обновлённая версия Samsung 850 EVO начинает демонстрировать более явное отставание от старой, которое достигает максимума при глубине в 16 команд. Конечно, такая ситуация для реальных приложений совершенно нехарактерна, однако, как видно из графика, разница может достигать и 7-процентной величины.

В дополнение к этому предлагаем посмотреть, как зависит скорость случайного чтения от размера блока данных:

Здесь же увидеть хоть какие-то различия в производительности вариантов Samsung 850 EVO, основанных на 32-слойной и 48-слойной TLC 3D V-NAND, практически невозможно. И в сумме с результатами, полученными в других тестах ранее, это позволяет говорить о том, что более новая версия имеет минимальные отличия в скорости чтения.

⇡#Случайные операции записи

При записи случайно расположенных блоков скорость работы накопителей Samsung 850 EVO разных версий практически идентична. Если у них и есть какие-то различия в производительности массивов памяти, то здесь они сглаживаются технологией TurboWrite, которая у версий 850 EVO на разной TLC 3D V-NAND работает совершенно одинаково.

Однако при определённом желании у Samsung 850 EVO второй версии можно увидеть некоторые преимущества перед предшественником. Об этом, например, говорит график, показывающий зависимость скорости произвольной записи 4-килобайтными блоками от глубины очереди запросов:

На примере накопителей объёмом по 250 Гбайт хорошо видно, что при значительной глубине очереди запросов версия 850 EVO на 48-слойной памяти записывает данные немного быстрее. Уровень её превосходства составляет порядка 3-4 процентов.

Следующий график отражает зависимость производительности при случайной записи от размера блока данных.

Похожим образом ситуация складывается и при варьировании размеров блока. А это значит, что при записи вторая версия Samsung 850 EVO действительно чуть быстрее первой.

⇡#Смешанная нагрузка

По мере удешевления твердотельные накопители перестают использоваться в качестве исключительно системных и становятся обычными рабочими дисками. В таких ситуациях на SSD поступает не только рафинированная нагрузка в виде записи или чтения, но и смешанные запросы, когда операции чтения и записи инициируются разными приложениями и должны обрабатываться одновременно. Однако работа в дуплексном режиме для современных контроллеров SSD остаётся существенной проблемой. При смешивании операций чтения и записи в одной очереди скорость большинства твердотельных накопителей потребительского уровня заметно проседает. Это стало поводом для проведения отдельного исследования, в рамках которого мы проверяем, как работают SSD при необходимости обработки как последовательных, так и случайных операций, поступающих вперемежку. На следующей паре диаграмм мы приводим среднюю производительность, которая посчитана по данным шести измерений с разным соотношением количества операций чтения и записи.

Как следует из предыдущих результатов, при чтении новая версия Samsung 850 EVO стала чуть медленнее, при записи – чуть быстрее. Поэтому нет ничего удивительного в том, что в смешанных операциях различия между производительностью этих накопителей с разной памятью не превышают погрешности измерений.

Следующая пара графиков даёт более развёрнутую картину производительности при смешанной нагрузке, показывая зависимость скорости SSD от того, в каком соотношении приходят на него операции чтения и записи.

В целом Samsung 850 EVO первой и второй версии очень похожи по производительности. Однако разница всё-таки есть. Старый вариант, в котором используется 32-уровневая трёхмерная память, обеспечивает более высокую производительность в том случае, когда операции чтения преобладают над записью. И наиболее сильно этот эффект заметен в последовательной смешанной нагрузке. Накопитель с 48-слойной TLC 3D V-NAND ожидаемо отыгрывается при росте доли операций записи, но перелом наступает не при равном соотношений операций разного типа, а лишь тогда, когда операций чтения становится где-то вдвое меньше.

⇡#Деградация и восстановление производительности

Наблюдение за изменением скорости записи в зависимости от объёма записанной на диск информации — весьма важный эксперимент, позволяющий понять работу внутренних алгоритмов накопителя. В данном тесте мы загружаем SSD непрерывным потоком запросов на случайную запись 4-килобайтных блоков с очередью максимальной глубины и попутно следим за той производительностью, которая при этом наблюдается. На приведённом ниже графике в виде точек отмечены результаты измерений моментальной производительности, которые мы снимаем ежесекундно, а чёрная линия показывает среднюю скорость, наблюдаемую в течение 30-секундного интервала.

В характере поведения Samsung 850 EVO при длительной непрерывной нагрузке толком ничего не поменялось. Однако пару нюансов отметить всё-таки нужно. После того как объём непрерывно записанной информации переваливает через ёмкость SSD, средняя производительность у новых версий 850 EVO оказывается немножко ниже, чем была у SSD на базе 32-слойной TLC 3D V-NAND. Кроме того, несколько хуже, чем у предшественников, дело обстоит и со стабильностью скоростных параметров. Впрочем, все эти наблюдения имеют лишь теоретическую ценность, ведь многочасовые непрерывные операции записи – нагрузка, которая имеет место лишь в серверах, но никак не в настольных системах.

Что же действительно интересно, так это то, как в новых Samsung 850 EVO проявляется работа технологии SLC-кеширования TurboWrite. Её функционирование заметно на начальной части приведённых графиков, но давайте увеличим их и подробнее взглянем на то, что происходит с производительностью при наполнении псевдо-SLC-кеша.

Для наглядности результаты Samsung 850 EVO второй версии мы совместили с результатами предшественника, а на графике с 500-гигабайтными накопителями начало оси ординат сместили от нулевой отметки.

На графиках видно две принципиально различных ситуации. У 250-гигабайтных накопителей SLC-кеш объёмом 3 Гбайт позволяет на начальном этапе увеличивать скорости случайной записи. Его производительность у 850 EVO разных версий совершенно одинакова, но вот быстродействие основной части TLC 3D V-NAND немного различается. Несмотря на то, что массив памяти во второй версии Samsung 850 EVO имеет меньшую степень параллелизма и состоит всего из восьми устройств, его скорость оказывается немного выше. И это хорошо объясняет, почему на операциях записи обновлённый 850 EVO выигрывает у старого сородича: инженерам Samsung действительно удалось заметно увеличить производительность своей новой 48-слойной TLC 3D V-NAND.

В накопителях ёмкостью 500 Гбайт параллелизм массива флеш-памяти выше, поэтому SLC-кеширование практически не влияет на скорость случайной записи. Однако приведённый график вновь позволяет убедиться в том, что за пределами 6-гигабайтного кеша новая версия 850 EVO чуть быстрее старой.

Давайте посмотрим теперь, как у Samsung 850 EVO второй версии работает сборка мусора. Для исследования этого вопроса после завершения предыдущего теста, приводящего к деградации скорости записи, мы выжидаем 15 минут, в течение которых SSD может попытаться самостоятельно восстановиться за счёт сборки мусора, но без помощи со стороны операционной системы и команды TRIM, и замеряем быстродействие. Затем на накопитель принудительно подаётся команда TRIM — и скорость измеряется ещё раз, что позволяет убедиться в способности SSD с помощью TRIM полностью восстанавливать свою паспортную производительность.

И вновь мы видим, что никаких принципиальных изменений в поведении Samsung 850 EVO после того, как он был переведён на третье поколение трёхмерной флеш-памяти, не произошло. Накопители семейства возвращают себе первоначальную производительность после подачи на них команды TRIM, но собирать мусор во флеш-памяти полностью автономно, без какой-либо помощи со стороны операционной системы, они не умеют. Однако это совсем не страшно даже в том случае, когда они оказываются в средах без поддержки TRIM: спасает положение фирменная технология TurboWrite. SLC-кеш у Samsung 850 EVO освобождается вне зависимости от чего-либо во время любого бездействия, поэтому запись объёма информации, не превышающего размер SLC-кеша, будет происходить с высокой скоростью в совершенно любой ситуации.

⇡#Результаты в CrystalDiskMark

CrystalDiskMark — это популярное и простое тестовое приложение, работающее «поверх» файловой системы, которое позволяет получать результаты, легко повторяемые обычными пользователями. И то, что выдаёт этот бенчмарк, с качественной точки зрения обычно почти не отличается от показателей, которые были получены нами в тяжёлом и многофункциональном пакете Iometer.

 Было (32-слойная TLC 3D V-NAND)Стало (48-слойная TLC 3D V-NAND)
Samsung 850 EVO 250 Гбайт
Samsung 850 EVO 500 Гбайт

Результаты накопителей с разной памятью в CrystalDiskMark практически не различаются. И это неудивительно, ведь данный бенчмарк оперирует тестовым файлом небольшого объёма, поэтому все полученные здесь результаты характеризуют эффективность TurboWrite. А она, как мы уже убедились, в Samsung 850 EVO первой и второй версий функционирует совершенно одинаково.

⇡#Производительность в PCMark 8 Storage Benchmark 2.0

Тестовый пакет Futuremark PCMark 8 2.0 интересен тем, что он имеет не синтетическую природу, а напротив — основывается на том, как работают реальные приложения. В процессе его прохождения воспроизводятся настоящие сценарии-трассы задействования диска в распространённых десктопных задачах и замеряется скорость их выполнения. Текущая версия этого теста моделирует нагрузку, которая взята из реальных игровых приложений Battlefield 3 и World of Warcraft и программных пакетов компаний Adobe и Microsoft: After Effects, Illustrator, InDesign, Photoshop, Excel, PowerPoint и Word. Итоговый результат исчисляется в виде усреднённой скорости, которую показывают накопители при прохождении тестовых трасс. Обратите внимание –мы перешли на обновлённую версию дискового бенчмарка, появившуюся в начале 2016 года.

В целом вполне можно говорить о том, что накопители серии Samsung 850 EVO, основанные на новой 48-слойной TLC 3D V-NAND, сохранили присущую им лидирующую (среди SATA SSD) интегральную производительность. Однако верно это безо всяких оговорок скорее для старших вариантов ёмкости, начиная с 500 Гбайт и выше, где массив флеш-памяти имеет достаточную степень параллелизма. У модификации же объёмом 250 Гбайт показатель в PCMark 8 упал примерно на 5 процентов, что объясняется некоторым замедлением этого SSD после того, как ему была заменена память, на операциях чтения. Конечно, нельзя сказать, что это что-то принципиально меняет. Samsung 850 EVO 250 Гбайт всё равно остаётся высокопроизводительным SATA SSD высокого класса, однако нужно иметь в виду, что раньше данная модификация была чуть-чуть быстрее. Поэтому при возможности предпочтение стоит отдавать версии на базе TLC 3D-памяти второго, а не третьего поколения.

Интегральный результат PCMark 8 нужно дополнить и показателями производительности, выдаваемыми флеш-дисками при прохождении отдельных тестовых трасс, которые моделируют различные варианты реальной нагрузки. Дело в том, что при разной нагрузке флеш-приводы зачастую ведут себя немного по-разному.

⇡#Реальные сценарии нагрузки

Мы обновили набор используемых нами реальных сценариев, и теперь, помимо скорости работы SSD при копировании и архивации файлов, мы будем проверять также и скорость запуска с твердотельного накопителя игр и приложений. Новые тесты позволят нам делать выводы о том, насколько хорошо та или иная модель может справиться с ролью системного или даже единственного диска в составе ПК, на котором устанавливаются рабочие программы.

Как показали синтетические тесты, при смешанных операциях с примерно одинаковым соотношением между объёмами чтения и записи старая версия 850 EVO оказывается чуть быстрее. Полученный нами при измерении производительности копирования файлов результат как раз выступает жизненной иллюстрацией этого факта.

Очень похожая картина наблюдается и при других файловых операциях, выполняемых в пределах испытуемого накопителя. Впрочем, несмотря на это, Samsung 850 EVO ёмкостью 500 Гбайт остаётся одним из самых быстрых SATA SSD в нашем тесте.

Зато в случае нагрузки, возникающей при запуске игр и приложений, Samsung 850 EVO новой версии отличается от предшественника в пределах погрешности измерений, показывая неизменно высокое быстродействие и уступая в скорости лишь предложению премиального уровня в лице Samsung 850 PRO.

⇡#Тестирование выносливости

Результаты тестирования выносливости рассматриваемого накопителя приведены в отдельном специальном материале «Ресурсные испытания SSD».

⇡#Выводы

Samsung продолжает двигаться курсом на увеличение плотности хранения данных в NAND и активно развивает собственную трёхмерную память. Со второй половины прошлого года компания приступила к серийному производству уже третьего поколения TLC 3D V-NAND, в основу которого положен 48-слойный дизайн. Поскольку новая технология увеличивает плотность размещения ячеек флеш-памяти на единицу площади полупроводникового кристалла на величину до 60 процентов, её практическое применение очень выгодно, и совершенно неудивительно, что постепенно память третьего поколения проникает во всё новые и новые продукты.

Так, недавно 48-слойная флеш-память с трёхбитовой ячейкой пришла и в один из самых популярных твердотельных накопителей Samsung, 850 EVO, заменив в нём 32-слойную память прошлого поколения. По этому поводу не было сделано никаких анонсов: производитель посчитал, что изменение начинки не заслуживает привлечения внимания, так как почти не влияет на потребительские свойства, и просто начал поставлять модернизированную версию 850 EVO вместо старой. И она, кстати, уже повсеместно продаётся, в том числе и через российскую розницу.

Однако действительно ли произошедшая подмена не принесла с собой никаких неприятностей? Поверить в это достаточно тяжело, ведь 48-слойная TLC 3D V-NAND отличается от памяти второго поколения принципиально: размер устройств в ней увеличен до 256 Гбит, а её производство происходит по техпроцессу с заметно меньшей разрешающей способностью. Тем не менее проведённое практическое тестирование накопителей 850 EVO второй версии отметает все подобные сомнения. Samsung славится своим инженерным потенциалом не на пустом месте, и её разработчики действительно смогли добиться от обновлённого SSD очень близких со старой версией потребительских характеристик.

Как это ни удивительно, но производительность Samsung 850 EVO второй версии осталась практически на том же уровне, причём это касается даже модели ёмкостью 250 Гбайт с минимальным параллелизмом массива флеш-памяти. Да, временами мы замечали чуть снизившиеся скорости случайного чтения, но, во-первых, уменьшение быстродействия не превышает единиц процентов, а во-вторых, оно компенсируется симметричным увеличением скорости записи. Нет явных причин переживать и по поводу ухудшения надёжности. На новую версию продолжает распространяться пятилетняя гарантия, расчётный ресурс ячеек флеш-памяти остался равен 2000 циклов перезаписи, да и в практическом тесте выносливости Samsung 850 EVO показывает себя очень достойным хранилищем пользовательских файлов.

Иными словами, перевод Samsung 850 EVO на третье поколение TLC 3D V-NAND этот SSD совсем не испортил. Обновлённую версию 850 EVO можно продолжать рекомендовать к использованию в широком спектре персональных компьютеров. Ведь это, как и раньше, быстрый, надёжный и в то же время относительно недорогой SSD, производимый лидером рынка твердотельных накопителей исключительно из собственных компонентов.

И кстати, на цене стоит остановиться отдельно. Внедрение 48-слойной трёхмерной памяти мало повлияло на характеристики, но зато привело к заметному снижению себестоимости накопителя. А это значит, что Samsung заблаговременно подготовила оружие для конкурентной борьбы с перспективными продуктами на базе трёхмерной памяти авторства Intel-Micron, которые вот-вот должны появиться на рынке. Поэтому нет никаких сомнений, что 850 EVO ждёт ещё очень долгая жизнь. Причём эта модель в обновлённом виде не только продолжит оставаться привлекательным предложением, но и, вероятно, даже сможет задавать тон в следующем раунде ценовой войны.

Если Вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

3dnews.ru

Обзор SSD Samsung 850 EVO на базе 3D NAND: быстрый, долговечный, массовый

Тестирование проводится в операционной системе Microsoft Windows 8.1 Professional x64 with Update, корректно распознающей и обслуживающей современные твердотельные накопители. Это значит, что в процессе прохождения тестов, как и при обычном повседневном использовании SSD, команда TRIM поддерживается и активно задействуется. Измерение производительности выполняется с накопителями, находящимися в «использованном» состоянии, которое достигается их предварительным заполнением данными. Перед каждым тестом накопители очищаются и обслуживаются с помощью команды TRIM. Между отдельными тестами выдерживается 15-минутная пауза, отведённая для корректной отработки технологии сборки мусора. Во всех тестах, если не указано иное, используются рандомизированные несжимаемые данные.

Используемые приложения и тесты:

  1. Измерение скорости последовательного чтения и записи данных блоками по 256 Кбайт (наиболее типичный размер блока при последовательных операциях в десктопных задачах). Оценка скоростей выполняется в течение минуты, после чего вычисляется средний показатель.
  2. Измерение скорости случайного чтения и записи блоками размером 4 Кбайт (такой размер блока используется в подавляющем большинстве реальных операций). Тест проводится дважды — без очереди запросов и с очередью запросов глубиной 4 команды (типичной для десктопных приложений, активно работающих с разветвлённой файловой системой). Блоки данных выравниваются относительно страниц флеш-памяти накопителей. Оценка скоростей выполняется в течение трёх минут, после чего вычисляется средний показатель.
  3. Установление зависимости скоростей случайного чтения и записи при работе накопителя с 4-килобайтными блоками от глубины очереди запросов (в пределах от одной до 32 команд). Блоки данных выравниваются относительно страниц флеш-памяти накопителей. Оценка скоростей выполняется в течение трёх минут, после чего вычисляется средний показатель.
  4. Установление зависимости скоростей случайного чтения и записи при работе накопителя с блоками разного размера. Используются блоки объёмом от 512 байт до 256 Кбайт. Глубина очереди запросов в течение теста составляет 4 команды. Блоки данных выравниваются относительно страниц флеш-памяти накопителей. Оценка скоростей выполняется в течение трёх минут, после чего вычисляется средний показатель.
  5. Измерение производительности при смешанной многопоточной нагрузке и установление её зависимости от соотношения между операциями чтения и записи. Используются последовательные чтения и записи блоков объёмом 128 Кбайт, выполняемые в два независимых потока. Соотношение между операциями чтения и записи варьируется с шагом 10 процентов. Оценка скоростей выполняется в течение трёх минут, после чего вычисляется средний показатель.
  6. Исследование падения производительности SSD при обработке непрерывного потока операций случайной записи. Используются блоки размером 4 Кбайт и глубина очереди 32 команды. Блоки данных выравниваются относительно страниц флеш-памяти накопителей. Продолжительность теста составляет два часа, измерения моментальной скорости проводятся ежесекундно. По окончании теста дополнительно проверяется способность накопителя восстанавливать свою производительность до первоначальных величин за счёт работы технологии сборки мусора и после отработки команды TRIM.
  • CrystalDiskMark 3.0.3b Синтетический тест, выдающий типовые показатели производительности твердотельных накопителей, измеренные на 1-гигабайтной области диска «поверх» файловой системы. Из всего набора параметров, которые можно оценить с помощью этой утилиты, мы обращаем внимание на скорость последовательного чтения и записи, а также на производительность произвольных чтения и записи 4-килобайтными блоками без очереди запросов и с очередью глубиной 32 команды.
  • PCMark 8 2.0 Тест, основанный на эмулировании реальной дисковой нагрузки, которая характерна для различных популярных приложений. На тестируемом накопителе создаётся единственный раздел в файловой системе NTFS на весь доступный объём, и в PCMark 8 проводится тест Secondary Storage. В качестве результатов теста учитывается как итоговая производительность, так и скорость выполнения отдельных тестовых трасс, сформированных различными приложениями.
  • Тесты копирования файлов В этом тесте измеряется скорость копирования директорий с файлами разного типа, а также скорость архивации и разархивации файлов внутри накопителя. Для копирования используется стандартное средство Windows — утилита Robocopy, при архивации и разархивации — архиватор 7-zip версии 9.22 beta. В тестах участвует три набора файлов: ISO — набор, включающий несколько образов дисков c дистрибутивами программ; Program — набор, представляющий собой предустановленный программный пакет; Work — набор рабочих файлов, включающий офисные документы, фотографии и иллюстрации, pdf-файлы и мультимедийный контент. Каждый из наборов имеет общий объём файлов 8 Гбайт.

⇡#Тестовый стенд

В качестве тестовой платформы используется компьютер с материнской платой ASUS Z97-Pro, процессором Core i5-4590K со встроенным графическим ядром Intel HD Graphics 4600 и 16 Гбайт DDR3-2133 SDRAM. Диски с SATA-интерфейсом подключаются к контроллеру SATA 6 Гбит/с, встроенному в чипсет материнской платы, и работают в режиме AHCI. Используется драйвер Intel Rapid Storage Technology (RST) 13.2.4.1000.

Объём и скорость передачи данных в бенчмарках указываются в бинарных единицах (1 Кбайт = 1024 байт).

⇡#Участники тестирования

Учитывая позиционирование Samsung 850 EVO, в качестве соперников для них мы подобрали наиболее распространённые быстродействующие накопители других производителей из числа лидеров рынка.

Итого имеем следующий список протестированных моделей:

  • Crucial M550 256 Гбайт (CT256M550SSD1, прошивка MU02);
  • Crucial M550 512 Гбайт (CT512M550SSD1, прошивка MU02);
  • Crucial MX100 256 Гбайт (CT256MX100SSD1, прошивка MU01);
  • Crucial MX100 512 Гбайт (CT512MX100SSD1, прошивка MU01);
  • Samsung 850 Pro 256 Гбайт (MZ-7KE256, прошивка EXM01B6Q);
  • Samsung 850 EVO 250 Гбайт (MZ-75E250, прошивка EMT01B6Q);
  • Samsung 850 EVO 500 Гбайт (MZ-75E500, прошивка EMT01B6Q);
  • Samsung 840 EVO 250 Гбайт (MZ-7TE250, прошивка EXT0CB6Q);
  • Samsung 840 EVO 500 Гбайт (MZ-7TE500, прошивка EXT0CB6Q);
  • SanDisk Extreme PRO 240 Гбайт (SDSSDXPS-240G, прошивка X21000RL);
  • Intel SSD 730 240 Гбайт (SSDSC2BP240G4, прошивка L2010410);
  • Intel SSD 730 480 Гбайт (SSDSC2BP480G4, прошивка L2010410).

⇡#Производительность

⇡#Последовательные операции чтения и записи

Скорость последовательного чтения новинки вызывает лишь положительные эмоции. Сочетание TLC V-NAND и восьмиканального контроллера Samsung MGX позволяет выжать из SATA-интерфейса максимум: показатели производительности Samsung 850 EVO в этом случае упираются в пропускную способность интерфейса и не ограничиваются никакими внутренними барьерами.

А вот с последовательной записью ситуация складывается не столь однозначно. Полутерабайтный накопитель, благодаря высокой степени параллелизма флеш-памяти, оказывается в верхней части диаграммы. Фактически по скорости последовательной записи он аналогичен Samsung 850 Pro, и это — просто блестящий показатель. Но, к сожалению, столь же впечатляющим быстродействием версия Samsung 850 EVO 250 Гбайт похвастать не может. В ней контроллер может пользоваться лишь вдвое меньшим чередованием устройств в своих каналах, поэтому в этом случае нам приходится сталкиваться с несколько ограниченной производительностью. Причём не выручает и технология TurboWrite: у рассматриваемого SSD объёмом 250 Гбайт объём SLC-кеша составляет 3 Гбайт, а наш тест записи оперирует заметно большими объёмами данных. В результате 250-гигабайтная модификация 850 EVO оказывается лишь чуть быстрее предшествующей модели, 840 EVO, и заметно отстаёт от флагманских флеш-приводов других производителей, сравниваясь по скорости только с теми медлительными четвертьтерабайтными накопителями, которые основываются на MLC флеш-памяти с 128-гигабитными ядрами.

⇡#Случайные операции чтения

Скорость случайного чтения — это именно тот показатель производительности современных SSD, улучшения которого с нетерпением ждут многие энтузиасты. С одной стороны, значительная часть операций в современных дисковых системах имеет именно случайную природу, а с другой — скорость обработки случайных запросов не ограничивается полосой пропускания интерфейсов. Однако несмотря на всё это, в последних SSD этот аспект производительности практически не изменялся, и мы уж было решили, что прогресс на данном направлении остановился совсем. Но новый Samsung 850 EVO, начинённый контроллером MGX, показал нам, что потенциал SATA SSD далеко не исчерпан. Обе модели 850 EVO улучшили скорость произвольных операций по сравнению с достигнутыми ранее пределами. Особенно впечатляюще выступила полутерабайтная модификация: она оторвалась от SSD других производителей на 10-15 процентов.

Подтвердить это можно следующим графиком, на котором показано, как зависит производительность рассматриваемых SSD от глубины очереди запросов при чтении 4-килобайтных блоков. Чтобы не загромождать такой график, мы поместили на него лишь результаты наиболее производительных представителей в каждой линейке SSD.

Лидерство Samsung 850 EVO проявляется при любой глубине очереди запросов, кроме максимальной. Но если учесть, что столь длинная очередь при десктопной нагрузке практически никогда не формируется, можно считать, что 850 EVO — это один из лидирующих SSD сегодняшнего дня по скорости чтения.

В дополнение к этому предлагаем посмотреть, как зависит скорость случайного чтения от размера блока данных:

Любопытно, что тут складывается уже не столь однозначная картина. Samsung 850 EVO, несомненно, выигрывает у конкурентов при произвольном чтении данных небольшими блоками. Если же размер блока превышает 16 Кбайт, то рассматриваемый SSD уже не может похвастать лидирующим быстродействием. А с блоками размером 256 Кбайт вообще возникает какая-то странная проблема: имеет место кратное снижение производительности относительно ожидаемого уровня. Иными словами, хотя Samsung 850 EVO и выглядит привлекательно в большинстве тестов чтения, изъяны в его быстродействии можно найти и при операциях данного типа. Хочется надеяться, что в будущих версиях прошивок инженеры Samsung уделят внимание их устранению.

⇡#Случайные операции записи

Несмотря на то, что в основе Samsung 850 EVO лежит не самая быстрая трёхбитовая флеш-память, благодаря технологии TurboWrite его скорость случайной записи при отсутствии очереди запросов находится на хорошем уровне. Однако увеличение глубины очереди опускает показатели 850 EVO на диаграмме вниз. И уже при длине очереди в 4 команды результаты рассматриваемых накопителей на фоне конкурирующих SSD кажутся достаточно средненькими.

Целиком же зависимость скорости произвольной записи 4-килобайтными блоками от глубины очереди запросов выглядит следующим образом:

Ничего неожиданного: с точки зрения скоростей чтения Samsung 850 EVO — достаточно средний накопитель, и от глубины очереди запросов тут ничего не зависит.

Следующий график отражает зависимость производительности случайных операций записи от размера блока данных.

Как при чтении, так и при записи Samsung 850 EVO демонстрирует свою плохую оптимизацию для случайных операций с блоками крупного размера. Если размер блоков, которыми происходит запись, превышает 4 Кбайт, рассматриваемая новинка отстаёт от всех участвующих вместе с ней в тестировании конкурентов. Несмотря на то, что 850 EVO очень порадовал нас при случайном чтении небольшими блоками, идеальной модели SSD из него всё-таки не получается.

⇡#Смешанная нагрузка

Тестирование смешанной нагрузки — относительно новое добавление в нашу методику испытаний SSD. По мере удешевления твердотельные накопители перестают использоваться в качестве исключительно системных и становятся обычными рабочими дисками. В таких ситуациях на SSD поступает не только рафинированная нагрузка в виде записи или чтения, но и смешанные запросы, когда операции чтения и записи инициируются разными приложениями и должны обрабатываться одновременно.

Однако работа в дуплексном режиме для современных контроллеров SSD остаётся существенной проблемой. При смешивании операций чтения и записи в одной очереди скорость большинства твердотельных накопителей потребительского уровня заметно проседает. Это стало поводом для проведения отдельного исследования, в рамках которого мы проверяем, как работают SSD при необходимости обработки последовательных операций, поступающих вперемежку. Следующая диаграмма демонстрирует наиболее характерный для десктопов случай, когда соотношение количества операций чтения и записи составляет 4 к 1.

Лучшую производительность при смешанной нагрузке традиционно выдают накопители, в основе которых лежат контроллеры Marvell. Инженеры Samsung, разрабатывающие собственную линейку контроллеров, по эффективности работы с разнородными операциями пока не смогли приблизиться к достижениям их коллег. Соответственно, хотя Samsung 850 EVO при нагрузке из смешанных операций и стали значительно лучше предшественников, до лучших SSD компании Crucial они не дотягивают.

Следующий график даёт более развёрнутую картину производительности при смешанной нагрузке, показывая зависимость скорости SSD от того, в каком соотношении приходят на него операции чтения и записи.

Приведённый график хорошо иллюстрирует всё сказанное выше. Samsung 850 EVO — не лучший вариант для работы при смешанных нагрузках. Тем не менее его результаты вполне конкурентоспособны. Скорость каждой новой модели флеш-приводов Samsung при смешанной нагрузке улучшается, и 850 EVO здесь превосходит как 840 EVO, так и 850 Pro.

⇡#Деградация и восстановление производительности

Наблюдение за изменением скорости записи в зависимости от объёма записанной на диск информации — весьма важный эксперимент, позволяющий понять работу внутренних алгоритмов накопителя. В данном тесте мы загружаем SSD непрерывным потоком запросов на случайную запись 4-килобайтных блоков и попутно следим за той производительностью, которая при этом наблюдается. На приведённом ниже графике в виде точек отмечены результаты измерений моментальной производительности, которые мы снимаем ежесекундно, а чёрная линия показывает среднюю скорость, наблюдаемую в течение 30-секундного интервала.

В целом, если не акцентироваться на деталях, накопители Samsung 850 EVO объёмом 250 и 500 Гбайт демонстрируют вполне типичную зависимость производительности от объёма непрерывно записываемых данных. До тех пор, пока полный объём SSD не будет однократно заполнен информацией, обе модели показывают достаточно высокий уровень быстродействия. Для 250-гигабайтного накопителя это порядка 74 тысяч IOPS, а для модели на 500 Гбайт, которая обладает большей степенью внутреннего параллелизма, это 89 тысяч IOPS. После же исчерпания пула свободных страниц флеш-памяти, когда контроллеры сталкиваются с необходимостью предварительно освобождать флеш-память перед записью, производительность ожидаемо снижается. И к окончанию нашего двухчасового теста мы наблюдаем в разы меньшее быстродействие — на уровне 10-20 тысяч IOPS. В этом нет ничего необычного: таким образом работают все потребительские твердотельные накопители. Отметим разве только тот факт, что Samsung 850 EVO отличается очень хорошим постоянством производительности — разброса в результатах, показанных в близкие моменты времени, практически нет. А это значит, что эти накопители будут хорошо работать и в тех применениях, когда предсказуемость темпа обработки запросов имеет большое значение, например в RAID-массивах.

Обратим внимание и ещё на одну особенность приведённых графиков: производительность Samsung 850 EVO 250 Гбайт при записи нескольких первых гигабайтов данных выше, чем при последующих операциях. В самом начале графика можно увидеть результаты на уровне 89 тысяч IOPS, и это — проявление работы технологии TurboWrite, которая ускоряет операции записи за счёт их кеширования в псевдо-SLC-памяти. Для того чтобы рассмотреть её эффект более подробно, мы увеличили начальные части приведённых выше графиков и поместили их на общую координатную сетку.

С поведением Samsung 850 EVO 250 Гбайт всё понятно: объём его TurboWrite-кеша составляет 3 Гбайт, и ровно такой объём данных удаётся записать с более высокой производительностью. А вот у Samsung 850 EVO 500 Гбайт никакого скоростного эффекта от кеширования не заметно, хотя в этом накопителе SLC-кеш тоже есть, и его объём равен 6 Гбайт. Получается, что используемое в этом случае контроллером MGX четырёхкратное чередование устройств в каждом канале позволяет получить максимально возможную производительность и при прямой записи в TLC V-NAND. Это, кстати, хорошо иллюстрирует более высокое быстродействие трёхмерной TLC-памяти по сравнению с планарной предшественницей. В модели Samsung 840 EVO влияние кеша отчётливо проявлялось и в 500-гигабайтной модификации накопителя. Возникает лишь вопрос, а нужна ли технология TurboWrite в 850 EVO полутерабайтной и терабайтной ёмкости вообще. И ответ на этот вопрос положительный, ведь SLC-кеширование помогает не только увеличить быстродействие: оно же, благодаря консолидации разрозненных запросов, снижает коэффициент усиления записи и продлевает время жизни TLC-ячеек. То есть высокий ресурс Samsung 850 EVO, как и пятилетняя гарантия на него, — это тоже заслуга технологии TurboWrite.

Всё, что было изображено на приведённых выше графиках зависимости производительности от объёма записанных данных, — синтетическая ситуация, интересная лишь для изучения особенностей контроллера, но не иллюстрирующая поведение SSD в реальной жизни. Что же действительно важно, так это то, как после наблюдаемой нами деградации происходит восстановление производительности до первоначальных величин. Для исследования этого вопроса после завершения теста, приводящего к деградации скорости записи, мы выжидаем 15 минут, в течение которых SSD может попытаться самостоятельно восстановиться за счёт сборки мусора, но без помощи со стороны операционной системы и команды TRIM, и замеряем скорость. Затем на накопитель принудительно подаётся команда TRIM — и скорость измеряется ещё раз.

Было бы странно увидеть у Samsung 850 EVO какие-то проблемы с обработкой команды TRIM. Хоть в основе этого накопителя и лежит новый контроллер MGX, у Samsung TRIM всегда работал так, как и должен. И рассматриваемые SSD исключением не являются. Аналогичным образом Samsung 850 EVO, как и все предыдущие флеш-накопители этого производителя, так и не научился выполнять сборку мусора в случае, если команда TRIM операционной системой на него не подаётся. Правда, сегодня это уже вряд ли можно считать сколь-нибудь существенным недостатком. В современных ОС TRIM поддерживается почти всегда.

Кроме того, не забывайте, что технология TurboWrite с TRIM и сборкой мусора никак не связана. Поэтому псевдо-SLC-кеширование приходит на помощь даже тогда, когда команда TRIM на привод не подаётся и флеш-память упреждающе не освобождается. А это значит, что записать на Samsung 850 EVO с высокой скоростью объём информации, не превышающий размер SLC-кеша, вы сможете независимо ни от чего.

⇡#Результаты в CrystalDiskMark

CrystalDiskMark — это популярное и простое тестовое приложение, работающее «поверх» файловой системы, которое позволяет получать результаты, легко повторяемые обычными пользователями. И то, что выдаёт этот бенчмарк, с качественной точки зрения почти не отличается от показателей, которые были получены нами в тяжёлом и многофункциональном пакете Iometer.

Простые синтетические тесты вроде CrystalDiskMark хороши тем, что они оперируют небольшими объёмами данных, и на их примере можно убедиться в эффективности работы технологии TurboWrite. Фактически все операции записи, которые инициирует этот бенчмарк, успешно кешируются в SLC-области. Благодаря этому Samsung 850 EVO ёмкостью 250 и 500 Гбайт выдают здесь примерно одинаковые результаты. И результаты эти способны произвести очень хорошее впечатление. Фактически скорости последовательных операций, а также скорости случайных операций без очереди запросов в CrystalDiskMark у 850 EVO превышают показатели других SSD, а производительность конвейеризуемых произвольных операций находится на одном уровне с флагманскими накопителями других производителей. Иными словами, с точки зрения CrystalDiskMark, Samsung 850 EVO — один из лучших SSD, представленных на прилавках магазинов.

⇡#PCMark 8 2.0, реальные сценарии использования

Тестовый пакет Futuremark PCMark 8 2.0 интересен тем, что он имеет не синтетическую природу, а напротив — основывается на том, как работают реальные приложения. В процессе его прохождения воспроизводятся настоящие сценарии-трассы задействования диска в распространённых десктопных задачах и замеряется скорость их выполнения. Текущая версия этого теста моделирует нагрузку, которая взята из реальных игровых приложений Battlefield 3 и World of Warcraft и программных пакетов компаний Abobe и Microsoft: After Effects, Illustrator, InDesign, Photoshop, Excel, PowerPoint и Word. Итоговый результат исчисляется в виде усреднённой скорости, которую показывают накопители при прохождении тестовых трасс.

После того как мы убедились в том, что Samsung 850 EVO может похвастать хорошей производительностью на распространённых операциях чтения, совершенно логично рекомендовать этот SSD для использования в роли системного диска. Результаты PCMark 8 это подтверждают. При тестировании в сценариях, моделирующих работу в распространённых приложениях, Samsung 850 EVO занимает лидирующие места. Рассматриваемые SSD отстают лишь от Intel 730 ёмкостью 480 Гбайт, но зато опережают многие флагманские накопители, которыми мы восхищались ранее: Samsung 850 Pro, Crucial M550 и SanDisk Extreme Pro.

Интегральный результат PCMark 8 нужно дополнить и показателями производительности, выдаваемыми флеш-дисками при прохождении отдельных тестовых трасс, которые моделируют различные варианты реальной нагрузки. Дело в том, что при разной нагрузке флеш-приводы зачастую ведут себя немного по-разному.

Преимущество Samsung 850 EVO нельзя назвать подавляющим. В ряде сценариев он отстаёт от конкурирующих SSD, а в других — демонстрирует малозаметное превосходство в скорости. Однако не стоит забывать, что 850 EVO при этом позиционируется Samsung совсем не как флагманский накопитель, а как модель среднего или даже нижнего ценового диапазона.

⇡#Копирование файлов

Имея в виду, что твердотельные накопители внедряются в персональные компьютеры всё шире и шире, мы решили добавить в нашу методику измерение производительности при обычных файловых операциях — при копировании и работе с архиваторами, — которые выполняются «внутри» накопителя. Это — типичная дисковая активность, возникающая в том случае, если SSD исполняет роль не системного накопителя, а обычного диска.

500-гигабайтная модификация Samsung 850 EVO при копировании файлов может похвастать очень хорошей производительностью, что ещё раз подтверждает тот факт, что TLC V-NAND обладает вполне достаточной для современного твердотельного накопителя скоростью, если она работает в восьмиканальном режиме с четырёхкратным чередованием чипов. Модель же 850 EVO ёмкостью 250 Гбайт довольствуется лишь двукратным чередованием и потому способна обеспечить при копировании файлов гораздо худшую скорость, проигрывая многим популярным SSD.

Вторая группа тестов проведена при архивации и разархивации директории с рабочими файлами. Принципиально отличие этого случая заключается в том, что половина операций выполняется с разрозненными файлами, а вторая половина — с одним большим файлом архива.

Здесь ситуация примерно такая же: Samsung 850 EVO 500 Гбайт занимает на диаграммах первое место. Модель же ёмкостью 250 Гбайт отстаёт от него примерно на 10 процентов, что приводит к её проигрышу Samsung 850 Pro и SanDisk Extreme Pro. Тем не менее тестирование в реальных сценариях использования и при копировании файлов показывает, что Samsung 850 EVO относится к числу самых быстрых современных SSD и имеет полное право занимать место в ряду флагманов, а не в ряду бюджетных твердотельных накопителей.

⇡#Выводы

Компания Samsung заняла одно из ведущих мест на рынке потребительских твердотельных накопителей не просто так. Собственные производственные мощности и талантливая инженерная команда позволяют ей создавать интересные новаторские продукты, которые сильно отличаются от всего того, что предлагают конкуренты. И рассмотренный сегодня Samsung 850 EVO является прекрасной тому иллюстрацией. Скомбинировав в этом SSD технологии трёхбитовой TLC-памяти и трёхмерной V-NAND, Samsung смогла обойти все классические недостатки TLC NAND и создала такой накопитель, который по своему ресурсу записи превосходит многие флеш-приводы, построенные на MLC NAND. Иными словами, в руках инженеров Samsung аббревиатура TLC перестала быть диагнозом: Samsung 850 EVO, построенный на TLC V-NAND, стоит рассматривать как вполне долговечный и быстродействующий накопитель, который можно противопоставлять в том числе и флагманским SSD других производителей.

Хотя Samsung 850 EVO и является идеологическим последователем модели 840 EVO, теперь в нём всё сделано по-другому. Флеш-память вышла на качественно новый уровень, архитектура контроллера переделана, и в результате мы имеем завидный твердотельный накопитель. Не так давно мы хвалили Samsung 850 Pro, говоря о том, что это — лучший SATA SSD сегодняшнего дня. Но Samsung 850 EVO, как показали наши тесты, почти не уступает ему в производительности, зато имеет куда более удобоваримую стоимость. Фактически, благодаря технологии TLC V-NAND, из Samsung 850 EVO получилась флагманская модель с высокой производительностью, превосходной выносливостью и ценой, характерной для накопителей-середнячков. И это делает его очень выгодной покупкой.

Таким образом, современный модельный ряд потребительских SATA SSD компании Samsung оказывается сформированным из двух моделей. Премиальная модель 850 Pro ориентирована на тех энтузиастов, которым нужна лидирующая производительность и экстраординарная надёжность, а 850 EVO в то же время предлагает отличную производительность и хорошую надёжность по более низкой цене. А это значит, что если вы подыскиваете себе SSD для обычной десктопной системы, то Samsung 850 EVO — прекрасный выбор.

Однако ко всему сказанному в последних двух абзацах следует приплюсовать одно важное замечание, которое несколько снижает привлекательность серии Samsung 850 EVO. Дело в том, что справедливо это в первую очередь для тех версий данного SSD, которые содержат как минимум 32 ядра флеш-памяти. То есть лидирующая производительность характерна только для моделей ёмкостью 500 Гбайт и 1 Тбайт. Менее же ёмкие вариации Samsung 850 EVO могут похвастать хорошей скоростью записи лишь при работе с небольшими объёмами данных, которые помещаются в псевдо-SLC-кеш. А это значит, что модели объёмом 120 и 250 Гбайт будут интересны в качестве системных накопителей, обычный сценарий взаимодействия с которыми состоит в первую очередь из операций чтения. Роль же обычных рабочих дисков, подвергаемых разнородным нагрузкам, они сыграют не столь блестяще.

Тем не менее появление на рынке модели, подобной Samsung 850 EVO, способно ознаменовать начало очередного раунда ценовой войны. Используемая в основе этого SSD трёхбитовая TLC V-NAND имеет более низкую себестоимость, чем недорогая MLC NAND, выпущенная по современным техпроцессам. Поэтому, вполне вероятно, цены на 850 EVO будут бойко дрейфовать в сторону понижения. И в этом случае конкурентам Samsung волей-неволей придётся прибегать к ответному снижению цен, так как, объективно говоря, по многим потребительским качествам 850 EVO явно лучше подавляющего большинства прочих SATA SSD нижней и средней ценовой категории.

Если Вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

3dnews.ru

Тестирование SSD Intel 545s, Samsung 850 Evo, 860 Evo и 860 Pro, SanDisk Ultra 3D, Silicon Power Velox V85 и WD Blue 3D по обновленной методике

Методика тестирования накопителей образца 2018 года

Начать процесс тестирования накопителей по обновленной методике мы решили с того, чем закончили использование ее предыдущей версии — семью накопителями с SATA-интерфейсом и емкостью порядка 500 ГБ. В числе прочего это позволит желающим поискать различия между поведением устройств на старом и новом стендах и провести параллели между тестированиями по разным методикам. Одно новое устройство среди испытуемых присутствовать будет, но совсем уж незнакомым его назвать сложно, если вообще возможно. Впрочем, обо всем по порядку.

Intel 545s 512 ГБ

Накопители этого семейства мы тестировали в декабре прошлого года. На данный момент именно они являются чуть ли не единственными потребительскими версиями SSD компании с интерфейсом SATA — в Intel считают, что время NVMe давно настало, причем компания делает все возможное, чтобы таковые устройства перестали восприниматься как нечто дорогое и экзотическое. Впрочем, поставки для модернизации старых компьютеров никто не отменял, да и многодисковую СХД зачастую удобнее собирать именно на SATA-накопителях (линий PCIe в современной настольной системе временами не хватает), так что жизнь 545s предполагается долгой. И расширение семейства продолжается — в частности в конце прошлого года начались поставки модификации на 1024 ГБ, а со временем обещано и как минимум еще одно удвоение емкости. Но мы сегодня повторно протестируем накопитель на 512 ГБ. Набраны они при помощи 64-слойной 3D NAND TLC совместного производства Intel и Micron, причем чипами по 256 Гбит. Все это обслуживается недорогим контроллером Silicon Motion SM2259, которому в работе «помогает» 512 МБ DDR3L. Словом, типичное недорогое по исполнению устройство, имеющее, тем не менее, далеко не самую низкую розничную цену. С другой стороны, Intel предоставляет на этот накопитель пятилетнюю гарантию с неплохим ограничением на полный объем записанных данных: 288 ТБ. Учитывая это, полноценными конкурентами данных продуктов на рынке являются разве что накопители Samsung нового семейства 860 Evo, к которым (а также их родственникам) мы и переходим.

Samsung V-NAND SSD 850 Evo 500 ГБ

Samsung V-NAND SSD 860 Evo 500 ГБ

Samsung V-NAND SSD 860 Pro 512 ГБ

Подробно об истории твердотельных накопителей Samsung вообще и этих линейках в частности мы рассказывали совсем недавно, так что обойдемся лишь кратким перечислением основных моментов. Серия 850 Evo — первый продукт компании на базе 32-слойной 3D NAND TLC (или как ее называет разработчик «3-bit MLC») собственного производства, появившийся три года назад. Позднее в накопителях пару раз менялась память, так что тестируемый нами экземпляр использует уже 64-слойную память с кристаллами по 256 Гбит в комплексе с контроллером MGX (также собственной разработки) и DRAM-буфером типа LPDDR3 емкостью 512 МБ.

Со временем эти накопители из продажи исчезнут по мере исчерпания запасов, поскольку на смену им идет 860 Evo — с усовершенствованным контроллером, способным, в частности, работать с большим размером SLC-кэша. Заодно и гарантийные ограничения были смягчены: гарантия осталась пятилетней, но полный объем записанных данных теперь не должен превышать 300 ТБ, а не всего 150 ТБ как ранее. Но не обошлось и без ложки дегтя — память в этих устройствах аналогичная во всем, кроме размеров кристалла: он увеличен с 256 до 512 Гбит, что (и это мы уже видели) в некоторых случаях приводит к определенным потерям производительности. На что можно и не обращать внимания — все равно SSD Samsung являются одними из самых быстрых на рынке, а реальные прикладные программы пока еще неспособны полностью загрузить работой и «медленные».

860 Pro же — устройство вообще без компромиссов: в нем используется двухбитная MLC-память с кристаллами по 256 Гбит. Соответственно, вопросов к быстродействию накопителя в принципе не возникает — это лучшее, что можно получить, не меняя интерфейс (или не меняя принципиально тип используемой памяти, но все равно вряд ли кто-то из производителей «не NAND» станет применять таковую совместно с SATA). И ограничение полный объем записанных данных для соблюдения условий гарантии (длиной все те же пять лет) составляет беспрецедентные (в этом классе) 600 ТБ. Разумеется, ничто не дается бесплатно — особенно если использовать дорогую память :) Но, хотя бы, принципиальная возможность приобрести 860 Pro есть у каждого — в то время, как большинство производителей накопителей на MLC уже не производят. Либо ограничиваются старыми разработками...

Silicon Power Velox V85 480 ГБ

В частности, как в данном случае. Причем уже в первом обзоре данной модели мы прямо писали, что интересна она нам в первую очередь не сама по себе, а как иллюстрация поведения до сих пор встречающейся на рынке связки из 15-нанометровой «планарной» MLC-памяти Toshiba и контроллера Phison PS3110-S10. Тем более, что почти все такие накопители (за исключением разве что продукции компании Kingston) производятся непосредственно по заказу Phison и в одних и тех же местах, так что, независимо от конкретной торговой марки, могут быть интересны страдающим «TLC-фобией», но не желающим слишком много платить за избавление от нее :)

Впрочем, если без шуток, то обходить вниманием хорошо знакомую многим и некогда достаточно популярную платформу нам просто не хотелось.

SanDisk Ultra 3D 500 ГБ

WD Blue 3D 500 ГБ

Эти продукты (со вторым из них мы уже знакомы) имеет смысл рассматривать именно парой — слишком много у них общего. Точнее, почти нет различий: WD в свое время как раз для выхода на рынок флэш-памяти и поглотила SanDisk. Но оба бренда продолжают использоваться параллельно — хотя бы из-за того, что за время самостоятельной работы обе компании успели обзавестись собственными каналами продаж. С технической же точки зрения оба накопителя можно считать одним и тем же устройством, построенным на базе контроллера Marvell 88SS1074 и 64-слойных кристаллов флэш-памяти BiCS 3D NAND TLC совместного производства SanDisk и Toshiba. Условия гарантии тоже были до последнего времени одинаковыми: три года при ограничении TBW в 200 ТБ (для данной емкости). Фактически все, что немного отличается — прошивки: X61110RL и X61130WD соответственно (несложно догадаться — где какая), хотя и тут, вполне возможно, все ограничивается только названием. Как и в общем случае, где к нему добавляются дизайн и каналы поставок. Впрочем, в рознице эти устройства легко могут оказаться на соседних полках одного и того же магазина, причем по разной цене, что делает выбор особенно интересным :) Во всяком случае, если в плане исполнения гарантийных обязательств ориентироваться непосредственно на магазин — «в случае чего» дальнейшие действия покупателя будут немного разными, поскольку и обращаться нужно будет по разным адресам. Да и вообще в настоящее время запущена программа по переводу Blue 3D на пятилетний гарантийный срок, а вот что будет с Ultra 3D — информации у нас пока нет. Скорее всего, произойдут с линейкой аналогичные изменения, но, возможно, что продукты «разойдутся» по этому параметру. Что же касается скоростных характеристик, то мы их сравним напрямую, воспользовавшись подходящим случаем.

Тестирование

Методика тестирования

Методика подробно описана в отдельной статье. Там можно познакомиться с используемым аппаратным и программным обеспечением.

Производительность в приложениях

В принципе, как уже не раз было отмечено, в условиях, максимально приближенных к реальности никакой твердотельный накопитель «узким местом» в системе не будет, так что и результаты этого теста у всех примерно одинаковые.

Потенциальные же возможности устройств различаются чуть заметнее — даже в одном классе. Но они именно потенциальные — это могло бы иметь значение при уменьшении роли других компонентов системы. Однако для достижения подобного эффекта придется как минимум переписать все программное обеспечение в расчете на наличие у пользователя «быстрого» накопителя, а не винчестера. А произойдет это не ранее, чем первые начнут преобладать на рынке, причем не только в новых системах. В общем, не сегодня и не завтра.

Пока же наблюдаются иные тенденции — предыдущая версия пакета, использующая трассы более «старых» приложений, как видим, «находила» между испытуемыми чуть больше различий. Впрочем, это может быть связано и с тем, что для того ПО уже излишне избыточным является используемое нами аппаратное окружение. Но от этого не легче: для решения «легких» задач не требуется и мощный компьютер, а «слабый» потенциальную разницу и скомпенсирует.

Последовательные операции

При обновлении тестовой методики мы увеличили используемый в этой программе объем данных с 1 до 16 ГБ, после чего выяснилось, что Silicon Motion SM2259 в таких условиях можно и «завалить» многопоточной нагрузкой, так что уже он сам перестанет справляться с данными, несмотря на продвинутый подход к SLC-кэшированию. Понятно, что это чистая синтетика — но остальные с ней справляются намного лучше. Как это им поможет в более реальных условиях — посмотрим чуть позже.

Случайный доступ

Для SATA-устройств разницы между двумя «старшими» режимами нет, поскольку очередь команд при использовании протокола AHCI в любом случае ограничена 32 штуками (так что два их в основном для устройств других типов). В целом же выше «точки насыщения» получаем, фактически, соревнование контроллеров: Silicon Motion похуже справляется с чтением, Marvell — с записью данных.

На более коротких (и более приближенных к реальности) очередях различия между испытуемыми немного сглаживаются, зато небольшие расхождения уже могут появиться и под влиянием прошивки и/или конкретных чипов памяти.

Впрочем, давно уже ни для кого не является секретом, что разнообразные «многопоточные иопсы» — чисто синтетическая нагрузка, тестирование в которой интересно только как самоцель: сравнить друг с другом разные накопители. Поскольку как-то же их надо сравнивать, а тесты приложений обычно упираются в совсем другие компоненты системы ;) Во всяком случае, когда речь идет о типовом персональном компьютере, где типичными вообще являются операции чтения разными блоками и с единичной очередью команд. Хорошо еще, если хотя бы «единичная» получается — на деле производительности любого твердотельного накопителя в таких случаях достаточно, чтобы между выполнением команд он еще и «поспать» успевал. Если «поспать не давать», то... Разница между испытуемыми в принципе есть, но обычно не такая уж и большая, причем неплохо коррелирующая с тестами высокого уровня — разве что немного более ярко выраженная.

Работа с большими файлами

Единственное, на что можно обратить внимание — очень высокая производительность Velox V85 при работе в один поток. Впрочем, легко объяснимая — использование кристаллов по 128 Гбит (что существенно меньше, чем в прочих участниках тестирования) позволяет даже в таком режиме эффективно распараллелить нагрузку по большому количеству банков памяти. А при увеличении количества потоков данных все бодро «упираются» в ограничения SATA-интерфейса.

При записи же подобным образом может вести себя лишь пара накопителей Samsung — 850 Evo и 860 Pro. А вот 860 Evo из-за перехода на кристаллы по 512 Гбит вообще оказался аутсайдером.

Ну и самая тяжелая нагрузка — чтение одновременно с записью. Что характерно — она же и наиболее близкая к практике. И тут нельзя не отметить показатели 860 Pro — от всех остальных он отличается радикально, причем независимо от конкретного сценария. 860 Evo существенно обгоняет предшественника при случайном доступе, но проигрывает при более линейных нагрузках: второе как раз снова следствие «больших» кристаллов, а первое — результат существенного увеличения SLC-кэша.

Рейтинги

Наибольший интерес представляют результаты двух моделей Samsung — 850 Evo и 860 Pro. Вернее, их крайне небольшое различие, несмотря на использование памяти разных типов — небольшую разницу можно вполне списать и на эволюционное усовершенствование контроллеров и прошивок. Скорее всего, 860 Evo вообще вел бы себя неотличимо от Pro, если бы компания не увеличила в модели этой емкости размер кристаллов флэш-памяти. То есть, как видим, в современных условиях даже по низкоуровневым скоростным характеристикам уже не всегда возможно четко различить «близкородственные» накопители на базе MLC- и TLC-памяти, что, естественно, работает «на руку» последним. С другой стороны, если же рассматривать не только какую-то пару-тройку конкретных линеек одного производителя, а положение в целом, то несложно заметить (хотя бы на примере сегодняшней семерке испытуемых), что «старый конь борозды не портит». В частности, Velox V85 построен на базе старой платформы, но все равно работает несколько быстрее, чем накопители Intel и SanDisk/WD на базе TLC-памяти.

Правда вот в обобщенном рейтинге (который мы опять начинаем набирать с нуля), учитывающем и результаты тестов высокого уровня, тот же Velox V85 оказывается самым медленным. Что понятно — низкоуровневые характеристики легко могут оказаться невостребованными программным обеспечением, а вот платить за них придется по-полной и сразу. Поэтому при необходимости выбрать что-то конкретное мы и советуем выбирать именно что-то конкретное: не пытаясь делать каких-то далеко идущих обобщений.

Цены

В таблице приведены средние розничные цены протестированных сегодня SSD-накопителей, актуальные на момент чтения вами данной статьи:

Итого

В принципе, как уже было сказано в начале, никакой принципиально новой информации мы сегодня получить не рассчитывали, поскольку все участники тестирования были изучены ранее. За исключением одного, но новый он для нас лишь формально — несложно заметить, что скоростные характеристики SanDisk Ultra 3D и WD Blue 3D практически идентичны: как и предполагалось. Основная задача сегодняшнего тестирования — проверить обновленную тестовую методику и, заодно, начать накапливать базу результатов для сравнения с другими устройствами (по мере их появления в наших руках). Что и было сделано.

Попутно также можно отметить, что результаты накопителей этого класса (т. е. с интерфейсом SATA и протоколом AHCI соответственно) от программно-аппаратного окружения фактически не зависят. Для примера — 860 Pro 512 ГБ на «старой» платформе в Anvil’s Storage Utilities 1.1.0 «набивал» 5040,1 обобщенных «попугаев», а сегодня мы получили 5232 «попугая». Фактически выходит, что расхождение в плане низкоуровневых характеристик не превышает 5%: несмотря на смену SATA-контроллера, более мощный процессор и т. д. и т. п. Тесты высокого уровня к накопителю привязаны еще сильнее: для того же устройства результаты PCMark 8 изменились с 5014/328,2 на 5012/325,7. В общем, даже снизились — что, впрочем, может быть обусловлено обновлением самого PCMark. Так что версии тестовых утилит значение имеют. Разные программы — тем более: иногда в них разные сценарии работы называются одинаково. Все остальное окружение тоже иногда как-то сказывается, но в меньшей степени. Во всяком случае, повторимся, если говорить о SATA-накопителях — более производительные устройства могут вести себя иначе. Но проверкой этой гипотезы мы займемся позднее.

www.ixbt.com

Samsung 850 EVO 250 Гб. Самый лучший SSD

Не думал, что я когда либо это скажу, но это лучший SSD из всех, что я видел, несмотря на то, что он TLC. Данный SSD показывает высокую скорость чтения и записи хоть больших файлов, хоть кучи маленьких. Его скороcть не зависит от его заполнения и всегда стабильно держится. Вы можете мне конечно же возразить – “Ты просто мало SSD повидал….. вот как сейчас помню был один он круче во сто раз… тока не помню какой и когда” А мы живём сейчас, а сейчас это лучший SSD. Почему? Сейчас объясню, ведь практически каждая его особенность это его преимущество. Но начнём пожалуй с характеристик.

Объём SSD: 250 Гб Тип памяти: TLC V-NAND Ресурс SSD: 75 TWB Максимальная скорость чтения: 540 Мб\с Максимальная скорость записи: 520 Мб\с Показатель скорости случайного чтения (IOmeter): 97000 IOPS при включенном режиме RAPID Контроллер: Samsung MGX (2 ядра Cortex-R4) ОЗУ контроллера: 512 Мб LPDDR3 Высокоскоростной КЭШ обработки данных: 3 Гб Форм-фактор: 2,5 Гарантия: 5 лет

Первое преимущество – высокая скорость чтения и записи, которая не зависит от заполнения самого SSD.

Несмотря на то, что используется не топовый контроллер Samsung MEX (3 ядра Cortex), а Samsung MGX (2 ядра Cortex-R4), но, т.к. его ядра работают с немного большей частотой, чем трёхъядерная версия в Samsung MEX, его производительности вполне достаточно для поддержания быстрой работы SSD объёмом 250 Гб.

Второе преимущество – невероятно стабильная скорость записи.

Как видно на скринах, скорость не падает, на сколько SSD не заполнена, так же при копировании большого объёма информации скорость со временем тоже не падает. Большая редкость для бюджетных ССД. Прекрасная работа.

Так же читайте:  DEXP SOLAR 10 - Зарядись весенним солнцем
Третье преимущество – очень высокий показатель скорости случайного чтения (те самые Ваши любимые IOPS’ы).

Если судить по сайту SAMSUNG, данный SSD на 250 Гб показывает значение 97 000 IOPS в режиме RAPID. К сожалению уменя AMD RYZEN 5 1600 и материнская плата на чипсете X370, что не даёт возможность использовать технологию RAPID (Использование оперативной памяти в качестве своеобразного КЭШа для SSD). Но как по мне это не очень надёжная технология и оперативку использовать не каждый захочет для подобных целей (может отколоть и 4 Гб. Представьте если у Вас всего 8 чем это обернётся?). К тому-же при непредвиденном завершении работы или сбое питания компьютера очень высок риск потери данных. Стоит ли это того или нет решать Вам. Показатель без технологии RAPID тоже очень высок 60 000 IOPS.

Для сравнения вот некогда неплохой SSD KINGSTON KC300

Правда он заполнен на 90% и поэтому скорость записи просто ужасна. Вот она особенность старых контроллеров SandForce. На самсунге повторюсь такого не наблюдается.

Четвёртое преимущество – оптимальный контроллер для работы с данным TLC V-NAND SSD.

На контроллере в данной модели действительно сэкономили. Но неужели это плохо, если он прекрасно справляется со своей работой? Да это не топовый MEX, но в нём здесь нет необходимости. Как Вы видите из тестов всё отлично работает. А если не видно разницы зачем платить больше…… эм то есть зачем контроллер лучше. Более дешёвый контроллер – более низкая цена и тем самым более конкурентноспособный продукт. Если бы это был M.2 SSD тут удешевление могло сказаться на производительности, но это SATA SSD и его скорость приближается к пределу скоростных возможностей SATA III. Контроллер в SSD это не просто вычислительная мощь, а программно-аппаратный компонент SSD, призванный оперативно корректировать ошибки, возникающие в ячейках памяти. В TL-ячейках это особенно актуально, поэтому микрокод контроллера и своевременное обновление прошивки (если оно конечно же есть) имеет важное значение. Немного напрягу Вас теорией, описывающей различные технологии компоновки ячеек памяти и их работу.

SLC (SINGLE LEVEL CELL) – ячейка имеющая только два состояния – 0 и 1 и только два значения напряжения. В результате непревзойдённые значения скорости энергоэффективности и конечно же надёжности, но насколько она надёжна, настолько и дорога, поэтому их не используют в SSD для массового производства.

MLC (MULTI LEVEL CELL) – ячейка, имеющая многоуровневую структуру, имеет четыре логических состояния (00, 01, 10, 11) и соответственно 4 разных значения напряжения, что уменьшает её производительность и увеличивает вероятность возникновения ошибок памяти с которыми придётся разбираться контроллеру SSD. И наконец TLC (TRIPLE LEVEL CELL) – ячейка, имеющая целых восемь логических состояний (000, 001, 010, 100, 101, 110, 011, 111) и соответственно трёхбитовое представление состояния ячейки. Всё это способствует возникновению ошибок в памяти, скажу больше, по количеству возникновения ошибок TLC ПОКАЗЫВАЕТ НАИХУДШИЙ РЕЗУЛЬТАТ СРЕДИ ВСЕХ. На кого ложится бремя коррекции этих ошибок? Правильно на контроллер. И вот тут SAMSUNG MGX показал себя с лучшей стороны. Как видно из тестов – контроллер полностью справляется со своей задачей не давая часто возникающим ошибам (по вине tlc ячеек) влиять на скоростные характеристики SSD. Так бывает далеко не всегда и поэтому я так не любил TLC SSD. Пока не встретился с этим. Полная победа контроллера над недостатками дешёвой технологии, поэтому я и назвал его оптимальным контроллером для TLC V-NAND.

xn--90amtacbhf.xn--p1ai

SSD-накопитель Samsung 850 EVO: обзор, установка, отзывы :

Накопители серии Samsung 850 Evo оцениваются экспертами как сочетающие в себе невысокую цену и при этом крайне впечатляющую производительность. По скорости работы соответствующие девайсы сопоставимы со многими премиальными моделями дисков. В чем заключаются основные технологические преимущества данных решений? Как оценивают их эффективность пользователи?

Общие сведения об устройстве

Samsung 850 Evo — это серия накопителей типа SSD. Данные девайсы характеризуются большой вместимостью и высоким уровнем надежности. Востребованы при решении задач, связанных с обеспечением высокоскоростной передачей данных.

Устройства Samsung 850 Evo выпускаются с использованием архитектуры 3D V-VAND, которая характеризуется применением ячеек цилиндрической формы, приспособленных к устранению помех, возникающих при взаимодействии компонентов устройства. Обеспечение большой емкости устройств осуществляется за счет размещения элементов в несколько слоев. При этом надежность хранения файлов, а также скорость их передачи не снижаются.

В числе иных примечательных функций девайсов рассматриваемой серии — возможность переключения на режим RAPID, при котором накопитель начинает работать на еще более высокой скорости. Это достигается, в частности, за счет того, что девайс начинает использовать доступный объем оперативной памяти ПК в качестве кеша.

Устройство Samsung 850 Evo функционирует с применением эффективных технологий энергосбережения. По подсчетам специалистов, в ряде режимов девайс способен потреблять в десятки раз меньший объем электроэнергии в сравнении с устаревшими моделями накопителей.

В дисках рассматриваемой серии реализован ряд высокотехнологичных решений в сфере обеспечения безопасности файлов. В числе таковых - AES-шифрование, динамическая теплозащита.

Можно отметить, что внедрению на рынок устройств серии Samsung 850 Evo предшествовала успешная работа корейской корпорации по созданию и обеспечению успешных продаж девайсов серий SSD 830, а также 840 Pro, которые были отнесены экспертами к лучшим устройствам типа SSD в верхнем ценовом сегменте. Не забыла компания и о продукции для массового сегмента: так, на рынок были выведены девайсы 840 и 840 EVO.

Впоследствии корпорация Samsung продолжила наработки в области производства многослойных кристаллов, и одним из результатов их практического внедрения стал выпуск 32-слойных накопителей линейки 850 Evo. Данный девайс был выведен в массовом сегменте. В премиальном же Samsung представил продукт 850 Pro, характеризующийся исключительно высоким сочетанием производительности и надежности.

Накопитель как продукт технологической модернизации

Какими же особенностями, в свою очередь, характеризуются накопители серии 850 Evo?

Выше мы отметили, что в данных устройствах реализованы лучшие наработки Samsung по предыдущим продуктам. Так, те основные компоненты, что были инсталлированы в продукты серии 840 — TLC-память, брендированный контроллер, а также решение TurboWrite, были продублированы и в новой серии девайсов. Кроме того, в ней был реализован также ряд обновлений — в частности, вместо фирменного контроллера MEX производитель установил усовершенствованный аппаратный компонент MGX.

Определенные дополнения получила также технология TurboWrite в серии Samsung 850 Evo.

Технология 3D V-VAND

Самый, вероятно, примечательный компонент новой серии накопителей — трехмерная память, представляющая собой объединение решений 3D NAND и TLC NAND. Новая технология позволила устранить недостатки, характеризующие применение двух предшествующих по отдельности.

Применение концепции 3D V-NAND позволило компании Samsung реализовать в новом продукте техпроцесс в 40 нм при сохранении возможности использовать кристаллы с площадью, меньшей, чем, в частности, при применении обычной технологии MLC NAND, что произведена по техпроцессу в 16 нм. В свою очередь, ячейки в 40 нм характеризуются большей устойчивостью к износу, а также стабильностью в работе.

Еще одно преимущество соответствующей обновленной технологии, с использованием которой работает SSD-накопитель Samsung 850 Evo — обеспечение более высокой скорости работы девайса за счет снижения длительности операций чтения и записи. Благодаря записи в одну отдельную ячейку памяти не 2, а 3 бит данных, емкость используемых кристаллов в девайсах рассматриваемой серии может достигать 128 Гбит. Более того, данные кристаллы имеют площадь, которая примерно в 2 раза меньше, чем у соответствующих компонентов TLC NAND в обычной модификации с аналогичной емкостью, что произведены по техпроцессу в 19 нм.

Можно отметить, что фирма-производитель дает гарантию на девайсы длительностью в 5 лет. Это один из самых конкурентных показателей на рынке.

Полезно будет рассмотреть, как выглядят соответствующие устройства.

Внешний вид накопителей

Вне зависимости от емкости Samsung 850 Evo – 250GB или 1 ТБ, все девайсы линейки выглядят практически одинаково. Снаружи они имеют компактный — толщиной в 7 мм, алюминиевый корпус черного цвета. На оборотной его стороне располагается этикетка, из содержания которой можно узнать точное название модели накопителя, а также ее серийный номер.

Если открыть крышку корпуса, то выяснится, что, в зависимости от конкретного объема диска, содержимое может различаться. Так, например, в модели с емкостью в 250 ГБ установлена печатная плата с размерами меньшими, чем у модификации в 500 ГБ. Но в обоих случаях величина соответствующего аппаратного компонента — небольшая, то есть, можно сказать, что корпус устройства мог бы быть еще тоньше, в нем есть незаполненные пространства.

Инсталляция накопителя на ПК

Каким образом инсталлируется в ПК накопитель Samsung 850 Evo? Установка девайса осуществляется очень просто. Большинство корпусов для современных ПК имеют слоты для инсталляции дисков размера, который имеет устройство 850 Evo — в 2,5 дюйма. Необходимо расположить накопитель соответствующим образом, а после подключить к нему 2 кабеля - питания, а также передачи данных.

После этого необходимо переключить контроллер ПК в режим AHCI. Для этого, правда, может потребоваться обновление версии BIOS — с использованием прошивки с официального сайта фирмы-производителя материнской платы ПК. Распознается накопитель в системе без проблем. При необходимости можно воспользоваться брендированными программами для настройки системы и осуществления мониторинга работы диска.

Ресурсы накопителей

Используя SSD Samsung 850 Evo 1TB, можно записывать на него порядка 82 ГБ файлов в день. Аналогичный ресурс имеет диск емкостью в 500 ГБ. Немного меньший, но тем не менее впечатляющий ресурс, имеют младшие модификации девайсов — на 120, 250 ГБ. На них можно записывать порядка 42 ГБ информации в день.

Таким образом, рассматриваемая серия SSD-накопителей рассчитана на долгий срок службы. Модели даже с самой небольшой емкостью в линейке Samsung 850 Evo — 120 ГБ или же 250 ГБ, обладают ресурсом, сопоставимым с тем, что характеризует многие премиальные модели.

Скорость работы

Скорость работы девайсов рассматриваемой серии также впечатляет экспертов. При этом показатели, характеризующие младшую модель линейки 850 Evo, как показывают тесты, проведенные экспертами, не слишком уступают тем, что имеет премиальная модель, 850 Pro.

Во многом хорошие показатели скорости достигаются за счет применения технологии TurboWrite, а также использования быстрого кэша. Который в модели Samsung 850 Evo 250GB составляет 3 ГБ, в 500-гигабайтной модификации — 6 ГБ, а в диске с емкостью в 1 ТБ величина кеша — 12 ГБ.

Возможности рассматриваемых накопителей в части обеспечения скорости записи данных вновь позволяют говорить об их конкурентности в отношении премиальных продуктов.

Тестирование накопителей: скорость чтения и записи

Изучим теперь практические результаты изучения экспертами возможностей накопителей рассматриваемой серии. Что касается режима чтения — высокие технологии, реализованные в соответствующих девайсах, позволяют здесь достичь самых высоких показателей.

Но касательно записи результаты тестов в зависимости от конкретной модификации девайса могут быть разными. Так, например, накопитель емкостью в 500 ГБ имеет показатели, сопоставимые с теми, что характеризуют старшую модель. В этом смысле при выборе - Samsung 850 Pro или 850 Evo - пользователь получает явное преимущество в цене, если предпочтет вторую модель, притом что по скорости она практически не уступит старшей модификации.

В свою очередь, модель в 250-гигабайтной версии существенно уступает более емкой версии по скорости последовательной записи. Во многом это связано с относительно небольшим размером кеша, который имеет соответствующая модификация накопителя — его величина составляет 3 ГБ. Которой, вместе с тем, достаточно для решения большого количества пользовательских задач на практике.

Тестирование накопителей: скорость случайного чтения

Еще один интересный показатель производительности устройств линейки Samsung 850 Evo – тест скорости случайного чтения накопителей. Благодаря оснащенности обновленным контроллером MGX, девайсы значительно улучшили производительность в сравнении с предыдущими модификациями, как отмечают специалисты.

При этом особенно высокие результаты показала 500-гигабайтная модель накопителя. Ее показатели позволяют ее охарактеризовать фактически как лидирующий продукт в сегменте в контексте рассмотрения производительности в соответствующем режиме.

Тестирование накопителей: скорость случайной записи

Какова же производительность устройства в режиме скорости случайного чтения?

Как показывают тесты, проведенные экспертами — здесь также все в порядке. Правда, по мере увеличения показателя глубины очереди производительность девайсов линейки 850 Evo снижается. Но, даже несмотря на данную особенность, устройства можно охарактеризовать как исключительно конкурентоспособные в соответствующем режиме использования.

Тестирование накопителей: копирование файлов

В числе самых, возможно, показательных критериев оценки производительности накопителя — это скорость копирования файлов, достигаемая при использовании того или иного устройства. Здесь показатели девайсов в рассматриваемой модификации — опять же, очень приличные. Особенно если говорить о модификации диска с емкостью в 500 ГБ.

В свою очередь, показатели 250-гигабайтной модификации несколько скромнее. Но тем не менее это способствует высокой оценке конкурентоспособности устройства при применении в соответствующем режиме, который в целом отражает типичную пользовательскую нагрузку на накопитель.

В некоторых режимах работы с файлами разница между модификациями девайса в 200 и 500 ГБ — совершенно незначительна. Поэтому на практике пользователь может и не заметить ее вовсе.

В целом тесты производительности устройств в линейке 850 Evo от Samsung позволяет говорить о том, что корейский бренд обеспечил присутствие на рынке во многом уникального продукта: имеющего, с одной стороны, относительно невысокую цену, с другой — технологические преимущества, делающие его сопоставимым по функциям и производительности с премиальными решениями.

Данный подход, как считают эксперты, Samsung получил возможность реализовать за счет целенаправленной и грамотной работы по последовательному совершенствованию наработок прошлых лет, а также дополнению их актуальными новшествами, придающими устройствам еще большую конкурентоспособность.

Отзывы

Что говорят пользователи и эксперты об устройствах линейки Samsung 850 Evo? Обзор мнений, представленных на тематических онлайн-порталах, позволяет говорить, то рассматриваемые девайсы исключительно позитивно оцениваются с точки зрения:

- скорости чтения и записи;

- стабильности;

- энергосбережения;

- сочетания стоимости и производительности.

Вместе с тем пользователи отмечают порой ощутимую разницу между показателями устройств, относящихся к одной и той же линейке, но имеющих разную емкость. Поэтому следует иметь в виду, что по 250-гигабайтной модификации Samsung 850 Evo отзывы могут существенно отличаться от тех, что характеризуют производительность 500-гигабайтной версии устройства. Казалось бы, разница лишь в объеме, но это не совсем так. Ее можно проследить и на уровне технологических решений, внедренных в конкретной версии устройства.

www.syl.ru


Смотрите также