Qualcomm snapdragon 835 msm8998 характеристики


Qualcomm анонсировала топовый чипсет Snapdragon 835 (MSM 8998)

Компания Qualcomm недавно анонсировала новый топовый мобильный процессор Snapdragon 835 (MSM 8998), предназначенный для самых продвинутых флагманских смартфонов 2017 года.

Соответствующая новость уже появилась на корпоративном сайте. Отмечается, что чипсет создавался в тесном сотрудничестве с компанией Samsung, по 10-нм техпроцессу FinFET которой он будет производится.

Конвейер по производству Snapdragon 835 уже запущен. Первые смартфоны на его базе выйдут в первой половине следующего года. Среди вероятных кандидатов — Samsung Galaxy S8 и S8 Edge.

Технические характеристики

Интегрированный CPU Snapdragon 835 включает в себя два вычислительных кластера, каждый из которых состоит из четырех высокопроизводительных кастомных ядер Kryo 200. Тактовая частота последних может достигать в перспективе 3 GHz.

Принцип работы аналогичен Exynos 8890 и прошлогоднему Snapdragon 810: обычно активирован только первый кластер (режим экономии энергии), когда требуется «ломовая» вычислительная мощь, подключается более «сообразительный» второй кластер.

Технические характеристики Qualcomm Snapdragon 835 (MSM 8998) согласно китайской утечке

За комфортный запуск мобильных игр и других приложений, активно использующих 3D-графику, отвечает новый графический ускоритель Qualcomm Adreno 540. Встроенный модем X16 имеет поддержку сетей LTE Category 16 со скоростью обмена данными до 1 Гбит/с.

Контроллер памяти обеспечивает подключение четырех каналов LPDDR4 с частотой до 1866 MHz и общей емкостью до 16 Gb (!). В качестве внутреннего флеш-накопителя может быть использована как более медленная памяти eMMC 5.1, так и быстрая UFS 2.1.

Если сравнивать будущий Snapdragon 835 с текущими Snapdragon 820/821, то новинка в зависимости от выбранного режима работы может обеспечивали либо большую на 30% энергоэффективность при росте скорости вычислений на 27%, либо снижение расхода энергии на 40% при аналогичной производительности.

Такой результат обеспечивается благодаря технологическом процессу Samsung FinFET 10-нм.

Первые смартфоны на Snapdragon 835

По данным китайских инсайдеров, первым флагманом на базе 835-го чипсета Qualcomm станет Samsung Galaxy S8, презентация которого ожидается в конце февраля 2017 года в начале международной выставки MWC 2017.

Среди других вероятных кандидатов можно ожидать LG G6, Xiaomi Mi6, HTC 11, LeEco (LeTV) Le 3 Pro, Sony Xperia X2 Performance, ZUK Z3/Z3Pro, ZTE Axon 8. Ближе к лету должен появиться OnePlus 4, а также HP Elite X4 (на базе Windows).

Основной источник — официальный сайт Qualcomm (см тут).

(Пока оценок нет) Загрузка...

smartfonoff.mobi

Qualcomm Snapdragon 835 обзор, сравнение, дата выхода, в каких смартфонах - Stevsky.ru - обзоры смартфонов, игры на андроид и на ПК

В 2017 году Qualcomm собирается изменить обычный порядок нумерации своих процессоров и выпустить сразу Snapdragon 835 вместо Snapdragon 830, как предполагалось ранее. Не исключено, что Snapdragon 830 также будет выпущен, но как младшая версия флагмана и с рядом даунгрейдов. У Snapdragon 820 такое тоже было, но не афишировалось: первым в продажу поступила модификация чипа MSM8996 Lite с пониженной до 1800МГц частотой ядер верхнего кластера, а следом за ней уже был выпущен полноценный Snapdragon 820 MSM8996 с частотой 2,15ГГц. Различия также коснулись частоты графического сопроцессора и шины памяти LPDDR4, которая в Lite версии была понижена до 1333МГц. На облегчённом 820-м вышли первые партии Xiaomi Mi5 и народ с удовольствием разобрал их, даже не вникая в столь тонкие детали. Что удивительно, Snapdragon 821 также есть в двух версиях с разными топовыми частотами и, например, Xiaomi Mi5S работает на облегчённом Snap821, а Mi5S Plus - на нормальном, с частотой верхнего кластера 2,34ГГц.

Смотрите Большой Обзор мобильных процессоров 2016 здесь.

Snapdragon 835 характеристики

  • код модели MSM8998
  • техпроцесс 10нм Samsung FinFET
  • ядра Qualcomm Kryo 280, состав: 4 ядра до 2,45ГГц + 4 ядра до 1,9 ГГц
  • память LPDDR4X 1866МГц, двухканальная
  • GPU Adreno 540, поддержка DirectX 12, OpenGL ES 3.2, OpenCL 2.0 Full, Vulkan API, частота 710МГц
  • Сигнальный процессор Hexagon 682 DSP с технологией All-Ways Aware
  • Image-процессор Spectra 180 ISP (2 ISP), 14-битный, поддержка двойной камеры по 16МП или одиночной на 32МП. Гибридный автофокус, оптический зум, распознавание лиц, запись HDR видео
  • запись видео до 4К на 30FPS, вопроизведение до 4К 60FPS, поддержка кодеков H.264, H.265 и VP9
  • поддержка разрешения экрана устройства до 4К, внешнего дисплея - также до 4К, 60FPS, глубина цвета 10 бит
  • формат внутренней памяти - UFS2.1 Gear3 2L, поддержка карт памяти формата SD 3.0 (UHS-I)
  • модем Qualcomm X16 LTE - категории LTE cat.16 / cat.13. Скачивание с агрегацией частот 4х20МГц, пиковая скорость 1Гбит/с. Аплоад с агрегацией частот 2х20МГц, скорость до 150Мбит/с, поддержка VoLTE, Ultra HD Voice (EVS), CSFB to 3G и 2G, дополнительный чип Qualcomm RF360 для распознавания редких операторских частот
  • Стандарты Wi-Fi 802.11ad, 802.11ac Wave 2, 802.11n, 802.11a/b/g, частоты 2,4ГГц, 5ГГц, 60ГГц, пиковая скорость 867Мбит/с, конфигурация MIMO 2x2 (2 потока)
  • Bluetooth 5.0
  • поддержка систем геопозиционирования GPS, GLONASS, Beidou, Galileo, QZSS, SBAS
  • Система безопасности Qualcomm Heaven Security
  • Технология зарядки Qualcomm QuickCharge 4.0, позволяющая зарядить батарею до 50% всего за 15 минут
  • Сниженный нагрев в связи с переходом на более тонкий техпроцесс и понижением общего энергопотребления, полное отсутствие троттлинга
  • Производительность по тесту Антуту - 181118 балла (скрины ниже)
  • Цена высокая, класс устройств на процессоре Snapdragon 835 - топовые флагманы 2017 года

Qualcomm Snapdragon 835 описание и обзор

Процессор в итоге получился 8-ядерный, хотя ранее ходили слухи, что Qualcomm может оставить топовое решение на прежнем уровне технологий, что и Snapdragon 820, то есть с 4 ядрами в двух кластерах по два. Переход на более тонкий техпроцесс с одновременным повышением частоты обоих кластеров должен сыграть значимую роль в увеличении производительности и этого хватит для успешной конкуренции в 2017 году. Изменения в большей степени коснутся внутренней архитектуры чипа и особенностей его составляющих.

Техпроцесс 10нм

Более тонкий техпроцесс - это проектные нормы 10нм, достигнутые на фабриках Samsung. Почему Qualcomm вдруг изменил давнему партнёру TSMC и переметнулся к Самсунгу - не совсем понятно: Тайваньский TSMC уже тестирует переход на 10нм на новой фабрике Fab15b на Тайване и уже получил несколько заказов, но, судя по всему, не получит главный заказ 2017 года от Qualcomm. Почему повезло Самсунгу? Видимо, благодаря успехам его последнего чипа Exynos 8890 с ядрами M1, который показывал производительность, близкую к Snapdragon 820. Плюс у Самсунга плохо идут дела после провала Galaxy Note 7 и он готов идти на серьёзные уступки в переговорах. Поэтому новый процессор куалком будет выполнен на базе техпроцесса Samsung 10nm FinFET, что позволит увеличить эффективную площадь поверхности на 30%, производительность на 27%, а энергопотребление снизить на целых 40%! 

С высокой вероятностью первые партии процессоров будут использовать техпроцесс 10nm LPE - Early Edition, и только спустя полгода, когда микроэлектронное производство Samsung наберётся опыта производства на новом техпроцессе, произойдёт переход на 10nm LPP - Performance edition, который будет более эффективным и производительным. Он уже будет реализован в новом поколении процессоров или на апгрейде 835-го снапдрагона.

Графический сопроцессор Adreno 540

Qualcomm Snapdragon 835 оснащён графическим чипом Adreno 540, лишь на один шаг превосходящим прошлогодний Adreno 530, использованный в Snapdragon 820 и Snapdragon 821. Структура графики Adreno сильно отличается от GPU Mali или PowerVR и вместо нескольких выделенных ядер имеет большое число ALU - арифметико-логических единиц, обрабатывающих графику. Актуальный GPU Adreno 530 имеет 256 ALU, суммарная производительность которых достигает 500 ГигаФлопс. Для сравнения, Mali T880 имеет производительность 30,6 Гигафлопс на ядро, то есть в максимальной конфигурации с 12 ядрами имеет производительность около 370 GFLOPS. В новом Adreno 540 частота ядер будет установлена на уровне 670МГц, а сам сопроцессор будет обладать поддержкой всех вышедших технологий (OpenGL ES 3.2, OpenCL 2.0, Vulkan API 1.0, Direct3D 12.1), при этом нас ждёт точно такой же тонкий 10нм техпроцесс и пониженное энергопотребление, как и у вычислительных ядер.

 

Также новый чип перейдёт и на новую технологию памяти LPDDR4X. Параметры новой памяти пока достоверно неизвестны. Можно предположить, что она будет работать на шине 2000МГц или 2133МГц и иметь пропускную способность 32 Гигабит/с или 34,1Гбит/с соответственно. Разрядность шины, скорее всего, останется прежней и будет четырёхканальной 16-битной, то есть в сумме 64-битной.

Модем Qualcomm X16

Важные перемены произойдут с модемом флагманского чипа. Qualcomm X12, работавший с LTE Cat.12, уже неактуален, так как реализован у большинства конкурентов в их флагманских решениях 2016 года: Exynos 8890, Kirin 960 и ожидаемый в конце 2016 / начале 2017 Helio X30 от Медиатек. Нужно переходить к более высоким скоростям и поэтому в Snapdragon 835 будет реализован новый модем Qualcomm X16 с поддержкой сетей LTE Cat.16 со скоростью скачивания до 980Мбит/с. Увы, полноценная поддержка таких сетей в России появится очень нескоро и оценить всю прелесть их работы можно будет разве что в тестовых лабораториях связи где-нибудь в наукоградах. Зато, благодаря поддержке большего числа диапазонов, скорость обычного 4G LTE может стабилизироваться и приблизиться к своей пиковой отметке в данном регионе. Для Москвы, Санкт-Петербурга и ряде крупных городов это 300Мбит/с, для большинства населённых пунктов в регионах - 150Мбит/с.

DSP Qualcomm Hexagon 

Обновился и Цифровой сигнальный процессор, в чипе реализована его новая версия Hexagon 682. Он получил некоторое обновление своих функций и повысил рабочую частоту до 600МГц на поток. При сохранении четырёх потоков получим рабочую частоту 2400Мгц. DSP Hexagon - это третье специализированное устройство на плате чипа Qualcomm после CPU и GPU. Он отвечает за обработку изображений и видео в реальном времени, машинное обучение и распознавание голоса. Эти задачи почти полностью перекладываются на энергоэффективный DSP, высвобождая процессорное время и значительно сокращая энергопотребление смартфона.

Быстрая зарядка Qualcomm QuickCharge 4.0 и её особенности

Важное дополнение, о котором говорили на презентации 17 ноября 2016 - это новый протокол быстрой зарядки Qualcomm QuickCharge 4.0, который позволит зарядить батарею до 50% ёмкости за 15 минут, а за пять минут даст столько махов, что их хватит на пять часов работы смартфона. 

Однако, QuickCharge 4.0 это не только выше скорость заряда, это ещё и ряд полезных технологий и их улучшений с прошлой версии

  1. технология AICL - Automatic Input Current Limit - автоматическое ограничение входящего тока
  2. технология APSD - Automatic Power Source Detection - автоматическое определение источника питания
  3. технология HVDCP++ - High Voltage Dedicated Charging Port - выделенный порт для зарядки с повышенной мощностью
  4. технология Dual Charge++ - технология параллельной зарядки. Процесс зарядки ускорен на 20%, его эффективность повысилась на 30%, температура снижена на 5 °C в сравнении с Dual Charge+ из Quick Charge 3.0
  5. технология INOV 3.0 - Intelligent Negotiation for Optimum Voltage - умная регулировка оптимального напряжения заряда, третье поколение
  6. Battery saver technologies 2.0 - второе поколение технологии, направленной на сохранение ёмкости и работоспособности батареи
  7. USB-PD Support - соответствие стандарту USB-Power Delivery, строго рекомендованному гуглом для всех устройств на Android 7.0
  8. Cable Quality detection - проверка повреждения кабеля

Qualcomm Quick Charge 4.0 получился безопаснее предшественника за счет увеличения степеней защиты. Технология имеет три уровня борьбы с подачей слишком большого напряжения и силы тока, а также четыре уровнями проверки температуры, а встроенная система проверки качества кабеля просто не даст устройству заряжаться в случае плохого соединения! 

Snapdragon 835 производительность в тестах AnTuTu и GeekBench 

С выходом первых реальных устройств на Snapdragon 835 vs получили и первые реальные тесты производительности чипа. Представленные до официального релиза скрины не вызывали большого доверия, поэтому мы размещаем только показатели известных и общепризнанных моделей. 

Результат Qualcomm Snapdragon 835 на смартфоне Xiaomi Mi6 в antutu - 181118 балла.

Другие рекорды производительности:

  • Apple A10 (iPhone 7 Plus) - 184546 баллов
  • Snapdragon 821 (OnePlus 3T) - 162297 баллов

В видеообзоре Xiaomi Mi6, сделанном в официальном магазине Сяоми, получены результаты теста GeekBench 4: 2028 баллов в одноядерном тестировании и 5810 баллов в многоядерном. 

Результаты высокие, но не топовые на рынке. Приведём сравнительную таблицу с результатами тестов Geekbench наиболее популярных смартфонов 2016 года:

Смартфон, процессор Одноядерный тест Многоядерный тест
Xiaomi Mi6, Snapdragon 835 2028 5810
Xiaomi Mi5, Snapdragon 820 2238 5174
Galaxy S6 Edge, Exynos 7420 1475 5004
Galaxy S7 Edge, Exynos 8890 2109 6173
LeEco Le Pro 3, Snapdragon 821  1865 4452 
iPhone 7 Plus, Apple A10 3233 5363

Snapdragon 835 смартфоны

Какие смартфоны уже вышли на новом процессоре Qualcomm и ещё планируются к выходу?

Snapdragon 835 игровые возможности на примере Xiaomi Mi6

www.stevsky.ru

Snapdragon 835 – обзор характеристик топового микропроцессора

Qualcomm – компания, являющаяся доминирующим производителем на рынке мобильных процессоров. Вытеснив конкурентов в лице Intel и Nvidia, бренд, по сути, остался монополистом в сегменте высокопроизводительных чипсетов, поскольку второй заметный игрок – MediaTek, удерживает позиции в бюджетной и средней ценовой категории, тогда как практически все флагманские смартфоны выпускаются на чипах Snapdragon.

Snapdragon 835 – новый топовый процессор от Qualcomm, представленный на выставке CES 2017. Достоверное известно, что на нем будут выпущены такие флагманы 2017-года как Xiaomi Mi6, Samsung Galaxy S8, LG V30 и SONY XZ.

Производство нового снапдрагона осуществляется на мощностях компании Самсунг, это однокристальная архитектура, выполненная по 10-нм технроцессу. Snapdragon 835 базируется на  8 ядрах собственной разработки Qualcomm – Kryo 280: используются 4 высокопроизводительные ядра с тактовой частотой 2.45 ГГц (2 МБ кеша) и 4 энергоэффективных ядра на 1.9 ГГц (1 МБ).

По заявлениям Qualcomm, в новом чипсете реализована продвинутая система распределения задач. Так, с целью экономии энергопотребления, при соответствующей нагрузки из работы будет выключаться не только высокопроизводительный кластер ядер и графический ускоритель, но и сигнальный процессор Hexagon 680.

На службе виртуальной реальности

В качестве графического ускорителя используется новейшая разработка Adreno 540 (тактовая частота 650 МГц, производительность до 520 гигафлопс), которая обеспечит поддержку DirectX-12, Vulkan и OpenGL. На презентации было акцентировано внимание на то, что Snapdragon 835 заточен под потребности систем виртуальной реальности.

Он призван решить одну из основных проблем VR на нынешней стадии развития – сильный нагрев смартфонов с 4К экраном при использовании в очках виртуальной реальности и неудовлетворительное качество картинки даже при наличии максимального разрешения экрана.

Snapdragon 835 имеет поддержку 4K Ultra HD и HDR-10 (10-битная цветопередача), таких экранов на рынке пока что очень мало и один из первых из них можно увидеть в недавно анонсированном флагмане LG G6. Также с целью улучшить VR-опыт 835 дракон оснащен продвинутым набором датчиков (акселерометр+гироскоп), полноценно отрабатывающим шесть степеней свободы (6DoF – отслеживание перемещения по 6-ти векторам пространства).

Останутся довольны и любители качественного звука, новый чипсет поддерживает обработку Hi-Res аудио с частотой до 384 КГц / 32 бита и кодек aptX HD Bluetooth, позволяющий осуществлять беспроводной вывод  аудиопотока по интерфейсу Bluetooth без потери звуковой информации.

Лучшее качество связи и безопасность

В новинке реализован топовый LTE-модем компании – X16. На презентации было объявлено, что он способен развивать скорость загрузки данных до 1 ГБ/сек, что на практике обеспечивает возможность беспроблемного онлайн-просмотра 4К-фильмов либо их очень быстрой загрузки (100 ГБ за 13 минут). Однако стоит учитывать, что скорость обмена данными в большей степени будет зависеть от вашего мобильного оператора, и просто лишь наличие смартфона на 835 драконе не обеспечит вам обещанные 1 ГБ/с.

Также в чипсет интегрирован двухполосный Wi-Fi модем поддерживающий работу в сетях 802.11ас и 802.11ad, при этом предусмотрена возможность горячего переключения трафика между Wi-Fi и LTE. Приятный бонус – технология Qualcomm Haven, обеспечивающая поддержку сканеров отпечатков пальца и сетчатки глаза либо лица целиком.

Продвинутые фото-возможности

Одно из самых интересных новшеств Snapdragon 835 – наличие выделенного процессора для обработки изображений под названием Spectra 180. Потенциально эта технология способна вывести мобильную фотографию на новый уровень, так как теперь смартфоны научатся записывать 14-битный цвет, чем ранее могли похвастаться только топовые зеркальные фотоаппараты.

Новый чипсет обеспечит поддержку камер с разрешением до 32 МП (один модуль) либо двух модулей на 16+16 МП. Кстати, производители получат возможность приобрести процессор с уже предустановленными камерами: на выбор им предлагается 835-дракон с модулем Sony IMX298, двумя модулями реализованными по технологии Huawei (цветной+монохромный) или двумя модулями как у Apple (широкоугольный+телевик, возможность оптического зума).

Производительность и энергоэффективность

Согласно маркетинговым заявлениям, Snapdragon 835 будет превосходить предшественника в лице 821 на 27% по части производительности и на 40% по энергоэффективности. До тех пор, пока не выйдет первый смартфона на новом чипсете, делать какие-либо выводы опрометчиво, но в сети уже всплывали скриншоты теста GeekBench где смартфон Xiaomi Mix EVO набрал 6223 баллов в многоядерном и 2005 баллов в одноядерном режиме. Результат в AnTuTu Benchmark на неизвестном смартфоне – 180 тыс. баллов.

Новый процессор будет поддерживать технологию Quick Charge 4, которая сократит продолжительность быстрой зарядки на 20%.  Обещают, что 50% заряда смартфон с аккумулятором 2750 мАч сможет получать всего за 15 минут.  При этом зарядка будет осуществляться через порт USB-C, который рекомендует использовать для Android-смартфонов компания Google.

Первым смартфоном на Snapdragon 835 станет Samsung Galaxy S8, презентация которого состоится 29 марта 2017 года. Тогда мы и cможем увидеть самый технологичный мобильный процессор современности в действии.

Если статья была вам полезна, не забудьте добавить в закладки ( Cntr+D ) чтоб не потерять и подпишитесь на наш канал Яндекс Дзен!

Если статья была вам полезна, не забудьте добавить в закладки ( Cntr+D ) чтоб не потерять и подпишитесь на наш канал Яндекс Дзен!

mobnovelty.ru

Snapdragon 835 представлен официально (характеристики)

Валерия Гришанова 04.01.2017     0    

Спецификации представленного процессора выглядят действительно впечатляюще, как и список гаджетов, которые могут использовать его в качестве аппаратной основы.

В ноябре компании Qualcomm и Samsung объявили о совместной работе над процессором Snapdragon 835, основанном на 10-нм технологическом процессе. Сегодня новинка была представлена официально перед началом выставки CES 2017.

Чипсет использует архитектуру Kryo 280 и содержит восемь вычислительных ядер, четыре из которых отвечают за производительность и работают на тактовой частоте 2,45 ГГц, а четыре — на частоте 1,9 ГГц. Благодаря такому сочетанию процессор на 20% быстрее и на 25% энергоэффективнее по сравнению с предыдущим поколением. Кроме того, он стал меньше на 35%, что позволяет освободить внутри корпуса пространство для более емкого аккумулятора и других компонентов, не увеличивая толщину устройства.

Увеличилась скорость беспроводной зарядки на 20% за счет использования новой технологии Quick Charge 4.0. Передача данных также стала быстрее, так как Snapdragon 835 поддерживает новейшие стандарты беспроводного соединения, включая Bluetooth 5.0 и LTE X16.

За графику отвечает контроллер Adreno 540 с поддержкой OpenGL ES 3.2, OpenCL 2.0, Vulkan Graphics API и DirectX 12. Также предусматривается вспомогательный процессор Hexagon 682 и чип для обработки изображения Qualcomm Spectra 180. Аудиокодек Qualcomm Aqstic WCD9341 призван обеспечить высококачественное звучание.

Мобильные производители могут оснащать устройства 4K-дисплеями, модулями оперативной памяти LPDDR4x и внутренними накопителями UFS 2.1. Поддерживаются двойные камеры с 16-Мп сенсорами и обычные камеры с разрешением до 32 Мп с записью 4K-видео, гибридным автофокусом, технологией Qualcomm Clear Sight, оптическим зумом, ускоренным аппаратным распознаванием лиц и HDR-видеосъемкой. Реализована поддержка Google Daydream VR.

Большое внимание производитель уделил безопасности пользовательских данных на аппаратном (аутентификация по отпечатку пальца, распознаванию лица или глаз) и программном уровне (защищенные мобильные платежи, доступ к корпоративным и личным данным), разработав Qualcomm Haven Security Platform.

Примечательно, что процессор Snapdragon 835 может использоваться не только в смартфонах или планшетах, но и в персональных компьютерах, дисплеях виртуальной и дополненной реальности, IP-камерах и других устройствах. Чипсет совместим как с программной платформой Android, так и с Windows 10. Аппараты со Snapdragon 835 должны появиться в первом полугодии 2017 года, пионерами могут стать флагманы Samsung Galaxy S8 и Xiaomi Mi6.

(Пока оценок нет) Загрузка...

androidlime.ru

Qualcomm Snapdragon 835 — характеристики, количество ядер и производительность

Компания Qualcomm анонсировала выпуск своего нового флагманского чипсета Snapdragon 835, перепрыгнув через долгожданный Snapdragon 830. На презентации чипмейкер удивил всех, так как заявил, что производством процессоров SD 835 для Qualcomm займется корейская компания Samsung на своей линии с применением 10 нанометрового технологического процесса FinFET. Использование 10 нм тех. процесса позволит процессору быть на несколько шагов впереди, чем существующие на сегодня решения, как по мощности, так и по минимальному уровню потребляемой энергии.

Производительность

Qualcomm Snapdragon 835 на 27% мощнее и производительнее, чем Snapdragon 821 построенный на базе 14 нм тех. процессора. Также новый чип потребляет на целых 40% меньше заряда батареи, чем его предшественник в одних и тех же задачах. Конечно, сильного буста в автономности смартфонов на базе Snapdragon 835 ждать не стоит, так как многое зависит еще и от дисплея, как самого ресурсоемкого элемента в потреблении заряда батареи телефона.

Quick Charge 4.0

Также новый SoC получит поддержку более продвинутой технологии быстрой зарядки Quick Charge 4.0. Компания сообщает, что аккумулятор средней емкости (3000 мАч) будет заряжаться до 50% за 5 минут. Всего пять минут требуется QC 4.0, чтобы обеспечить смартфону 5 часов работы, это очень полезная фишка и отличительная черта Snapdragon 835. По сравнению с Quick Charge 3.0 обновленная QC 4.0 на 20% быстрее и на 30 процентов эффективнее заряжает батареи современных смартфонов.

Одной из главных проблем быстрых зарядок является быстрый износ батареи и перегревание корпуса во время заряда. Благодаря применении технологии INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage), процессор Snapdragon 835 будет отслеживать температуру и регулировать скорость зарядки. Также стоит отметить, что этот стандарт совместим не только с micro USB но и с новыми портами USB Type-C.

Характеристики Snapdragon 835

  • количество ядер: 8 ядер Kryo 280 CPU
  • графическая система Adreno 540 GPU
  • максимальная тактовая частота — 2.45 ГГц
  • минимальная тактовая частота — 1.9 ГГц
  • тех. процесс 10 нм FinFET
  • быстрая зарядка Quick Charge 4.0
  • X16 LTE модем с поддержкой Cat.6 LTE
  • новейший Bluetooth 5.0
  • поддержка USB-C Power Delivery

Первые смартфоны на базе Snapdragon 835 мы увидим в 2017 году. Не исключено, что образцы появятся на выставке MWC 2017.

galagram.com

Обзор и тестирование Qualcomm Snapdragon 835

Главной новостью второго знакомства с Qualcomm Snapdragon 835 стало изменение политики компании в отношении именования своего процессора. Грубо говоря, называть теперь Snapdragon процессором или даже системой-на-чипе нельзя – только мобильной платформой. Теперь это официально. Объясняется это (помимо маркетинговых нужд) тем, что Snapdragon включает в себя не только «железо», но и программные решения, а также сервисы. Выше мы уже рассказывали о составных частях Snapdragon 835. Но стоит сказать, что, например, модуль Qualcomm Haven, отвечающий за проверку токенов, цифровых подписей приложений и так далее, снабжается программной надстройкой на основе разработок Trustlook, которая позволяет «из коробки» обеспечивать относительную безопасность устройства. Хотя говорить об антивирусе, который полноценно конкурирует с регулярно обновляемыми внешними решениями, было бы все-таки слишком оптимистично. Тем не менее Qualcomm давно уже замахивалась на большее, нежели просто обеспечение аппаратной производительности, и продолжает развитие этой темы – теперь уже и в области идеологии.

Впрочем, в данном случае мы поговорим именно о производительности платформы Snapdragon 835 – мне удалось попробовать ее в деле с основными мобильным бенчмарками.

В качестве тестового аппарата был предоставлен не конечный продукт вроде Sony Xperia XZ Premium (официально первый аппарат с заявленным Snapdragon 835 на борту), а MDP (Mobile Development Platform) – платформа для разработчиков. Стандартная практика, в позапрошлом году с Qualcomm Snapdragon 820 была та же история.

Этот MDP оказался оснащен 6-дюймовым дисплеем с разрешением 2560 × 1440 (560 dpi), 6 Гбайт оперативной памяти LPDDR4 и 64 Гбайт флеш-памяти, а также неожиданно одинарной 21-мегапиксельной камерой; образец включает и Wi-Fi-модуль, и модуль сотовой связи, работающий в том числе и с 4G-сетями.

Оценивать уровень нагрева по данному аппарату, выполненному в очень толстом корпусе со съемной батареей бессмысленно. Тем не менее все-таки стоит сказать, что даже при пиковых нагрузках в бенчмарках корпус оставался максимум чуть теплым. Однако выводы о том, как ведет себя Snapdragon 835 в реальных условиях оставим до тестов коммерческих аппаратов на базе этой платформы. Ниже – только результаты тестирования. К сожалению, загружать бенчмарки по собственному желанию представители Qualcomm не дали, отключив предварительно Google Play и оставив на борту только группу предварительно одобренных бенчмарков. Тем не менее все самое главное, в том числе и из используемого в нашем стандартом пакете, кроме 3DMark Ice Storm Unlimited (вместо него был загружен тест Sling Shot 3.1), было. Для сравнения в тех тестах, где у нас есть результаты, я выбрал аппараты на базе Snapdragon 820 (Sony Xperia XZ), Snapdragon 821 (Xiaomi Mi5s Plus), Samsung Exynos 8890 Octa (Samsung Galaxy Note 7 из-за доступности для него Geekbench 4), HiSilicon Kirin 960 (Huawei Mate 9) и Apple A10 (iPhone 7). Часть тестов уникальна и представлена в виде скриншотов с экрана.

Как видим, драматического прироста производительности на 835-й платформе по сравнению с 820-й и 821-й не произошло. Акцент в этом поколении сделан не на росте чистой вычислительной мощности, а в первую очередь на энергоэффективности. Представители компании заявляют в среднем о 25-процентном приросте в этом компоненте. В бенчмарках эта цифра заметно меньше, хотя Snapdragon в сочетании с 6 Гбайт оперативной памяти и уверенно превосходит всех конкурентов в ключевых синтетических тестах, слегка уступая только Apple A10 в производительности отдельного ядра и держась с ним наравне в плане графической мощи. Тест WEBXprt в немалой степени также говорит об оптимизации – в данном случае его результат нельзя назвать действительно валидным, хотя для иллюстрации он пригоден. Тем не менее бросается в глаза выигрыш в большинстве задач у актуальной платформы Apple – для Snapdragon 820 в сравнении с A9 эта задача была непосильна. Говорить о каком-либо разочаровании в производительности Snapdragon 835 нет никакого смысла. Прогресс очевиден во всех направлениях.

Напоследок – пара «чистых» тестов быстродействия JavaScript. У нас есть результаты Apple iPhone разных поколений в Google Octane. Здесь тоже большое влияние оказывает браузер и его связка с аппаратной платформой. И пара Apple A10 + Safari смотрится, конечно, наголову сильнее – 25 488 баллов против 14 166 у Snapdragon 835. Это уровень Apple A9 – но сюрпризом подобный результат не стал. При смене браузера можно получить большую цифру, но в целом отставание Android-аппаратов от своих конкурентов на iOS по скорости работы в браузере пока еще сохраняется.

Если Вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

3dnews.ru


Смотрите также