Двухранговая память ddr4 с чипами самсунг


Какую память выбрать для Ryzen: Apacer Technology

Впервые услышав термин «информационное общество», автор, надо сказать, испытал настоящий когнитивный диссонанс. Если ценность любого осязаемого продукта производства сомнению не подвергалась ни в коей степени, то информация и знания воспринимались как нечто безусловно важное, но не являющееся ликвидным активом и не влияющее на благосостояние отдельного индивида.

Теперь же, спустя уже практически 20 лет с того момента, автор вновь готов поспорить с этим определением – но уже немного в другом ключе. С его точки зрения, в сегодняшних условиях этот термин можно понимать максимально буквально.

Ведь стоит признать, что сегодня мы действительно живём в обществе, где главным продуктом является информация. И доказательств этому не счесть: достаточно один раз включить телевизор, чтобы понять, что сегодня важны не сами исторические факты, их реальные последствия и правовая оценка – а то, как эти факты преподносятся различными источниками. Или, что гораздо ближе к теме сегодняшней статьи – достаточно открыть любой сервис отзывов, группу в одной из социальных сетей или профильный форум владельцев товара, чтобы понять: сегодня важнее не реальные свойства и характеристики продукта, а то, как их преподносят, и в каком ключе обсуждают его сторонники и противники.

В результате мы имеем весьма забавную ситуацию, когда суждение нового индивида о продукте складывается уже не из его личного опыта, изучения общедоступных характеристик или тесного ознакомления с источниками информации по основной и смежным темам – а на основе того, что говорят прочие участники сообщества.

Разумеется, в самом факте обращения к чужому опыту нет ничего плохого: опыт сам по себе - тоже полезный источник информации. Плохо здесь другое: информация перестаёт восприниматься критически. Является ли сказанное отдельным индивидом частным случаем или общей тенденцией? Достаточно ли компетентен говорящий, чтобы делать какие-то выводы, или он просто не разобрался в проблеме? И, наконец, является ли сказанное на самом деле реальным опытом, или же это специально подготовленная информация, поданная в нужное время в нужном ключе?

Увы, но подобные вопросы сегодня задаются крайне редко.

Не секрет, что одной из наиболее эффективных «пужалок-страшилок», рассказываемых про новые центральные процессоры AMD Ryzen, является тема с оперативной памятью. Хотя сами процессоры появились на рынке уже почти два года назад, получили свою долю внимания от энтузиастов и достаточно широко распространились по парку пользовательской техники, даже сегодня любой потенциальный новый владелец может столкнуться со следующим:

Причём, если попытаться структурировать удивительные истории, наполняющие форумы, сайты магазинов и сервисы отзывов, то окажется, что их тематика по сей день практически не изменилась:

  1. Память не гонится вообще.
  2. Для разгона нужна только дорогая и редкая память.
  3. Нужно обязательно покупать память, имеющую заводской разгон до 3000 МГц и выше.
  4. Можно запустить только ту память, которая есть в списке совместимости производителя платы.
  5. В нём нет дорогой и редкой памяти из пункта 2.
  6. Всё очень плохо.

При этом на количестве историй никак не сказывается тот факт, что на календаре уже 1 квартал 2019 года, процент реальных владельцев платформы АМ4 давно вышел за рамки статистической погрешности, и многое они уже узнали на своём личном опыте. Не говоря уже об опыте энтузиастов, структурированном и сведённом в максимально информативные темы вроде нашего форумного FAQ.

Но что ещё более удивительно – эти истории эффективны. Причём эффективны настолько, что поддаются им не только потенциальные пользователи, но и сами производители оперативки! Во всяком случае, когда автор обращался к ним с идеей проиллюстрировать сказанное в FAQ, взяв ассортимент модулей, продающихся в ДНС, и проверив их на предмет чипов и разгона на АМ4, немалая часть компаний под разными предлогами спешила закончить разговор.

К счастью, так поступили далеко не все. Среди производителей памяти нашлось несколько компаний, которым актуальные для пользователей вопросы близки не на словах, а на деле. А участие в эксперименте с заранее неизвестным результатом – не страшно, а любопытно.

При помощи продукции этих компаний и было решено опубликовать цикл статей, исследующих работу и возможности разгона оперативной памяти на платформе АМ4. Это не полноценный обзор отдельных продуктов, и не попытка найти «лучшие» или «худшие» модули, и даже не продвижение конкретных брендов оперативки. Основная задача этих материалов – показать несоответствие перечисленных выше мифов с объективной реальностью.

И, как можно догадаться из названия, первыми на запрос автора откликнулись специалисты компании Apacer, предоставившие для эксперимента практически все модули памяти объёмом 8 гигабайт, продающиеся в магазинах сети ДНС.

Тестовый стенд и методика тестирования

Для тестов оперативной памяти использовалась уже стандартная платформа под socket AM4, объединяющая флагманский Ryzen 7 2700X с чипсетом X470 и дискретной графикой:

  • Центральный процессор: AMD Ryzen 7 2700X;
  • Материнская плата: Gigabyte X470 Aorus Gaming 7 Wi-Fi (биос версии F7);
  • Система охлаждения процессора: ID-Cooling SE-214 RGB;
  • Термоинтерфейс: Arctic MX-4;
  • Видеокарта: Gigabyte Radeon RX 580 Gaming 4gb;
  • Дисковая подсистема: SSD Western Digital WDS240G1G0A+ HDD Western Digital WD10EZRX-00A8LB0;
  • Корпус: Corsair Carbide 270R;
  • Блок питания: Corsair CX 750M.

Биос материнской платы был предварительно обновлён до версии F7, привносящей agesa версии 1006 Pinnacle Ridge (не путать с agesa 1006/1006a под Summit Ridge, вышедшей около года назад). Разгон оперативной памяти осуществлялся вручную посредством bios.

Критерием стабильности разгона в данном случае являлась способность системы пройти стресс-тест Testmem 5 в версии 0,12, создающий экстремальную нагрузку на подсистему памяти. Результаты разгона, показанные в статье, не являются предельными для тестовых модулей – многие из них грузили ОС и сохраняли стабильность в играх и бенчмарках при более агрессивных настройках, но «в зачёт» пошли только результаты, при которых наблюдалась полная стабильность.

Поскольку одним из мифов о платформе АМ4 является невозможность одновременного использования разных модулей, все тестовые модули запускались в паре с одной планкой из комплекта G.Skill SniperX F4-3400C16D-16GSXW – так гораздо забавнее, а результаты разгона оперативки в любом случае определяются самым медленным из установленных модулей.

Apacer

Поскольку логика статей предполагает движение от младшей к старшей модели, первым в эксперименте участвует максимально бюджетный модуль. У EL.08G2R.KDH – или, если угодно, AU08GGB13CDTBGH – нет ни собственного звучного названия, ни штатного профиля XMP, и даже его частота соответствует лишь стартовому для DDR 4 уровню – 2133 МГц.

Тайминги, разумеется, также стандартны:

15-15-15-36 – типовое значение для DDR4-2133P, стандарт также предполагает существование модулей DDR4-2133N с таймингами, соответствующими модели CL14, и DDR4-2133R – с CL16.

Однако, как может знать любой, кто прочёл FAQ, разгон оперативной памяти определяется не её заводскими параметрами, а чипами, использованными в её конструкции. А точнее – их ревизией, рангом и техпроцессом.

Воспользуемся утилитой Thaiphoon Burner, чтобы определить природу нашего модуля:

С одной стороны, есть две плохие новости: модуль использует чипы Micron и является двухранговым. В большинстве случаев это означает что разгон на АМ4 ограничится 2933 – а во многих случаях и 2800 МГц.

С другой стороны, есть и две хороших новости: модуль произведён сравнительно недавно – в первой половине сентября 2018 года, а код чипов Thaiphoon Burner корректно не считывает. Что, теоретически, является признаком использования довольно свежих чипов… коими у Micron являются 16-нм H-die, серьёзно пытающиеся претендовать на лавры Samsung.

Однако, поскольку явных доказательств в данном случае нет – придётся прибегнуть к эксперименту:

3200 МГц для двухранговых чипов Micron, пусть и ценой довольно высоких таймингов – 18-19-19-40 – весьма и весьма достойный результат. Косвенно это также является подтверждением чипов Micron H-die – хотя бы потому, что двухранги Micron других ревизий на такие результаты просто не способны. Да и двухранговые Samsung C-/D-/E-die в большинстве случаев ограничиваются теми же 3200 МГц – только при более низких таймингах, нередко даже ниже CL16.

Apacer

Второй из рассматриваемых сегодня модулей также относится к OEM-сегменту, но в линейке Apacer занимает чуть более высокую строчку. EL.08G2T.GFH, он же AU08GGB24CEYBGH, соответствует стандарту DDR4-2400T, и предлагает частоту уже не в 2133, а в 2400 МГц – буквально на шаг выше.

Тайминги, однако, здесь тоже выше, причём уже на два шага:

Номинально модуль работает с формулой 17-17-17-39, однако на AM4 параметр Cas Latency поднимается до 18. Иначе говоря, в штатном режиме модуль с частотой 2133 МГц и таймингами 15-15-15-36 имеет все шансы оказаться быстрее.

Но нас ведь интересует не штатный режим, а возможности оперативки к разгону! Поэтому снова воспользуемся Thaiphoon Burner:

Здесь также есть две хороших новости, сопровождающихся одной плохой. Перед нами одноранговый модуль, собранный на чипах Hynix, что само по себе является заявкой на не рекордный, но стабильный средний результат при разгоне.

Плохая же новость заключается в том, что это не MFR, для которых 3200 МГц на АМ4 с таймингами в районе 16-18-18-38 фактически гарантированы, а первое поколение чипов Hynix – AFR, или же A-die. Долгое время эти чипы заслуженно считались аналогами Micron, поскольку даже в одноранговом варианте достигали лишь 3066 МГц.

Однако опыт разгона EL.08G2T.GFH показал несколько иные результаты:

Те же 3200 МГц, но уже с более интересными таймингами, чем у двухрангового Micron – 16-18-18-42. Можно сказать, что AFR старательно делает вид, что он MFR – именно для этих чипов подобные параметры являются стандартными при разгоне на АМ4.

Apacer Panther Golden

Первый из модулей, относящихся к «именной» серии Panther Golden, и занимающий в ней нижнюю строчку, работает на частоте в 2133 МГц, как и самый бюджетный EL.08G2R.KDH. Но, в отличие от него, оснащён радиатором, выполненным в фирменном дизайне:

Причем, несмотря на заявленные на наклейке CL16, модуль соответствует стандарту DDR4-2133P, то есть тайминги у него те же, что и у OEM-ного сородича:

Основное же отличие кроется в структуре – модуль одноранговый, а значит, если ревизия чипов одинакова – потенциал разгона должен быть выше. Однако Thaiphoon Burner снова впадает в недоумение:

Сам модуль произведён в октябре 2018 года, он на месяц моложе своего OEM-ного сородича. А вот корпусировка и ревизия чипов – увы, не распознаются даже последней версией утилиты Thaiphoon Burner. Остается надеяться только на эксперимент:

Те же 3200 МГц при 18-19-19-42, причём в данном случае это не просто результат, при котором проходится Testmem, а грань стабильности вообще. Попытка повысить частоту приводит к тому, что система вообще не проходит POST, а запуск на более низких таймингах – к потере стабильности ОС и вылетам с рабочего стола.

Опять же, судить о ревизии чипов можно лишь по «косвенным уликам», но из всех представителей лагеря Micron так себя ведут только чипы B-die, являющиеся своеобразным аналогом Hynix AFR/MFR. Частота в 3200 МГц на платформе АМ4 для них достижима уже давно, но тайминги оказываются стабильно высокими – в большинстве случаев выше чем у Hynix.

Apacer Panther Silver

Линейка Panther Silver на первый взгляд отличается от предыдущего модуля только цветовым решением:

И более того – даже 2400 МГц при CL16 здесь реализованы за счёт XMP-профиля, тогда как по стандарту JEDEC перед нами всё та же DDR4-2133P с 15-15-15-36:

Однако, как уже не раз говорилось ранее, основная ценность оперативной памяти – не её заводские параметры, а чипы, из которых она собрана. И тестовый EK.08G2T.GEF иллюстрирует этот тезис максимально ярко и наглядно:

Собственно, перед нами одноранговый Samsung B-die. До сих пор лучший вариант для разгона на любой из платформ, поддерживающих DDR 4. Те чипы, на лавры которых лишь посягают новые Micron H-die и Hynix CFR. Те чипы, которых, по мнению интернет-комментаторов, не существует вне модулей G.Skill, а в реальности всё несколько иначе.

С разгоном Samsung B-die на AM4 всё куда понятнее, чем с другими вариантами - однако, как показал опыт, не всегда результат будет рекордным:

Свои 3466 МГц модуль взял – но, увы, с не самыми низкими таймингами: 18-18-18-36. 3600 МГц не покорились вовсе, даже с повышением таймингов и поднятием нарояжения до 1,4 вольта. На 3533 МГц система грузилась и стабильно работала, но Testmem начинал сыпать ошибками уже на второй минуте 1-го цикла.

Попытка же понизить тайминги от CL18 приводила к невозможности запуска ОС – система начинала сыпать ошибками и запускать автоматическое восстановление, которое впадало в бесконечный цикл. Таким образом, 3466 МГц при 18-18-18-36 оказались единственным стабильным режимом. Впрочем, и это неплохой результат.

Apacer Panther Golden

Фактически старшая модель в линейке Panther Golden по внешнему виду и комплектации не отличается от EK.08G2R.GDC, но предлагает уже гораздо более агрессивный режим работы: 2666 МГц при 16-16-16-36.

Разумеется, речь не идёт о стандарте JEDEC – соответствующие параметры заложены в профиль XMP:

Учитывая, чем на деле оказался предыдущий модуль, можно было бы надеяться на не менее интересные чипы, однако 2666 МГц при CL16 – результат, одинаково достижимый практически для всех присутствующих на рынке вариантов.

Поэтому информация, полученная при помощи Thaiphoon Burner, не вызывает особого разочарования:

Всё те же одноранговые чипы Hynix AFR, производимые по 21-нм техпроцессу. То есть модуль фактически ничем не отличается от EL.08G2T.GFH, кроме радиатора и профиля XMP – в плане разгона остается надеяться лишь на более удачные экземпляры чипов.

И в некоторой мере эти надежды даже оправдываются:

Итоговая частота составила всё те же 3200 МГц, а вот тайминги удалось несколько понизить – до 16-17-17-38. Увы, ни ровные CL16, ни CL14, которых отборные Hynix MFR достигали ещё на agesa 1004 для Summit Ridge, в данном случае недостижимы, но для AFR это всё равно очень и очень хороший результат.

Apacer Blade

Последний участник на сегодня относится к топовой линейке Apacer, ориентированной на геймеров и энтузиастов. Дизайн модулей не имеет ничего общего с линейкой Panther, да и продаются они исключительно комплектом.

На правах топового решения, модули имеют штатный профиль XMP, предлагающий частоту в 2800 МГц при таймингах 17-17-17-37:

Нужно сказать, что ни частота, ни тайминги в данном случае не являются чем-то выдающимся, примерно такой же режим предлагали и рассмотренные ранее бюджетные модули QUMO. Однако, это ещё один наглядный пример того, что память необходимо выбирать отнюдь не по цифрам в характеристиках:

Как и рассмотренный ранее модуль из линейки Panther Silver, этот экземпляр основан на одноранговом Samsung B-die, и наличие у него профиля XMP позволяет надеяться на то, что используемые чипы проходили некую процедуру отбора.

Причем эта надежда в некоторой мере оправдывается:

Модуль Apacer Blade легко и с первого раза заработал в том режиме, в котором автор использует комплект G.Skill – а именно, 3466 МГц при 16-16-16-36. И это – уже не просто неплохой, а довольно хороший результат. Более того: ОС грузилась и на 3600 МГц при 18-18-18-42 и напряжении в 1,38 вольта, но пройти Testmem было уже нельзя.

Разгон 4-х разных модулей оперативной памяти на АМ4

Один из мифов о работе оперативки на АМ4 гласит, что разгоняются только два модуля. Если вы установите 4 планки – работать они будут только в штатном режиме, либо не будут работать вообще.

На самом деле, этот миф ранее уже опровергался, о чём есть соответствующий пост в FAQ. Однако в том случае использовались пусть и разные комплекты, но оба набора были основаны на Samsung B-die, что нельзя было назвать в полной мере показательным примером.

Поэтому автор не смог не заполнить все 4 слота модулями на разных чипах и не посмотреть на результат:

Для большей наглядности – конфигурация выглядит следующим образом:

  • Слот 1 - Samsung B-die, одноранг
  • Слот 2 - Micron H-die, двухранг
  • Слот 3 - Micron B-die, одноранг
  • Слот 4 - Hynix AFR, одноранг

Тайминги в данном случае были позаимствованы у наиболее медленных планок на чипах Micron – модель 18-19-19-42 уже можно было видеть ранее по тексту. Увы, но даже с этими таймингами 3200 МГц оказались недостижимы – набор запустился только на 3066 МГц. Что, впрочем, тоже далеко от определения «4 модуля не разгоняются» - да и большой вопрос, остался бы разгон тем же, если бы использовались модули на одинаковых чипах.

Тесты на платформе АМ4 с дискретной графикой

Синтетика и рабочие задачи

Тесты в играх

Выводы

Как и говорилось во вступительной части, выводы из данной статьи не будут касаться поиска «хороших» и «плохих» вариантов для разгона. И без того уже не раз говорилось и доказывалось, что одноранг Samsung B-die до сих пор предпочтительнее, Micron H-die близок к нему, Hynix MFR где-то посередине, а Micron B-die – замыкает список.

В той же мере вывод не будет касаться продукции Apacer – хотя поводов не советовать её по результатам тестов нет, благо модули умеют выходить далеко за рамки своих паспортных характеристик.

Но данная статья всё же немного о другом, а потому и выводы из неё будут касаться другого.

Начнём с простого: на момент написания статьи в списке совместимости тестовой платы Gigabyte X470 Aorus Gaming 7 Wi-Fi есть только 4 модуля Apacer объёмом в 8 гигабайт. Работают в ней при этом все 6 модулей, причем отличных от тех, что приведены в списке. Очевидно, это можно считать ещё одним аргументом против комментариев о необходимости покупать исключительно присутствующие в списке модели.

При этом все 6 модулей работают в паре с очевидно отличающимся от них модулем G.Skill, не вызывая никаких конфликтов и разгоняясь так, как следовало ожидать от их чипов. Разумеется, два разных профиля XMP работать одновременно не могут, параметры частоты и таймингов в таком случае необходимо выставлять вручную – но так две разных планки поведут себя абсолютно на любой платформе.

Все шесть протестированных модулей разгоняются. Вне зависимости от их цены, позиционирования, наличия или отсутствия профиля XMP. И разгоняются гораздо сильнее, чем предусмотрено на заводе, а, следовательно - комментарии о необходимости приобретения только редких и дорогих модулей – как минимум несостоятельны. На сегодняшний день практически любые паспортные 2133 МГц можно превратить если не в 3200, то хотя бы в 3066.

Разгон зависит от чипов. Не от цены, не от имени производителя, не от позиционирования модуля на рынке, не от даты его производства – от чипов. Безусловно, есть некоторая разница, которую можно наблюдать между двумя вариантами одноранговых Hynix AFR или двумя Samsung B-die – но при этом бюджетный вариант Samsung B-die не превращается в дорогой вариант Hynix AFR, а дешёвый вариант Hynix AFR всё равно быстрее более дорогого Micron B-die, пусть у последнего есть красивая коробка и радиатор.Ну и ещё один момент, касающийся цены: оказывается, модули G.Skill Sniper X и Apacer Blade, основанные на одинаковых чипах, могут работать на одинаковых частотах и таймингах. Стоят они при этом немного разных денег – желающие могут проверить.

Наконец, разгон памяти на АМ4 со временем становится проще, а результаты - выше. За счет выхода новых версий agesa, повышающих стабильность и открывающих новые возможности – что видно на примере обоих Hynix AFR, показывающих результаты, ранее доступные более современным MFR. Либо за счёт выхода новых ревизий чипов -– примером могут служить всё те же Micron H-die, способные на то, что другим поколениям чипов Micron не под силу ни при каких условиях.

Разумеется, в комментариях, на сервисах отзывов, форумах и в особенности – «хорошо» известных youtube-каналах продолжатся разговоры об обратном – автор и не рассчитывал на то, что одна статья что-то изменит. Но и статья недолго будет одной – подобные исследования запланированы и по ассортименту некоторых других производителей, и даже по отдельным OEM-модулям, собранным на интересных в плане разгона чипах.

club.dns-shop.ru

Лучшая оперативная память DDR4 для Ryzen

Инструкции 23.01.2019 admin

После процессора и видеокарты, одним из самых важных компонентов вашего компьютера является оперативная память. Особенно оперативная память важна для процессоров Ryzen. Поскольку их контроллер памяти работает на частоте, вдвое меньшей от частоты оперативной памяти. Поэтому производительность процессора напрямую зависит от частоты вашей памяти.

Конечно, для Intel тоже характерна такая особенность, но для Ryzen она проявляется намного сильнее из-за особенностей его архитектуры. Тем не менее, важно не потратить слишком много, иначе ваши деньги можно было бы использовать в другом месте. В этой статье будет рассмотрена лучшая оперативная память DDR4 для Ryzen, а также мы попытаемся разобраться какую память вам выбрать.

Как выбрать память для Ryzen?

Перед тем, как переходить к списку лучшей оперативной памяти, давайте разберемся в параметрах, которые мы будем учитывать.

  • Объем оперативной памяти — что касается количества оперативной памяти, то сейчас стандартом системных требований многих популярных игр стало 8 Гб. Поэтому лучше брать с запасом на несколько лет вперед и устанавливать 16 Гб;
  • Количество планок — память может работать в одноканальном режиме и двухканальном. В двухканальном режиме у памяти намного выше производительность. Большинство современных материнских плат поддерживает двухканальный режим, но для этого нам нужно, как минимум две планки;
  • Ранг памяти — если говорить простыми словами, то двухранговый модуль памяти, это два обычных модуля, размещенных в одной плате. Таким образом, вы можете установить одну планку двухранговой памяти и она будет работать в довухканальном режиме. В нашем списке вся память будет одноранговая;
  • Тайминги — это задержки при работе памяти, чем ниже задержки, тем выше производительность. Тайминги состоят из нескольких параметров. Как правило, они записываются в такой последовательности: CAS, tRCD, tRP, tRAS, и Command Rate.
  • CAS или CL — один из самых важных параметров таймингов. Если говорить просто, то это задержка от сообщения контролера памяти модулю, что ему необходима информация из определенной ячейки определенной ячейке к моменту готовности модуля отдать эту информацию. Остальные параметры таймингов можно упустить.

Лучшая оперативная память для Ryzen

Идеальной памятью для бюджетных сборок будут планки с частотой 2667 МГц, дальше ее можно будет просто разогнать. Но не все наборы памяти с частотой 2667 МГц одинаковые и нет гарантии, что ваша материнская плата будет по умолчанию работать с этой памятью на этой частоте. Но если вы покупаете материнскую плату от известного производителя, то на сайте материнской платы обычно указанно какую оперативную память она точно поддерживает. Также стоит обращать внимание на сертификацию от Samsung. Есть несколько списков сертифицированной памяти Samsung Die.

1. Corsair Vengeance RGB (CMR16GX4M2Z2933C16)

Это лучшая оперативная память ddr4 для ryzen и одна из самых популярных на рынке. Вы можете запустить его на частоте 3200 МГц как с первым, так и со вторым поколением процессоров Ryzen. В плане цены Corsair Vengeance RGB на 16 Гб дешевле, чем другие планки с RGB подсветкой. Подсветка, конечно, не нужна, но вы получаете отличную, высокопроизводительную память за небольшую стоимость. Также можно выбрать память белого или черного цвета.

  • Объем одного модуля: 8 Гб;
  • Количество планок: 2;
  • Частота: 2933 МГц;
  • CAS: 16;
  • Напряжение: 1,35 В;
  • Радиатор: есть;

2. Corsair Vengenance LPX (CMK16GX4M2Z2666C16)

Crosair Vengenance — один из лучших наборов памяти для Ryzen высокого уровня. Это одноранговая память, способная по умолчанию работать на частоте от 3600 МГц, в зависимости от выбранной вами модели. Модули памяти имеют небольшой размер, поэтому не будут мешать установке кулера на процессор. Это одни из первых моделей, которые можно посоветовать купить.

  • Объем одного модуля: 8 Гб;
  • Количество планок: 2;
  • Частота: 2666 МГц;
  • CAS: 16;
  • Напряжение: 1,2 В;
  • Радиатор: есть;

3. G.Skill Ripjaws V

Эта лучшая оперативная память для ryzen уже более доступна по цене, по сравнению с предыдущими вариантами, но здесь производителем заданы еще более низкие частоты, но и напряжение питания тоже ниже. Поэтому можно немного повысить напряжение используя XMR профиль памяти и разогнать ее до желаемых цифр.

  • Объем одного модуля: 8 Гб;
  • Количество планок: 2;
  • Частота: 2400 МГц;
  • CAS: 15;
  • Напряжение: 1,2 В;
  • Радиатор: есть;

4.  G.Skill Flare X (F4-2400C15D-16GFX)

Еще один набор памяти от G.Skill. Причем, отличный выбор для бюджетной сборки. Он выглядит так же красиво, как и более дорогие модули, есть черный и красный цвета. Также он будет хорошо себя чувствовать при разгоне. По умолчанию модуль работает на частоте 2400 с таймингами 15-15-15-39 и напряжением 1.2 вольта. Как и более дорогие модели, эта была протестирована в AMD и точно будет хорошо работать с процессором Ryzen.

  • Объем одного модуля: 16 Гб;
  • Количество планок: 2;
  • Частота: 2400 МГц;
  • CAS: 15;
  • Напряжение: 1,2 В;
  • Радиатор: есть;

5. G. Skill Trident Z (F4-3200C16D-16GTZB)

Это одна из самых высокопроизводительных серий оперативной памяти от G.Skill. Производителем заявлена возможность работы на частоте 3200 МГц при таймингах 16-18-18-38. Кроме того, можно также посмотреть такие модели из этой серии F4-2800C15D-16GTZ, F4-3000C15D-16GTZ и F4-3400C16D-16GTZ. Все они есть в списке Samsung E-die, а значит будут отлично работать с Ryzen.

  • Объем одного модуля: 16 Гб;
  • Количество планок: 2;
  • Частота: 3200 МГц;
  • CAS: 16;
  • Напряжение: 1,2-1,35 В;
  • Радиатор: есть;

6. Crucial Ballistix Elite (BLE16G4D30AEEA)

Еще одна неплохая оперативная память для Ryzen 5 2600. Эта память поставляется одной планкой, но несмотря на это она одноранговая. Как и все предыдущие варианты, память низкопрофильная, поэтому установке охлаждения на процессор мешать не будет.

  • Объем одного модуля: 16 Гб;
  • Количество планок: 1;
  • Частота: 3200 МГц;
  • CAS: 15;
  • Напряжение: 1,35 В;
  • Радиатор: есть;

Выводы

Теперь вы знаете какую оперативную память выбрать для ryzen 5 2600. Как видите, выбор достаточно большой, но желательно, чтобы ваша память была в списке Qualified Vendors List вашей материнской платы или же прошла сертификацию Samsung Die. Таких списков есть несколько, это B-Die, C-Die, E-Die. Чем выше буква, тем новее поколение памяти.

te4h.ru

Память для AMD Ryzen: влияние на производительность и правильный выбор

Для того чтобы всесторонне протестировать Ryzen с памятью, работающей в различных режимах, немало сил пришлось потратить на поиск таких модулей DDR4 SDRAM, которые смогли бы работать с этим процессором как на высоких частотах, так и с низкими задержками. Помогли прибывшие в лабораторию планки памяти Corsair Vengeance LPX CMK16GX4M2B4266C19R. Данный комплект базируется на «правильных» с точки зрения AMD чипах Samsung B-die, составлен из двух односторонних одноранговых модулей и формально рассчитан на режим работы DDR4-4266, который действительно можно получить на некоторых LGA 1151-платах с процессорами семейства Kaby Lake. C Ryzen же этот комплект смог стабильно работать на частотах вплоть до DDR4-3200 с низкими задержками.

Такая гибкость позволила полноценно проиллюстрировать то, как система на базе процессора Ryzen 7 реагирует на изменение частоты и таймингов памяти.

Более того, модули Corsair Vengeance LPX CMK16GX4M2B4266C19R позволили добиться и стабильной работоспособности платформы с Ryzen 7 при некотором разгоне памяти выше предельного режима DDR4-3200.

Путём некоторого увеличения частоты BCLK память удалось вывести в находящийся за обозначенными производителем рамками возможностей платформы Socket AM4 режим DDR4-3466.

Здесь уместно напомнить, что разгон систем на базе Ryzen через увеличение частоты BCLK крайне не рекомендуется вследствие того, что он приводит к проблемам со стабильностью шины PCI Express и подключенных к ней устройств. Однако в исследовательских целях мы не стали пренебрегать тестированием Ryzen 7 с памятью DDR4-3466.

Подходящей платформой для проведения испытаний Ryzen с различной памятью стала материнская плата ASUS Crosshair VI Hero. Она может предложить сразу несколько преимуществ. С одной стороны, эта плата – одна из немногих, способных к разгону процессоров AMD изменением частоты BCLK. С другой – ASUS Crosshair VI Hero обладает наилучшей совместимостью с различными режимами памяти. Например, при соблюдении определённых условий данная плата может обеспечить стабильную работу с DDR4-2666 даже при установке четырёх двухранговых модулей, что другие Socket AM4-материнки пока что предложить не в состоянии.

Все эксперименты выполнялись с процессором Ryzen 7 1800X, разогнанным до частоты 3,9 ГГц.

Полная конфигурация тестовой системы, в которой проводилось исследование влияния режимов работы памяти на производительность, выглядит следующим образом:

  • Процессор: AMD Ryzen 7 1800X (Summit Ridge, 8 ядер + SMT, 3,6-4,0 ГГц, 16 Мбайт L3).
  • Процессорный кулер: Noctua NH-U14S.
  • Материнская плата: ASUS Crosshair IV Hero (Socket AM4, AMD X370).
  • Память: 2 × 8 Гбайт DDR4-4266 SDRAM, 19-26-26-46 (Corsair Vengeance LPX CMK16GX4M2B4266C19R).
  • Видеокарта: NVIDIA Titan X (GP102, 12 Гбайт/384-бит GDDR5X, 1417-1531/10000 МГц).
  • Дисковая подсистема: Kingston HyperX Savage 480 GB (SHSS37A/480G).
  • Блок питания: Corsair RM850i (80 Plus Gold, 850 Вт).

Тестирование выполнялось в операционной системе Microsoft Windows 10 Enterprise Build 14393 с использованием следующего комплекта драйверов:

  • AMD Chipset Driver Crimson ReLive Edition 17.3.1;
  • NVIDIA GeForce 378.92 Driver.

В процессе испытаний в общей сложности было протестировано 17 разных режимов работы подсистемы памяти с процессором Ryzen:

  • DDR4-2133 со схемами задержек 10-10-10-30, 12-12-12-32, 14-14-14-34 и 15-15-15-35;
  • DDR4-2400 со схемами задержек 12-12-12-32, 14-14-14-34 и 16-16-16-36;
  • DDR4-2666 со схемами задержек 12-12-12-32, 14-14-14-34 и 16-16-16-36;
  • DDR4-2933 со схемами задержек 14-14-14-34, 16-16-16-36 и 18-18-18-38;
  • DDR4-3200 со схемами задержек 14-14-14-34, 16-16-16-36 и 18-18-18-38;
  • DDR4-3466 с задержками 16-16-16-36 и разгоном BCLK до частоты 130 МГц.

Описание использовавшихся для измерения вычислительной производительности инструментов:

  • Синтетические бенчмарки:
    • AIDA64 Extreme 5.90.4200 – тест Cache and Memory Benchmark;
    • SiSoftware Sandra 2017.03.24.11 – тесты Memory Bandwidth и Cache & Memory Latency.
    Комплексные тесты:
    • Futuremark 3DMark Professional Edition 2.2.3509 — тестирование в сцене Time Spy 1.0.
    Приложения:
    • Adobe Photoshop CC 2017 — тестирование производительности при обработке графических изображений. Измеряется среднее время выполнения тестового скрипта, представляющего собой творчески переработанный Retouch Artists Photoshop Speed Test, который включает типичную обработку четырёх 24-мегапиксельных изображений, сделанных цифровой камерой.
    • Corona 1.3 – тестирование скорости рендеринга при помощи одноимённого рендерера. Измеряется скорость построения стандартной сцены BTR, используемой для измерения производительности.
    • WinRAR 5.40 — тестирование скорости архивации. Измеряется время, затрачиваемое архиватором на сжатие директории с различными файлами общим объёмом 1,7 Гбайт. Используется максимальная степень компрессии.
    • x264 r2744 — тестирование скорости транскодирования видео в формат H.264/AVC. Для оценки производительности используется исходный [email protected] AVC-видеофайл, имеющий битрейт около 30 Мбит/с.
    Игры:
    • Civilization VI. Разрешение 1920 × 1080, DirectX 11, MSAA = 4x, Performance Impact = Ultra, Memory Impact = Ultra.
    • Grand Theft Auto V. Разрешение 1920 × 1080, DirectX Version = DirectX 11, FXAA = Off, MSAA = x4, NVIDIA TXAA = Off, Population Density = Maximum, Population Variety = Maximum, Distance Scaling = Maximum, Texture Quality = Very High, Shader Quality = Very High, Shadow Quality = Very High, Reflection Quality = Ultra, Reflection MSAA = x4, Water Quality = Very High, Particles Quality = Very High, Grass Quality = Ultra, Soft Shadow = Softest, Post FX = Ultra, In-Game Depth Of Field Effects = On, Anisotropic Filtering = x16, Ambient Occlusion = High, Tessellation = Very High, Long Shadows = On, High Resolution Shadows = On, High Detail Streaming While Flying = On, Extended Distance Scaling = Maximum, Extended Shadows Distance = Maximum.
    • Hitman™. Разрешение 1920 × 1080, DirectX 12, Super Sampling = 1.0, Level of Detail = Ultra, Anti-Aliasing = FXAA, Texture Quality = High, Texture Filter = Anisotropic 16x, SSAO = On, Shadow Maps = Ultra, Shadow Resolution = High.
    • Watch Dogs 2. Разрешение 1920 × 1080, Field of View = 70°, Pixel Density = 1.00, Graphics Quality = Ultra, Extra Details = 100%.

В игровых тестах в качестве результатов приводится среднее количество кадров в секунду, а также 0,01-квантиль (первая перцентиль) для значений FPS. Использование 0,01-квантиля вместо показателей минимального FPS обусловлено стремлением очистить результаты от случайных всплесков производительности, которые были спровоцированы не связанными напрямую с работой процессоров и памяти причинами.

⇡#Производительность в синтетических тестах

В первую очередь мы обратились к синтетическим тестам, в которых измеряются показатели практической пропускной способности и латентности.

Нет ничего удивительного в том, что с ростом частоты и с уменьшением задержек памяти пропускная способность увеличивается, а латентность убывает. И главное, о чём можно сказать по итогам этого теста, что контроллер памяти Ryzen чутко реагирует на изменение настроек памяти. Любые оптимизации параметров DDR4 SDRAM отражаются на практических характеристиках вполне ожидаемо, а зависимость «чем быстрее память – тем лучше» действует для Ryzen без каких-либо оговорок.

Отдельного упоминания заслуживает разве только тот факт, что скорость подсистемы памяти при работе Ryzen с DDR4-3466 несколько выбивается из общей картины. Для получения такой частоты DDR4 нам пришлось до 130 МГц увеличить частоту BCLK, и это, как видно по результатам, придало дополнительный импульс показателям практической пропускной способности.

⇡#Производительность в приложениях

На первый взгляд кажется, что скорость памяти мало влияет на производительность в ресурсоёмких задачах. Однако это не совсем так, и замена в системе с процессором Ryzen модулей DDR4-2133 скоростной памятью класса DDR4-3200 может добавить к быстродействию до 15 процентов. Естественно, наибольший прирост наблюдается в тех задачах, которые активно работают с большими объёмами данных, например в архиваторах, но и в других распространённых приложениях прибавка хорошо заметна. Так, в графическом редакторе производительность при смене памяти может вырасти на 6 процентов, а при рендеринге можно наблюдать до 9 процентов прироста скорости.

Также тесты показывают, что увеличение частоты работы модулей DDR4 SDRAM – более результативное мероприятие по сравнению с оптимизацией таймингов. Один 266-мегагерцевый шаг по частоте памяти даёт примерно такой же практический эффект, как и снижение задержек на четыре такта. Именно поэтому в первую очередь рекомендуется пытаться нарастить частоту работы подсистемы памяти, а только потом заниматься подбором таймингов.

⇡#Производительность в играх

Игры относятся к числу тех задач, для которых быстрая память ещё нужнее. Здесь разрыв в производительности аналогичных платформ на базе процессоров Ryzen 7 1800X, оснащённых памятью DDR4-2133 и DDR4-3200, доходит до 12-16 процентов. А это, между прочим, сопоставимо с эффектом, которого можно добиться при разгоне Ryzen 7 1700X или 1800X до частоты 4,0 ГГц. Поэтому, если уж вы решили выжать из Ryzen все соки, не подобрать для вашей конфигурации быструю память было бы очень странно. Архитектура новых процессоров AMD такова, что скорость памяти действительно играет существенную роль, и в производительных игровых системах лучше использовать комплекты DDR4-3000 или DDR4-3200.

Привлекает к себе внимание и результат, полученный при разгоне BCLK до 130 МГц, что дало возможность запустить память в режиме DDR4-3466. Частота кадров в этом случае получается ещё выше, но конфигурировать подобным образом «боевые» игровые системы мы бы всё-таки не советовали. Во-первых, процессорная шина PCI Express в этом случае работает лишь в режиме 2.0, что наверняка отрицательно скажется на игровой производительности при увеличении разрешений до 4K или при установке уровней качества с текстурами высокой детализации. Во-вторых, при разгоне BCLK по описанным выше причинам снижается скорость накопителей и надёжность хранения на них данных.

⇡#Проверка комплектов памяти DDR4-3000 и DDR4-3200

Пользу от установки в системы на базе Ryzen комплектов памяти с высокой частотой отрицать невозможно. Тестирование показало, что одним только правильным подбором модулей DDR4 SDRAM можно поднять уровень производительности на дополнительные 10-15 процентов. Причём заметно масштабируется именно производительность в играх, то есть непосредственно тот её аспект, к которому предъявляются основные претензии. Поэтому совершенно неудивительно, что компания AMD настоятельно рекомендует выбирать такие модули памяти, которые смогут работать как минимум в режиме DDR4-2666, а желательно и побыстрее.

Проблема лишь в том, что выбрать комплект памяти, который заработает с Ryzen на высокой частоте, как минимум непросто. Из-за своей капризности контроллер памяти накладывает на модули DDR4 SDRAM массу странных условий, из-за чего многие оверклокерские комплекты DDR4 SDRAM, формально рассчитанные на высокие частоты, с Ryzen способны работать лишь в сравнительно слабых режимах DDR4-2400 или DDR4-2666.

Формальные требования, которые могут помочь в подборе для Ryzen «правильной» скоростной памяти, сравнительно просты:

  • предпочитать следует одноранговые модули DDR4 SDRAM, которые в большинстве случаев опознаются по размещению чипов на одной стороне печатной платы;
  • массив памяти лучше формировать из пары, а не из четырёх модулей DDR4 SDRAM;
  • стоит избегать памяти, в основе которой лежат чипы производства Hynix;
  • лучшие результаты показывают модули DDR4 SDRAM, которые построены на чипах Samsung B-die. Такие чипы нетрудно отличить по букве B в окончании строки маркировки, начинающейся с K4A.

Однако следовать всем этим правилам не так-то просто. Большинство оверклокерских комплектов памяти, рассчитанных на работу в режимах DDR4-3000 и DDR4-3200, комплектуются теплоотводящими пластинами, скрывающими от пользователя дизайн печатной платы и номенклатуру используемых микросхем. Поэтому приобретение памяти для Ryzen для неподкованного покупателя оказывается сродни лотерее.

Чтобы добавить какую-то ясность в вопросе выбора, мы совместно с нашим партнёром, компанией «Регард», решили проверить распространённые и популярные комплекты DDR4-3000 и DDR4-3200, состоящие из пар 8-гигабайтных модулей, на работоспособность в платформе на базе процессора Ryzen на заявленной частоте. В общей сложности было протестировано 14 комплектов памяти:

  • ADATA XPG Flame AX4U300038G16-SBF (DDR4-3000, 16-18-18 @ 1,35 В);
  • ADATA XPG Dazzle AX4U3000W8G16-SRD (DDR4-3000, 16-16-16 @ 1,35 В);
  • Corsair Vengeance LPX CMK16GX4M2B3000C15 (DDR4-3000, 16-17-17-36 @ 1,35 В);
  • Corsair Vengeance LED CMU16GX4M2B3000C15 (DDR4-3000, 15-17-17-35 @ 1,35 В);
  • Crucial Ballistix Tactical BLT2C8G4D30AETA (DDR4-3000, 15-16-16 @ 1,35 В);
  • Crucial Ballistix Elite BLE2C8G4D30AEEA (DDR4-3000, 15-16-16 @ 1,35 В);
  • GeIL EVO X GEX416GB3200C16DC (DDR4-3200, 16-16-16-35 @ 1,35 В);
  • G.Skill TridentZ F4-3200C14D-16GTZ (DDR4-3200, 14-14-14-34 @ 1,35 В);
  • Kingston HyperX Savage HX430C15SB2K2/16 (DDR4-3000, 15-17-17 @ 1,35 В);
  • Kingston HyperX Predator HX430C15PB3K2/16 (DDR4-3000, 15-17-17 @ 1,35 В);
  • Kingston HyperX Predator HX432C16PB3K2/16 (DDR4-3200, 16-18-18 @ 1,35 В);
  • Patriot Viper 4 PV416G300C6K (DDR4-3000, 16-16-16-36 @ 1,35 В);
  • Patriot Viper 4 PV416G320C6K (DDR4-3200, 16-16-16-36 @ 1,35 В);
  • Patriot Viper Elite PVE416G300C6KBL (DDR4-3000, 16-16-16-36 @ 1,35 В).

Отличной иллюстрацией своеобразности контроллера памяти Ryzen может служить то, что из всего этого списка в режиме DDR4-2933 или быстрее смогли заработать лишь пять комплектов, то есть примерно треть памяти, которая, вообще говоря, предназначена для работы на таких частотах. Давайте познакомимся с результатами тестов подробнее.

⇡#ADATA XPG Flame AX4U300038G16-SBF

AX4U300038G16-SBF – это артикул одного 8-гигабайтного модуля DDR4-3000. Комплекты памяти из таких модулей нужно собирать самостоятельно, что мы и сделали, взяв для теста сразу два экземпляра. Согласно спецификации, при напряжении 1,35 В эта память должна работать на частоте 3000 МГц со схемой задержек 16-18-18.

Однако в AX4U300038G16-SBF инженеры ADATA поставили чипы Hynix, на которые у процессоров Ryzen аллергия. И хотя сами модули при этом получились одноранговыми, включить свой штатный режим в Socket AM4-системе они не смогли.

Лучший результат – работа на частоте 2400 МГц, что очень далеко от заявленного для планок AX4U300038G16-SBF номинального режима. Тайминги при этом удалось скрутить до схемы 12-13-13-34, но вряд ли это может служить утешением. Как было показано выше, для Ryzen куда важнее частота памяти, чем её латентность.

⇡#ADATA XPG Dazzle AX4U3000W8G16-SRD

Ещё один протестированный нами вариант оверклокерской памяти ADATA относится к серии XPG Dazzle. Это означает, что модули оснащены декоративной светодиодной подсветкой. Однако это – далеко не единственное их отличие от аналогичного комплекта XPG Flame. В данном случае номинальный режим описывается параметрами DDR4-3000, 16-16-16, 1,35 В, и равенство базовых таймингов даёт чёткое указание на то, что в модулях стоят не чипы Hynix, а какие-то другие микросхемы.

Микросхемы произведены компанией Samsung, но, к сожалению, это не B-die, а иной вариант ядра. Поэтому у модулей получилась двухранговая архитектура, от которой гладкой работы с Ryzen ожидать не приходится.

И действительно, в практических испытаниях для модулей AX4U3000W8G16-SRD режим DDR4-2933 оказался недостижим. Лучший результат – DDR4-2666 со схемой задержек 14-13-13-34.

⇡#Corsair Vengeance LPX CMK16GX4M2B3000C15

Комплект CMK16GX4M2B3000C15 – очень популярный вариант для систем на базе процессоров Intel. Модули серии Vengeance LPX отличаются невысокими радиаторами и умещаются в системах с любыми кулерами. Взятый нами на тестирование комплект рассчитан на работу на частоте 3000 МГц и напряжении 1,35 В при использовании таймингов 16-17-17-36.

В основе этой памяти лежат чипы Hynix, поэтому особенно хороших результатов при практическом тестировании мы не ожидали. Однако архитектура у модулей одноранговая, что, вероятно, сыграло позитивную роль. В результате стабильная работа с Ryzen оказалась возможна в режиме DDR4-2933.

Таким образом, комплект CMK16GX4M2B3000C15 смог раскрыть заложенный в нём потенциал. И более того, при частоте 2933 МГц нам удалось существенно снизить тайминги, доведя их до 14-15-15-35. Однако более быстрый режим DDR4-3200 для модулей Corsair Vengeance LPX оказался недоступен. Впрочем, его никто и не обещал.

⇡#Corsair Vengeance LED CMU16GX4M2B3000C15

Память серии Corsair Vengeance LED включает в себя модули с белой светодиодной подсветкой. Комплект CMU16GX4M2B3000C15 именно такой. Выглядит это действительно красиво, и, если вы выбрали себе корпус с прозрачным окном и какую-нибудь материнскую плату с иллюминацией, приобретение Vengeance LED действительно имеет смысл. Формально комплект CMU16GX4M2B3000C15 предназначен для эксплуатации в режиме DDR4-3000 с таймингами 15-17-17-35 при напряжении 1,35 В.

Расхождение в задержках CL, tRCD и tRP наводит на мысли о том, что в основе данных модулей памяти Corsair лежат не чипы Samsung. И действительно, проверка поводов для оптимизма не даёт. Хотя рассматриваемая память Corsair Vengeance LED и имеет одноранговую архитектуру, базируется она на настойчиво нерекомендуемых для Ryzen чипах авторства Hynix, выпущенных по 21-нм технологии. Однако инженерам Corsair каким-то образом удалось обойти все проблемы, и на практике комплект CMU16GX4M2B3000C15 устойчиво заработал в режиме DDR4-2933.

Попутно удалось несколько улучшить и тайминги. В итоге память CMU16GX4M2B3000C15 смогла стабильно работать в системе с Ryzen при частоте DDR4-2933 со схемой задержек 14-15-15-35. На фоне иных вариантов – очень неплохой результат.

⇡#Crucial Ballistix Elite BLE2C8G4D30AEEA

Crucial – дочерняя марка компании Micron, поэтому в основе модулей памяти этой фирмы применяются микросхемы американского производителя. AMD никак не высказывалась по поводу того, подходят они для Ryzen или нет, поэтому проверка комплекта DDR4-3000-памяти серии Crucial Ballistix Elite вызывала особый интерес. Выбранный нами для испытаний комплект BLE2C8G4D30AEEA ориентирован на работу при частоте 3000 МГц с таймингами 15-16-16 при напряжении 1,35 В.

Модули BLE2C8G4D30AEEA двухсторонние и имеют двухранговую архитектуру. Поэтому нет ничего удивительного в том, что работать с Ryzen в режиме DDR4-2933 они отказались.

Зато при частоте 2667 МГц стабильная работоспособность оказалась возможна, что является весьма неплохим результатом для комплекта памяти, состоящего из двухранговых планок. Более того, в режиме DDR4-2666 комплекту BLE2C8G4D30AEEA удалось выставить достаточно агрессивные настройки задержек 14-15-15-35.

⇡#Crucial Ballistix Tactical BLT2C8G4D30AETA

По сравнению с Ballistix Elite серия Ballistix Tactical отличается более простой и компактной системой охлаждения и отсутствием термодатчиков. В остальном же это полный аналог Ballistix Elite, построенный на тех же 4-гигабитных 20-нм чипах Micron.

Для комплекта BLT2C8G4D30AETA заявлена частота 3000 МГц, достижимая с таймингами 15-16-16 при напряжении 1,35 В. Однако модули в составе этого комплекта двухранговые. Поэтому высокую частоту в платформах на базе Ryzen они не возьмут.

На практике комплект Ballistix Tactical BLT2C8G4D30AETA заработал лишь в режиме DDR4-2666, а тайминги по сравнению с Ballistix Elite удалось подобрать чуть ниже. Претензий к стабильности не возникало при выборе схемы 14-14-14-34. Впрочем, как можно судить по показаниям Cache & Memory Benchmark, на реальных скоростных параметрах снижение задержек tRCD и tRP практически не сказывается.

⇡#GeIL EVO X GEX416GB3200C16DC

Набор модулей GeIL EVO X интересен по двум причинам. Во-первых, он относится к числу идеально подходящих для Ryzen с точки зрения AMD. Во-вторых, эти модули – с RGB-подсветкой, цвет которой может меняться либо аппаратным переключателем, либо программно. Правда, это делает их сильно неудобными в практическом использовании. Высота модулей с радиаторами, увенчанными светящимися пластиковыми навершиями, достигает 58 мм. А для того, чтобы эта подсветка работала, к ним нужно подключать дополнительный кабель питания. Но по характеристикам планки памяти GEX416GB3200C16DC выглядят вполне достойно. Производитель обещает работоспособность в режиме DDR4-3200 с таймингами 16-16-16-36 при напряжении 1,35 В.

По формальным признакам комплект GeIL EVO X для Ryzen подходит не слишком хорошо. Входящие в него модули имеют одноранговую архитектуру, но основываются на 8-гигабитных чипах Hynix, выпущенных по техпроцессу с 25-нм нормами.

Тем не менее ожидания комплект GEX416GB3200C16DC оправдал полностью. Режим DDR4-3200 оказался полностью работоспособным. Причём в системе с Ryzen удалось даже установить лучшую по сравнению с номинальной схему задержек 16-15-15-35. И это значит, что в определённых ситуациях чипы Hynix всё-таки могут позволить системе памяти Ryzen работать на хорошей частоте.

⇡#G.Skill TridentZ F4-3200C14D-16GTZ

Компания G.Skill – признанный эксперт в разработке оверклокерской памяти. Поэтому комплект TridentZ F4-3200C14D-16GTZ выглядит очень многообещающе, особенно если вспомнить о том, что похожую память рекомендует для Ryzen сама компания AMD. Взятый нами для тестов набор F4-3200C14D-16GTZ обещает не только поддержку максимального для Ryzen режима DDR4-3200, но и возможность работы с агрессивными таймингами 14-14-14-34 при напряжении 1,35 В.

По всем формальным признакам комплект F4-3200C14D-16GTZ подходит для Ryzen идеально. Входящие в него модули имеют одноранговую архитектуру и основываются на 20-нм чипах Samsung B-die. Результаты практического тестирования подтверждают: вот такую память и нужно искать.

Комплект TridentZ F4-3200C14D-16GTZ работает с Ryzen в режиме DDR4-3200 без каких-либо проблем. И даже больше того, дополнительно нам удалось немного снизить задержки без потери стабильности. В итоге частота памяти 3200 МГц покорилась со схемой таймингов 14-13-13-33 — это наилучший результат среди всех протестированных нами тринадцати комплектов.

⇡#Kingston HyperX Savage HX430C15SB2K2/16

Марка HyperX, под которой продаёт модули для энтузиастов компания Kingston, очень популярна в среде геймеров. Поможет ли это комплекту HyperX Savage HX430C15SB2K2/16 совладать с новым процессором AMD? Согласно спецификации, данный комплект должен работать в режиме DDR4-3000 с таймингами 15-17-17 при напряжении 1,35 В. Однако подробное знакомство, выходящее за пределы спецификаций, выявляет в этих модулях потенциальные проблемы.

Комплект HyperX Savage основывается на проблемных 25-нм чипах Hynix, к тому же входящие в него модули имеют двухранговую архитектуру. Иными словами, на высокую частоту работы памяти в системах на базе Ryzen с такими модулями можно не рассчитывать. Они не подходят для процессоров AMD по всем признакам.

Результат практической проверки удивления не вызывает. Максимальная частота, на которой комплект HyperX Savage DDR4-3000 смог заработать с новым процессором AMD, – 2400 МГц. Тайминги, конечно, при этом удалось убавить до 12-12-12-32, но вряд ли это кого-то утешит. DDR4-2400 – это очень слабый режим.

⇡#Kingston HyperX Predator HX430C15PB3K2/16

Комплект Kingston HyperX Predator HX430C15PB3K2/16 по своим спецификациям очень похож на рассмотренную память HyperX Savage HX430C15SB2K2/16. Он точно так же рассчитан на работу на частоте 3000 МГц с таймингами 15-17-17 при напряжении 1,35 В, и кажется, что отличие серии HyperX Predator заключается лишь в более массивных радиаторах.

Но это совсем не так. Несмотря на то, что комплект HX430C15PB3K2/16 тоже базируется на чипах Hynix, сами чипы для него выбраны другие – 8-гигабитные. Это позволило Kingston сделать модули одноранговыми, что даёт надежду на немного лучшие результаты.

Однако надежды не оправдываются. Максимум, доступный для комплекта HyperX Predator DDR4-3000 в системе на базе Ryzen, – всё тот же позорный режим DDR4-2400. Да, с низкими таймингами 12-12-12-32, но от этого не легче. Похоже, использовать память Kingston вместе с новыми процессорами AMD просто противопоказано.

⇡#Kingston HyperX Predator HX432C16PB3K2/16

Взяли мы на пробу и более скоростной вариант памяти HyperX Predator, который рассчитан на работу при частоте 3200 МГц с таймингами 16-18-18 при напряжении 1,35 В. Однако многого от него ожидать не приходится тоже. Увеличенные относительно CL задержки tRCD и tRP – первый признак того, что в системе на базе Ryzen такая память проявит себя плохо.

И это не просто эмпирическое наблюдение. Дело в том, что подобные схемы задержек обычно характерны для модулей памяти на чипах Hynix – именно тех, с которыми у Ryzen вечно возникают какие-то принципиальные разногласия. Комплект HX432C16PB3K2/16 полностью подтверждает эту теорию. Он действительно основывается на 8-гигабитных чипах Hynix, выпущенных по 25-нм техпроцессу. И пусть сами модули при этом одноранговые, одного только упоминания о Hynix достаточно для того, чтобы на высокой частоте с Ryzen они бы работать не смогли.

Поэтому практический результат испытаний нас не удивил. Наилучший режим работы комплекта HyperX Predator HX432C16PB3K2/16 в системе на базе нового процессора AMD – DDR4-2400, то есть в полтора раза хуже номинального режима по частоте. Тайминги, естественно, при этом удалось снизить до 12-12-12-32, но на производительность это влияет слабо. Она в данном случае ограничена именно частотой работы памяти.

⇡#Patriot Viper 4 PV416G300C6K

Модули Patriot Viper 4 рассчитаны на работу в режиме DDR4-3000 при задержках 16-16-16-36 и напряжении 1,35 В. Насколько нам известно, данный производитель оверклокерской памяти активно пользуется чипами Sаmsung, так что выглядят такие характеристики многообещающе. Однако более подробное знакомство преподносит неприятный сюрприз.

Модули памяти, входящие в комплект PV416G300C6K, – двухсторонние и имеют двухранговый дизайн. И этот факт сразу ставит крест на возможности запустить их с Ryzen в штатном режиме DDR4-3000.

Максимальная частота, полученная нами в практических испытаниях, составила 2667 МГц. При выборе более агрессивного режима памяти DDR4-2933 система попросту не стартовала. Так что ограничиться пришлось одной лишь оптимизацией таймингов. В итоге задержки удалось снизить до схемы 14-15-15-33.

⇡#Patriot Viper 4 PV416G320C6K

Комплект памяти PV416G320C6K – почти такой же, как и PV416G300C6K, но рассчитанный на более высокую частоту работы – DDR4-3200. Тайминги и рабочее напряжение при этом декларируются аналогичные: 16-16-16-36 и 1,35 В. Но самое главное – это схожая начинка. В основе модулей Patriot Viper 4, ориентированных на частоту 3200 МГц, так же как и в более медленной модификации, используются полупроводниковые компоненты Samsung.

Если говорить конкретнее, то тут на планках памяти установлены микросхемы Samsung D-die. Это, конечно, не B-die, но на самом деле тоже неплохо. Тем более что чипы эти 8-гигабитные, а значит, модули на их основе получаются односторонними и одноранговыми.

При практической проверке комплект PV416G320C6K оказался весьма неплох. Он, как и память G.Skill, смог обеспечить работу на частоте 3200 МГц с таймингами 14-13-13-33. Таким образом, наше тестирование позволило выявить ещё один интересный вариант памяти, который можно использовать с процессорами Ryzen наряду с рекомендуемыми AMD комплектами Corsair, G.Skill и Geil.

⇡#Patriot Viper Elite PVE416G300C6KBL

Комплект Patriot Viper Elite PVE416G300C6KBL – полный аналог Viper 4 PV416G300C6K, отличающийся лишь расцветкой и конфигурацией радиаторов. Поэтому удивляться характеристикам этой памяти, которая рассчитана на работу в режиме DDR4-3000 при таймингах 16-16-16-36 и напряжении 1,35 В, совершенно не приходится.

Чипы Samsung собраны в двухранговые модули. Из-за этого со способностью комплекта Patriot Viper Elite PVE416G300C6KBL работать в режиме DDR4-2933 можно попрощаться.

На практике такая память заработала с Ryzen на частоте 2666 МГц с задержками 14-13-13-33, что для комплекта двухранговых модулей – очень неплохой результат. Однако использовать такую память в платформе Socket AM4, естественно, не стоит.

⇡#Итоговая таблица результатов проверки

 Номинальная частотаМаксимальная частота с AMD Ryzen
ADATA XPG Flame AX4U300038G16-SBF DDR4-3000 DDR4-2666
ADATA XPG Dazzle AX4U3000W8G16-SRD DDR4-3000 DDR4-2666
Corsair Vengeance LPX CMK16GX4M2B3000C15 DDR4-3000 DDR4-2933
Corsair Vengeance LED CMU16GX4M2B3000C15 DDR4-3000 DDR4-2933
Crucial Ballistix Tactical BLT2C8G4D30AETA DDR4-3000 DDR4-2666
Crucial Ballistix Elite BLE2C8G4D30AEEA DDR4-3000 DDR4-2666
GeIL EVO X GEX416GB3200C16DC DDR4-3200 DDR4-3200
G.Skill TridentZ F4-3200C14D-16GTZ DDR4-3200 DDR4-3200
Kingston HyperX Savage HX430C15SB2K2/16 DDR4-3000 DDR4-2400
Kingston HyperX Predator HX430C15PB3K2/16 DDR4-3000 DDR4-2400
Kingston HyperX Predator HX432C16PB3K2/16 DDR4-3200 DDR4-2400
Patriot Viper 4 PV416G300C6K DDR4-3000 DDR4-2666
Patriot Viper 4 PV416G320C6K DDR4-3200 DDR4-3200
Patriot Viper Elite PVE416G300C6KBL DDR4-3000 DDR4-2666

⇡#Выводы

Когда мы начинали знакомиться с AMD Ryzen, подозрения о том, что контроллер памяти – одно из слабых мест в архитектуре этого процессора, у нас только зарождались. Теперь же налицо явное тому подтверждение. С момента официального анонса и начала продаж минуло уже полтора месяца, в течение которых разработчики компании AMD и производители материнских плат имели прекрасную возможность внести все необходимые коррективы в микропрограммы и BIOS. Однако несмотря на то, что новые версии прошивок регулярно выходили, ситуация с производительностью памяти не нормализовалась. Контроллер DDR4 SDRAM, встроенный в Ryzen, может похвастать лишь неплохой пропускной способностью, но латентность и совместимость со скоростными модулями памяти продолжает вызывать серьёзные претензии.

Единственное, что компания AMD смогла сделать за прошедшее время, это пообещать, что в будущих прошивках для материнских плат, которые будут выходить в течение ближайших месяцев, вероятно, появится возможность нормально использовать более скоростные модули памяти, чем DDR4-3200. Если всё так и будет, то к теме работы памяти в платформе Socket AM4 мы ещё вернёмся. Однако кое-какие важные выводы можно сделать уже сейчас.

Правильный выбор оперативной памяти – один из ключевых квестов, который перед пользователем ставит Ryzen. И от того, насколько успешно он будет пройден, зависит на самом деле очень многое. Дело в том, что частота работы памяти влияет не только на её пропускную способность: архитектура Ryzen такова, что на эту частоту завязана также скорость работы внутрипроцессорной шины Infinity Fabric, а значит, выбором памяти определяется и то, насколько быстро вычислительные ядра смогут общаться между собой, с L3-кешем и с контроллерами, встроенными в CPU. Яркую иллюстрацию этого факта мы видели в тестах: простым изменением режимов работы DDR4 SDRAM можно увеличить производительность системы с Ryzen на 10-15 процентов.

Из сказанного следует, что важнейшая характеристика памяти в платформах на базе Ryzen — её частота. И действительно, тесты показывают, что она влияет на производительность гораздо отчётливее, чем задержки. Поэтому в первую очередь модули DDR4 SDRAM для Ryzen следует подбирать по частоте. При этом в голове можно держать простое правило: один 266-мегагерцевый шаг в частоте памяти даёт примерно такой же эффект, как снижение таймингов на четыре цикла.

Впрочем, зная одно лишь это, выбрать подходящую DDR4 SDRAM для Ryzen будет непросто. Дело в том, что контроллер памяти этого процессора ужасно привередлив, и на высоких частотах с ним могут сработаться очень немногие модули памяти. Фактически, если вы планируете получить подсистему памяти, работающую в режиме старше DDR4-2133/2400, подбирать модули придётся по специальному рецепту.

Самый простой вариант – взять на вооружение список совместимых моделей, опубликованный на сайте производителя материнской платы. Однако иногда такие списки не содержат приемлемых или доступных в продаже вариантов. Тогда действовать придётся, имея в виду общие предпочтения контроллера памяти Ryzen. Во-первых, выбирать следует односторонние модули: они, скорее всего, окажутся одноранговыми. Во-вторых, лучше предпочесть планки памяти, которые построены на чипах Samsung, а ещё лучше, если эти чипы будут на полупроводниковых кристаллах B-die. И в-третьих, формировать подсистему памяти лучше из двух модулей, оставляя пару слотов DIMM свободными.

Благодарим компанию «Регард» за предоставленные для тестов комплекты памяти.

Если Вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

3dnews.ru

DDR4 и Ryzen. Нюансы настройки и разгона памяти на платформе AMD AM4

Авторский материал

За последние несколько лет AMD выпустила два поколения высокопроизводительных процессоров Ryzen, основанных на совершенно новой архитектуре с огромным потенциалом. Недавно компания представила уже третье поколение. Но, тем не менее, Интернет полон страхов и недопониманий потенциала платформы «не от Intel». Некоторые пользователи до сих пор боятся приобретать систему AMD AM4 из-за ряда причин, проявившихся во время старта продаж первого поколения.

Мое имя Юрий Бублий (@1usmus), я являюсь разработчиком DRAM Calculator for Ryzen, автором многочисленных BIOS-модификаций и куратором десятка тем, посвященных этим процессорам и всему, что их окружает. После двух лет исследований и разработок я готов поделиться своими секретами по оптимизации памяти в системах Ryzen. Под оптимизацией я имею в виду разгон и настройку системной оперативной памяти. Да-да, то самое коварное слово «разгон».

«О Боже, там так много параметров и это может еще повлиять на гарантию!» — подумали вы. Нет, все гораздо проще. Сегодня я расскажу, на что стоит обратить внимание при покупке, как быстро и правильно настроить систему, минуя страхи и типичные ошибки, которые можно получить в процессе разгона.

Некоторые из вас могут спросить, какие реальные преимущества можно получить от разгона памяти и что в целом оно даст? Начну с того, что существует возможность увеличить средний fps в играх до 50% только благодаря оптимизации подсистемы памяти. Этот показатель не является просто числом, это сумма факторов, которые влияют на качество вашего геймплея. Сюда входят значения 1% low и 0,1% low, минимальный fps, средний и максимальный. То есть, если у вас есть желание получить максимум отдачи от системы, вам все-таки придется осилить эту статью.

Звучит заманчиво, не так ли?

Infinity Fabric

Для связи между отдельными блоками в процессорах AMD Ryzen используется внутреннее соединение Infinity Fabric, пришедшее на смену шине HyperTransport.

Под блоками подразумевается вычислительные комплексы ЦП (группы до 4 ядер ЦП именуемые CCX). Infinity Fabric имеет свой собственный тактовый домен, который синхронизируется с физической частотой памяти. Поколения Zen 1 и Zen+ работают в режиме UCLK=MEMCLK. Поколение Zen 2 получит дополнительный режим UCLK=1/2 MEMCLK, который существенно увеличит частотный потенциал DRAM во время разгона.

Конструктивно Infinity Fabric представляет собой 256-битную двунаправленную шину. С ее помощью в шестиядерных и восьмиядерных моделях процессоров Ryzen (архитектуры Zen 1 и Zen+) два четырехъядерных модуля (CCX) обмениваются данными с другими блоками, включая контроллер PCI Express и южный мост. В Zen 2 обмен данными происходит не только между CCX, а и между чиплетами CCD и мастер-чиплетом I/O посредством новой двунаправленной шины.

Infinity Fabric Zen/Zen+ функционирует на частоте, равной физической частоте системной ОЗУ. Например, если контроллер памяти работает c DDR4-2133 в режиме UCLK=MEMCLK, матрица коммутатора синхронизируется с частотой 1066 МГц (напомню, эффективная частота указана в обозначении памяти). Это означает, что более быстрая память позволяет увеличить пропускную способность внутреннего соединения Infinity Fabric.

Эта технология открывает большие перспективы при создании многоядерных процессоров, таких как Ryzen 3000, о которых мы вскоре с вами поговорим.

Типы памяти

За последние 10 лет компания Intel посеяла в головах пользователей главный тезис — оперативная память это декоративная заглушка, иногда она имеет подсветку и прикольно выглядит в корпусе, люди перестали задумываться о реальной значимости ОЗУ.

На данный момент на рынке оперативной памяти представлено огромное кол-во вариантов, которые могут нас заинтересовать, но могут оказаться совершенно бесполезными. Какую же выбрать?

Лидером в разгоне является оперативная память на чипах Samsung B-die (20 нм). Эти чипы демонстрируют рекордные показатели частоты/латентности «из коробки». Хочу отметить важный момент, что вам не обязательно покупать набор, на котором будет нарисовано красивые числа вроде 4200+ МГц, в большинстве случаев разгон такого комплекта будет сопоставим с набором DDR4-3000 с CL14. Безусловно, кремниевая лотерея присутствует и может оказаться, что «3000CL14» больше 3600 МГц не захотят брать стабильно. В качестве примера я покажу вам, что могут модули, которые попали в этот материал.

Первыми в списке идут G.Skill Sniper X 3400C16 (F4-3400C16-16GSXW). Это одноранговая (или single rank) память, базовые характеристики нельзя назвать феноменальными, в отличие от результата, который получен после разгона.

Так же на этих модулях удалось получить заветные 3733 МГц при CL14, но с довольно большим напряжением — 1,51 вольт. Я считаю, что данное напряжение не подходит для использования в режиме 24/7, так как есть шанс получить  преждевременную «смерть» плашек.

Далее в списке приоритетных покупок идет память, основанная на чипах SK hynix CJR (18 нм). В моем распоряжении были G.Skill Sniper X 3600C19 (F4-3600C19-16GSXWB), данная память почти на 50% дешевле вышеупомянутых Samsung B-die.

Касаемо разгона — 3933 МГц при CL16, абсолютный рекорд по частоте и пропускной способности для 4-слотовой материнской платы (о ней мы поговорим позже).

И это для нее не предел, 4000 МГц при CL16 реальность.

В свежей версии калькулятора я подготовил пресеты включительно до 3867 МГц.

Так же в этом году рынок получил и новые Micron H/E-die (19 нм). К сожалению, на момент написания материала этих наборов у меня в руках еще не было. По предварительным тестам моих коллег, память аналогично хороша в разгоне и может составить конкуренцию для Hynix CJR.

А что же двухранговая память, она же dual rank? На данный момент результаты разгона данного типа оперативной памяти довольно печальные, контроллеру памяти тяжело справлять с четырьмя рангами. Даже не контроллеру, а «разводке» шин. Максимум, что пока доступно — 3466 МГц при CL14 для Samsung B-die и 3600 МГц при CL16 для Hynix CJR. Единственный плюс от четырех рангов — это внушительный объем оперативной памяти и технология чередования рангами, которая увеличит производительность системы в играх. Что как и на сколько — вы увидите в разделе тестов.

Материнские платы и топология

Существует очень много материснких плат на разных чипсетах, в различных форм-факторах и с разными скрытыми особенностями. Ключевой особенностью в разгоне памяти на системах Ryzen является DIMM-топология, количество слоев PCB и DIMM-слотов.

Рекордсменом в разгоне оперативной памяти являются двухслотовые материнские платы, например ASUS ROG Strix X470-I Gaming.

Отсутствие двух дополнительных слотов серьезно влияет на качество сигналов и переотражения на линии. Что касается предельной частоты разгона без использования воды или азота — около 3866–3933 МГц.

Далее идут платы с топологией Daisy Chain, их преимущество заключается в оптимизированной длине линий (шины) между процессором и слотами А2 и В2.

Типичными представителями являются ASUS ROG Crosshair VII Hero, ASUS Prime X470-Pro и MSI X470 Gaming M7 AC.

3800 МГц это максимум, который доступен этим представителям при использовании двух модулей single rank и без использования экстримальных способов охлаждения.

При использовании четырех модулей разгон несколько хуже, предел находится на частотах 3400–3466 МГц.

Замыкают список платы с Т-топологией, которые имеют посредственные результаты разгона при использовании двух модулей оперативной памяти, но прекрасные результаты, если установлено четыре модуля (до 3533 МГц включительно). Яркие примеры — это Asrock X470 Taichi и ASUS ROG Crosshair VI.

Терминология

Ниже приведен список технических терминов, относящихся к разгону памяти с процессором Ryzen. Последний использует стандартную архитектуру памяти DDR4, поэтому вы можете быть знакомы с некоторыми из этих терминов. Некоторые другие термины являются новыми и характерными для UEFI материнских плат платформы AM4.

SOC Voltage — напряжение контроллера памяти. Предел 1,2 В.

DRAM Boot Voltage — напряжение, на котором происходит тренировка памяти при запуске системы. Лимит: до 1,45–1,50 В.

VDDP Voltage — это напряжение для транзистора, который конфигурирует содержимое оперативной памяти. Лимит: до 1,1 В.

VPP (VPPM) Voltage — напряжение, которое определяет надежность доступа к строке DRAM.

CLDO_VDDP Voltage — напряжение для DDR4 PHY на SoC. DDR4 PHY, или интерфейс физического уровня DDR4, преобразует информацию, которая поступает из контроллера памяти в формат, понятный модулям памяти DDR4.

Несколько нелогично, что снижение CLDO_VDDP часто может быть более выгодным для стабильности, чем повышение. Опытные оверклокеры также должны знать, что изменение CLDO_VDDP может сдвинуть или устранить дыры в памяти. Небольшие изменения в CLDO_VDDP могут иметь большой эффект, и для CLDO_VDDP нельзя установить значение, превышающее VDIMM –0,1 В. Tсли вы измените это напряжение, то потребуется холодная перезагрузка. Лимит: 1,05 В.

Vref Voltage — источник опорного напряжения оперативной памяти. «Настройка» взаимосвязи контроллера памяти и модуля памяти в зависимости от уровня напряжения, которое рассматривается как «0» или «1»; то есть напряжения, найденные на шине памяти ниже MEMVREF, должны рассматриваться как «0», а напряжения выше этого уровня должны считаться «1». По умолчанию этот уровень напряжения составляет половину VDDIO (около 0,500x). Некоторые материнские платы позволяют пользователю изменять это соотношение, обычно двумя способами: (1) «DRAM Ctrl Ref Voltage» (для линий управления с шины памяти; официальное название JEDEC для этого напряжения — VREFCA) и (2) «DRAM Ctrl Data Ref Voltage» (для строк данных с шины памяти; официальное название JEDEC — VREFDQ). Эти параметры настроены как множитель.

VTT DDR Voltage — напряжение, используемое для управления сопротивлением шины, чтобы достигнуть высокой скорости и поддержать целостность сигнала. Это осуществляется с помощью резистора параллельного прерывания.

PLL Voltage — определяет напряжение питания системы Фазовой АвтоПодстройки Частоты (ФАПЧ или PLL — Phase Locked Loop) и является актуальной лишь для повышения стабильности во время разгона системы с помощью BCLK. Лимит: 1,9 В.

CAD_BUS — САПР командной и адресной шины. Для тех, кто может тренировать память на высоких частотах (>=3466 МГц), но не может стабилизировать ее из-за проблем с сигнализацией. Я предлагаю вам попробовать уменьшить токи привода, связанные с «Командой и адресом» (увеличив сопротивление).

CAD_BUS Timings — задержка трансивера. Значения являются битовой маской (грубой / точной задержки). Аналог RTL/IOL в исполнении AMD. Имеют огромное влияние на тренировку памяти.

procODT — значение сопротивления, в омах, который определяет, как завершенный сигнал памяти терминируется. Более высокие значения могут помочь стабилизировать более высокие скорости передачи данных. Ограничение: нет.

RTT (время приема-передачи) — это время, затраченное на отправку сигнала, плюс время, которое требуется для подтверждения, что сигнал был получен. Это время задержки, следовательно, состоит из времени передачи сигнала между двумя точками. Настройка, которая отвечает за оптимизацию целостности сигнала. DRAM предлагает диапазон значений сопротивления нагрузки. Конкретное сопротивление приемника выводов DQ, представленное интерфейсу, выбирается комбинацией начальной конфигурации микросхемы и рабочей команды DRAM, если включено динамическое завершение на кристалле.

Geardown Mode — позволяет памяти уменьшать эффективную скорость передачи данных на шинах команд и адресов.

Power Down Mode — может незначительно экономить энергию системы за счет более высокой задержки DRAM, переводя DRAM в состояние покоя после периода бездействия.

BankGroupSwap (BGS) — настройка, которая изменяет способ назначения приложениям физических адресов в модулях памяти. Цель этого регулятора — оптимизировать выполнение запросов к памяти, учитывая архитектуру DRAM и тайминги памяти. Теория гласит, что переключение этого параметра может сместить баланс производительности в пользу игр или синтетических приложений.

Игры получают ускорение при отключенной BGS, а пропускная способность памяти AIDA64 была выше при включенной BGS.

Алгоритм настройки системы

Инструмент, который будет нам помогать с рекомендациями — DRAM Calculator for Ryzen. Самый главный, фундаментальный шаг — это запуск системы на определенной частоте, которую мы хотим получить. Для этого нам потребуется вручную установить такие настройки в UEFI: профиль XMP памяти (он может называться по-разному, смысл от этого не меняется), частоту для оперативной памяти (которую мы хотим получить), установить частоту BCLK (если присутствует такая настройка в прошивке), тайминги (которые рекомендует калькулятор), напряжение для SOC и DRAM (рекомендации калькулятора) и procODT + RTT (NOM, WR и PARK). Не забывайте про важный нюанс, что материнская плата или оперативная память может не справиться с вашими амбициями, потому советую посетить страницу поддержки вашей материнской платы и посмотреть QVL-список, в котором будут указаны частоты, на которых плата в заводских условиях функционировала без ошибок. Эта частота и будет нашей отправной точкой. Зачастую это 3000–3200 МГц.

Параметры procODT + RTT (NOM, WR и PARK) мы будем подбирать так, чтоб система имела минимальное кол-во ошибок. Тестовый пакет TM5 0.12 (Basic Preset). Безусловно, от всех ошибок мы не сможем избавиться, и для этого нам нужен будет следующий шаг.

Цель следующего шага — поиск самого оптимального напряжения для DRAM и SOC, при которых система будет иметь минимальное кол-во ошибок. Сначала подбираем напряжение для SOC, а затем для DRAM (калькулятор вам подскажет диапазон). Для отлова ошибок используем тестовый пакет TM5 0.12 (Basic Preset).

В половине случаев вы можете на данном этапе получить полностью стабильную систему. Если тестовый пакет TM5 0.12 не находит ошибок, то вы должны увеличить спектр тестовых программ для проверки стабильности. Вы можете использовать LinX, HCI, Karhu, MEMbench и другие программы. В случае если вышеописанные утилиты нашли ошибку, то вам стоит перейти к следующему шагу, отладочному.

На отладочном шаге главная цель — это изменение определенных таймингов, указанные на иллюстрации ниже.

На данном этапе вы должны проверить по очереди влияние каждого тайминга на стабильность системы. Примечание: я не рекомендую изменять все задержки сразу, постарайтесь набраться терпения. Если тестируемый тайминг никак не улучшает ситуацию, мы его возвращаем на место и проверяем по списку следующую задержку.

На этом шаге основной инструктаж по отладке системы для простых пользователей заканчивается. Дальнейшие шаги я могу посоветовать более опытным оверклокерам, которые знакомы с разгоном достаточно давно.

Тонкая настройка CAD_BUS

и корректировка дополнительных напряжений.

На каждой иллюстрации присутствуют списки параметров, которые мы используем или изменяем. Эти списки я сформировал так, чтобы более приоритетные настройки, которые могут помочь улучшить стабильность, вы проверили первыми. Безусловно, вы можете пойти своей дорогой, четких правил и закономерностей нет.

Основные операции DRAM

Существует пять основных операций (или четыре, если объединить чтение и запись в одну), которые необходимо выполнить при доступе к данным в DRAM.

Активация открывает одну из строк DRAM в банке и копирует данные из открытой строки в буфер строк.

Восстановление гарантирует, что заряд, который расходуется из каждой ячейки в строке DRAM во время активации, восстанавливается до полного уровня, чтобы предотвратить потерю данных.

Чтение и запись могут выполняться после копирования данных активированной строки в буфер строк.

Precharge освобождает данные из буфера строк, когда контроллер памяти выполняет чтение и запись в активированную строку, и подготавливает банк для активации другой строки.

Из них задержка доступа DRAM в основном состоит из задержки трех операций: активация, восстановление и предварительная зарядка.

На рисунке выше показана временная шкала команд, выполненных для чтения (вверху) или записи (внизу) для одной строки данных кэша. Контроллер памяти выдает четыре команды: (1) ACT (активировать), (2) READ или (3) WRITE и (4) PRE (предварительная зарядка). Обратите внимание, что восстановление не имеет явной команды, а вместо этого запускается автоматически после команды ACT. Время, затрачиваемое на каждую операцию, определяется набором временных параметров, которые определяются поставщиками DRAM. Хотя каждая команда работает с гранулярностью строк, для простоты мы описываем, как операции DRAM влияют на одну ячейку DRAM.

В начальном предварительно заряженном состоянии (1) битовая линия поддерживается на уровне напряжения VDD / 2, где VDD — полное напряжение питания DRAM. Линия слова находится в 0 В, и поэтому битовая линия отключена от конденсатора. После того, как контроллер памяти выдает команду ACT (2), словосочетание повышается до Vh, тем самым соединяя конденсатор ячейки DRAM с разрядной линией. Так как в этом примере напряжение на конденсаторе выше, чем на разрядной линии, заряд поступает на разрядную линию, повышая уровень напряжения до VDD / 2 + δ. Этот процесс называется разделением заряда. Затем усилитель считывания измеряет отклонение на битовой линии и соответственно усиливает это отклонение (3). Эта фаза, называемая чувственным усилением, в конечном итоге приводит уровень напряжения разрядной линии и ячейки к исходному состоянию напряжения ячейки (в данном примере VDD).

Как только усилитель считывания достаточно усилил данные в битовой линии (например, уровень напряжения достигнет 3VDD / 4), контроллер памяти может выдать команду READ или WRITE для доступа к данным ячейки в буфере строк. Время, необходимое для достижения этого состояния (3) после команды ACT, задается параметром синхронизации tRCD, как показано на первом рисунке. После того, как команда READ или WRITE введена, фаза чувствительного усиления продолжает управлять напряжением на битовой линии (4), пока уровень напряжения битовой линии и ячейка не достигнут VDD. Другими словами, исходный уровень заряда ячейки полностью восстанавливается до исходного значения для READ или корректно обновляется до нового значения для WRITE.

Для запросов на чтение DRAM задержка для ячейки, которая будет полностью восстановлена после ACT, определяется параметром синхронизации tRAS. Для запросов записи DRAM время, необходимое для полного обновления ячейки, определяется tWR. После восстановления битовая линия может быть предварительно заряжена с помощью команды PRE, чтобы подготовить подмассив для будущего доступа к другой строке. Этот процесс отключает ячейку от разрядной линии путем понижения напряжения на словарной линии. Затем он сбрасывает напряжение разрядной линии до VDD / 2. Время завершения операции предварительной зарядки определяется параметром синхронизации tRP.

Значения tRCD и tRAS могут быть значительно ниже, чем в даташитах. Как так?

Обычные микросхемы DRAM выполняют операции активации и восстановления с использованием фиксированной задержки, которая определяется значением параметров синхронизации, показанных на первом изображении. Однако существуют способы, с помощью которых задержки для активации и восстановления могут быть уменьшены путем использования текущего уровня заряда ячейки. Если элемент имеет высокий уровень заряда, соответствующий процесс возмущения напряжения на битовой линии во время активации происходит быстрее, и, следовательно, усилителю считывания требуется меньше времени для достижения состояний 3 и 4 на втором изображении. «ChargeCache» — это современный механизм, который использует эту информацию для безопасного уменьшения временных параметров tRCD и tRAS для сильно заряженной ячейки.

ChargeCache отслеживает строки, к которым недавно был получен доступ, что означает, что их ячейки имеют высокий уровень заряда, поскольку с момента последнего восстановления ячеек до полного уровня заряда прошло только короткое время. Поэтому, если недавно активированная строка снова активируется в течение короткого интервала времени (например, 1 мс), ChargeCache использует более низкие значения tRCD и tRAS для строки, что уменьшает общую задержку доступа к DRAM. Аналогичный подход может быть применен для уменьшения времени восстановления. В обычном чипе DRAM каждая команда ACT запускает операцию восстановления, которая полностью восстанавливает уровень заряда ячеек в активированном ряду. Аналогично, каждая операция обновления полностью восстанавливает уровень заряда элемента в фиксированный интервал времени (каждые 64 мс в DDRx DRAM).

Существует также механизм Restore Truncation, который частично восстанавливает уровень заряда ячейки ровно настолько, чтобы сохранять правильные данные — до следующего обновления ячейки. Одним из элементов управления для этого механизма является время tWR и tRAS.

Некоторые предустановки, опубликованные в моей статье, используют эти механизмы, поэтому я советую вам забыть о типичных формулах, которые вы можете найти в Интернете.

Выводы

Поскольку элемент DRAM состоит из конденсатора, элемент теряет заряд, даже когда к нему нет доступа. Чтобы предотвратить потерю данных, DRAM должен выполнять периодические операции обновления для всех ячеек. Операция обновления возвращает уровень заряда ячейки к ее полному значению.

Современные микросхемы памяти позволяют устанавливать агрессивные временные интервалы благодаря механизму Restore Truncation и ChargeCache.

Микросхемы SDRAM в некотором смысле позволяют выполнять третью и четвертую операции параллельно. Если быть точным, команда перезарядки линии PRECHARGE может быть отправлена за определенное количество тактов x до момента, когда был выпущен последний элемент данных запрошенного пакета, не опасаясь возникновения «сломанной» ситуации в переданном пакете (последнее произойдет, если команда PRECHARGE отправит команды READ с периодом времени меньше x).

Чтобы предотвратить потерю данных в ячейках, вы можете увеличить напряжение DRAM или изменить временные характеристики, которые отвечают за предварительную зарядку и обновление. Регулировка tRP и tRFC будет иметь наибольшее влияние, tWR и tRTP также могут помочь. Я не советую поднимать значение tWR выше 12.

tRC> = tRAS + tRP. Для большинства случаев это должна быть оптимальная формула.

tRAS = tRCD + tCL. У меня нет четкого определения для этого тайминга, оно может быть равно tRCD + tCL, но иногда значительно ниже из-за механизмов, перечисленных выше. Также не стоит забывать и о запасе, пределы которого определяются чисто экспериментальным путем, поскольку каждый чип имеет различные характеристики ячеек. Вот вам один из примеров.

Для высоких частот я использую формулу из первого рисунка. tRAS = tRCD + tBL + tWR, где tWR тюнингованное, которое равно 12 или 10. tBL для DDR4 всегда равен 4, но контроллер может использовать и 2.

Пример:

procODT, RTT и CAD_BUS: что это такое и с чем его едят?

Я хочу обратить особое внимание на важные термины , такие как «procODT», «RTT» и «CAD_BUS», описать, на что они влияют, как их настраивать и что они могут нам рассказать.

Как я упоминал ранее, пользователи столкнулись с огромным количеством проблем, когда вышло первое поколение процессоров Zen. В обзорах была паника, а на форумах было очень мало настоящих экспертов. Единственная тема, которая была — «память плохо разгоняется». Через некоторое время появились первые пресеты от уважаемого Stilt, они стали чудом для сообщества AMD, но, тем не менее, секреты и зависимости не были раскрыты.

Один из самых частых вопросов, который можно найти в форумах о системах Ryzen: «От чего зависит разгон памяти?».

Итак, давайте разбираться. В нашем случае успех разгона зависит от трех компонентов: материнской платы, IMC (контроллера памяти) и самой памяти.

Материнская плата

Большинство плат на базе чипсетов AMD 300 серии имеют T-топологию, и максимальная тактовая частота памяти в большинстве случаев ограничена 3466 МГц. Но есть «фишка», которая позволить нам незначительно подвинуть этот предел. Настройка САПР.

Если нам удастся настроить САПР, то мы сможем получить 3600 МГц. Чтобы понять, почему разгон ограничен такой довольно низкой частотой, нужно взглянуть на печатную плату материнской платы.

Каждая сигнальная трасса на печатной плате является проводником, сигнальной линией, которая может повлиять на другие сигнальные линии. Кроме того, существует вероятность паразитных связей (паразитная индуктивность и высокочастотные помехи). Чтобы бороться с отрицательными связями, каждый разработчик материнской платы должен правильно спроектировать все сигнальные трассы.

Выше изображено такое изменение конструкции, которое добавляет «кривую», заменяя прямую линию. Это изменение может кардинально изменить возможности сигнальной линии.

Также форм-фактор, количество слоев печатной платы и состав проводников влияют на качество материнской платы. Для плат более дорогого сегмента часто выделяется больше времени на разработку и обычно используются более качественные базовые компоненты. Еще одним ключевым отличием материнских плат на чипсетах серии «X» является увеличенное количество слоев PCB (вместо 3–4 слоев мы имеем 6–8). Это, безусловно, влияет на те самые «паразитные связи». Зачастую на каждой мат плате на одном из краев будет набита надпись, которая свидетельствует о количестве слоев.

Умные слова это, конечно, интересно, но как распознать качественную материнскую плату? procODT. И чем ниже рабочий procODT, тем лучше результаты разгона, которые вы можете получить на этой материнской плате. Специально для лучшего понимания я создал несколько таблиц, которые могут продемонстрировать вам различия.

В результате мы видим колоссальную разницу между материнскими платами. Я считаю это одной из главных проблем пользователей. И в их выборе, я думаю, виноваты рецензенты материнских плат. За последние два года я не видел обзоров на YouTube, где были рассмотрены топология материнской платы и ее возможности. Рассматривалась коробка, ее содержимое, режимы RGB, как выглядит охлаждение VRM или какая красивая футболку надета на рецензента.

Нет обзоров, в которых вы найдете реальные расчеты возможностей VRM. Вместо этого используются числа, которые существуют только в даташитах при идеальных тестовых условиях и при 25 °C, с идеальным поверхностным монтажом. Одно значение умножается на другие. Вот и весь обзор. Но вернемся к нашей теме.

В качестве бонуса у меня есть еще две рекомендации для вас, на что стоит обратить внимание при покупке материнской платы:

  • Это шаг напряжения для DRAM и шаг VTT DDR. Существуют платы с шагом VDRAM 0,01 В, а некоторые имеют 0,005 В. То есть в первом случае мы получаем 1,35 В, 1,36 В и т.д., а во втором случае получаем 1,35 В, 1,355 В, 1,36 В. Во втором случае мы значительно увеличим шансы на стабилизацию DRAM, так как у нас увеличилась гранулярность.
  • Напряжение DRAM, которое вы устанавливаете в UEFI, не всегда будет точным. Это может быть ниже, это может быть выше. Иногда возникают ситуации, когда VTT DDR не соответствует половине реального напряжения DRAM. Вам нужно будет настроить другие значения соответственно. Напомним формулу VTT DDR = 1/2 * vDRAM. Платы с большей гранулярностью автоматически получают преимущество.

Оперативная память

Я часто слышу на форумах «там есть Samsung B-die, но они работают на низкой частоте и с огромным напряжением, этого не может быть, виновато AMD». Я объясню. Модуль RAM состоит не только из микросхем от конкретного производителя, но и из печатной платы (она тоже имеет определённое количество слоев), на которой мы найдем сотни сигнальных линий. Конденсаторы (обвязка) и, конечно, чип-биннинг оказывают огромное влияние.

Например, мы можем найти в магазинах оперативную память от Corsair — Vengeance RGB Pro 3600MHz C16, которая использует тот самый знаменитый B-die, но мы не найдем рекордов на этом продукте. Рассмотрим другой пример — G.Skill Sniper X F4-3400C16D, который не выглядит «вкусным» по сравнению с предыдущим комплектом от Corsair. Однако, если мы сравним результаты разгона, то получится что-то вроде 3200–3466 МГц с CL14 против 3666–3733 МГц с CL14 в пользу набора G.Skill. Поэтому при выборе оперативной памяти советую посетить форумы.

Нюанс. Так как модуль памяти несет на себе несколько чипов памяти, может возникнуть ситуация, когда один из чипов будет иметь иные вольт-частотные характеристики. Такие чипы могут потребовать на несколько шагов больше напряжения для стабилизации на определенной частоте, чем их братья и сестры. При этом другие микросхемы могут стать нестабильными из-за повышенного напряжения. Идеальным вариантом для пользователя является покупка набора с заводским разгоном более 3600 МГц. Это даст вам дополнительную гарантию того, что все чипы могут достигать целевой частоты (заводской бининг все же штука полезная).

Контроллер памяти

Оба поколения контроллеров памяти Ryzen в большинстве случаев ограничены частотой UCLK 1733–1766 МГц (от DDR-3466 до DDR-3525). Безусловно есть случаи, когда контроллер может работать и на более высоких частотах. Чтобы упростить жизнь нашему контроллеру памяти, можно использовать модули, способные работать с очень низким procODT, что значительно меняет согласование сигналов. Рабочий диапазон procODT, по словам AMD, находится в диапазоне 40–60 Ом. 68 Ом уже за пределами зеленой зоны. Стабильность в этой области будет сильно зависеть от настроек САПР (CAD_BUS) и качества материнской платы.

В приведенной выше таблице показано, как procODT / RTT может меняться с ростом частоты DRAM.

Дабы улучшить восприятие этой информации, представьте циферблаты механических часов. procODT будет считать часы, RTT_PARK будет считать минуты, а CAD будет действовать как секундная стрелка. Для каждой частоты циферблаты на часах будут показывать разные результаты. Но есть нюанс, так как AMD очень любит менять настройки контроллера памяти с каждым последующим микрокодом, есть вероятность, что наши «механические часы» сломаются.

Чтобы быть готовы к подобному повороту событий, мы должны проверить сначала соседние значения RTT_PARK и только затем попытаться изменить procODT. В большинстве случаев кардинальных изменений в прошивках PMU (контроллера памяти) нет. Так же вам не следует спешить менять САПР, поскольку в нем слишком много переменных, и вы можете потерять много времени, пытаясь стабилизировать систему. Существует несколько алгоритмов выбора САПР, но на данный момент я не могу с уверенностью сказать, насколько они эффективны. Я считаю, что САПР не может иметь кардинальных отличий от базовых значений 24-24-24-24, и в большинстве случаев одно из значений можно перемещать вверх или вниз. То есть опция 24-30-24-24 может иметь дополнительный запас безопасности для частоты 3466+ МГц.

Из моих предпочтений это 20-20-20-20, в данном режиме присутствует чуть больший запас «прочности», когда оперативная память подбирается к 52 градусам.

В будущем я постараюсь дополнить эту статью поиском идеального САПР.

Зависимость рабочего напряжения DRAM от procODT и RTT

Я провел небольшой тест, в котором использовал разные настройки для напряжения procODT и DRAM. Идея состоит в том, чтобы установить минимально возможное значение DRAM Voltage и избежать BSOD во время теста.

На основании результатов, полученных в этом простом и коротком тесте, мы можем сделать вывод: после изменения procODT стабильное рабочее напряжение DRAM может измениться. Также имеется небольшое влияние RTT на рабочее напряжение памяти.

Холодная загрузка или двойной старт

Нет пользователей процессоров Ryzen, которые не сталкивались с холодным или двойным стартом (иногда даже с тройным). Я могу сразу заверить вас, что в этом нет ничего плохого. Это тесно связано с тренировкой памяти. Когда система не может запуститься в первый раз, запускается алгоритм, который изменяет некоторые параметры, недоступные пользователю, и пытается запустить систему снова. На это явление могут влиять procODT, RTT и CAD.

Иногда внешний BCLK генерируют двойной старт (система тренируется на внутреннем BCLK, а затем на внешнем ). В любом случае, попробуйте следовать рекомендациям калькулятора.

Так же львиная доля успешной тренировки отводится CAD_BUS Timings. Это сложное название является настройкой задержек приемо-передатчика. Формулами я вас томить не буду, конкретные значения будут предлагаться калькулятором, начиная с версии 1.5.2.

Полезные советы и хитрости

  • Не используйте слишком высокие напряжения для SOC и DRAM. Калькулятор подскажет вам, в каком диапазоне значений вы должны попытаться получить стабильный результат. Как правило, лучшие значения SOC находятся в диапазоне 1,025–1,05 В для десктопов и 0,975–1,025 для HEDT.
  • Джиттер. Отклонение цифрового сигнала в результате отражений, межсимвольных помех, перекрестных помех, колебаний PVT (напряжение–температура–процесс) и других факторов составляет джиттер. Некоторый джиттер просто случайный.

Яркий пример я даже записал на видео, память потеряет стабильность, когда прогреется до 52,3 градусов. В прочем, в этом ничего особенного, дискотеку для эпилептиков можно получить даже на прогретой HBM.

Всегда используйте дополнительное охлаждение для оперативной памяти. Так же был замечен положительный эффект от настройки CAD_BUS 20 20 20 20. Система была стабильна впредь до 58 градусов.

  • Изменение в procODT или RTT требуется, когда система не выполняет POST, имеет огромное количество ошибок или происходит BSOD.
  • VRM frequency для DRAM и SOC. Оптимален в диапазоне 350–400 кГц.
  • Одиночные и редкие ошибки можно исправить, изменив tRDWR (с 6 до 9) и tWRRD (с 1 до 4). Обратите внимание, что время должно быть настроено в парах. Пример: tRDWR 6 и tWRRD 2, tRDWR 6 и tWRRD 3, tRDWR 6 и tWRRD 4, tRDWR 7 и tWRRD 1 и т.д.
  • Одиночные и редкие ошибки можно исправить, изменив tRFC. Калькулятор предлагает несколько вариантов для tRFC. Кроме того, не забывайте, что tRC кратно tRFC. Например, tRC = 44 -> tRFC 6 (или 8) * 44; tRFC 2/4 не нужно настраивать для Ryzen.
  • Включение Geardown может улучшить стабильность системы.
  • VDDP может улучшить стабильность системы. Рекомендуемый диапазон: от 855 до 950 мВ. Попробуйте увеличить его с шагом 10–15 мВ. Мне нравится 900 мВ.
  • Отключение spread-spectrum может улучшить стабильность системы.
  • Источником ошибок также может быть Windows. В последнее время Microsoft доказала, что даже калькулятор можно сделать с багами.
  • Увеличение tRCDRD и tRP на 1 может улучшить стабильность и снизить требования к напряжению памяти.
  • Отключенный RTT_NOM иногда будет иметь лучшую стабильность.
  • Увеличение значений RTT_PARK или procODT может улучшить стабильность.
  • Не забудьте следовать правилу tRC = tRAS + tRP.
  • CLDO_VDDP. Наилучшие значения: по умолчанию (850 мВ), 950 мВ, 945 мВ, 940 мВ, 915 мВ, 905 мВ, 895 мВ, 865 мВ и 840 мВ.
  • Четные значения для tWRWR SCL и tRDRD SCL могут улучшить стабильность системы. Например, 4-4 или 6-6.
  • Чрезмерный разгон процессора может негативно сказаться на стабильности работы оперативной памяти.
  • CAD_BUS 24 30 24 24 может быть полезен для конфигураций с двумя модулями, а 24-20-24-24 для конфигураций, состоящих из четырех модулей.
  • Следите за новыми прошивками к материнской плате, которые включают обновления AGESA, поскольку новые версии улучшают возможности настройки памяти.
  • Смена местами планок оперативной памяти может положительно повлиять на разгон и стабильность.
  • Существует немало комплектов памяти, в которых один из чипов будет иметь дефект. Отсюда проблема стабильности или разгона. Вероятность встретить такое чудо велика, из 16 модулей у меня было три с дефектами, которые обменивались по гарантии.
  • Существует немало 2-х и 4-х канальных комплектов памяти, в которых один или несколько модулей будет иметь выраженные, отличные от соседей вольт-частотные характеристики.
  • Ручная настройка CAD_BUS timings может облегчить тренировку или улучшить стабильность системы.

Стенд

Тестовый стенд был следующий:

  • процессор: AMD Ryzen 2700X;
  • система охлаждения: NZXT Kraken X62;
  • материнская плата: MSI X470 GAMING M7 AC (UEFI V1.51);
  • память №1: 2x8GB G.Skill Sniper X 3600C19 (Hynix CJR 18 nm, Single Rank);
  • память №2: 2x8GB G.Skill Sniper X 3400C16 (Samsung B-die 20 nm, Single Rank);
  • память №3: 2x16GB G.Skill Trident Z 3000C14 (Samsung B-die 20 nm, Dual Rank);
  • видеокарта: MSI GeForce GTX 1080 Ti GAMING X;
  • накопитель: Samsung 970 Pro 512GB;
  • блок питания: Corsair HX750i;
  • операционная система: Windows 10 64-bit Fall Creators Update;
  • драйверы: NVIDIA GeForce 417.35 WHQL.

Все опубликованные пресеты имеют полную стабильность. Не забывайте, что нет универсальной предустановки. Различные топологии материнских плат, бининг памяти и процессора — это всегда лотерея. Если нет стабильности, сначала попробуйте соседние напряжения для SOC и DRAM.

Дополнительную информацию и пресеты настройки можно найти в программе DRAM Calculator for Ryzen.

2133 MHz — Default

  • SOC Voltage: auto.
  • Memory Voltage: auto.
  • Power Down Mode: auto (enabled).
  • Gear Down Mode: auto (enabled).

Samsung b-die 3200 MHz CL14 XMP (single rank)

  • SOC Voltage: 1.025 V.
  • Memory Voltage: 1.35 V.
  • Power Down Mode: auto (enabled).
  • Gear Down Mode: auto (enabled).

Samsung b-die 3200 MHz CL14 (single rank)

  • SOC Voltage: 1.025 V.
  • Memory Voltage: 1.36 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: disabled.

Samsung b-die 3200 MHz CL14 (dual rank)

  • SOC Voltage: 1.025 V.
  • Memory Voltage: 1.37 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: enabled.

Samsung b-die 3200 MHz CL14 (multi rank)

  • SOC Voltage: 1.025 V.
  • Memory Voltage: 1.35 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: disabled.

Samsung b-die 3200 MHz CL12 (single rank)

  • SOC Voltage: 1.025 V.
  • Memory Voltage: 1.50 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: disabled.

Samsung b-die 3333 MHz CL14 (dual rank)

  • SOC Voltage: 1.025 V.
  • Memory Voltage: 1.39 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: enabled.

Samsung b-die 3400 MHz CL14 (multi rank)

  • SOC Voltage: 1.025 V.
  • Memory Voltage: 1.39 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: enabled.

Samsung b-die 3466 MHz CL14 (single rank)

  • SOC Voltage: 1.025 V.
  • Memory Voltage: 1.42 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: disabled.

Samsung b-die 3533 MHz CL14 (single rank)

  • SOC Voltage: 1.025 V.
  • Memory Voltage: 1.44 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: disabled.
  • RTT_PARK: 48 ohm (RZQ/5) or 60 ohm (RZQ/4).

Samsung b-die 3600 MHz CL14 (single rank)

  • SOC Voltage: 1.1 V.
  • Memory Voltage: 1.45 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: enabled.

Hynix CJR 3200 MHz CL14 (single rank)

  • SOC Voltage: 1.025 V.
  • Memory Voltage: 1.37 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: disabled.

Hynix CJR 3200 MHz CL14 (multi rank)

  • SOC Voltage: 1.025 V.
  • Memory Voltage: 1.37 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: disabled.
  • procODT: 48 ohm.
  • RTT_NOM: 34 ohm (RZQ/7).
  • RTT_WR: disabled.
  • RTT_PARK: 40 ohm (RZQ/6).

Hynix CJR 3400 MHz CL14 (single rank)

  • SOC Voltage: 1.025 V.
  • Memory Voltage: 1.45 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: disabled.

Hynix CJR 3466 MHz CL16 (single rank)

  • SOC Voltage: 1.025 V.
  • Memory Voltage: 1.35 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: disabled.

Hynix CJR 3600 MHz CL16 (single rank)

  • SOC Voltage: 1.1 V.
  • Memory Voltage: 1.40 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: enabled.

Hynix CJR 3800 MHz CL16 (single rank)

  • SOC Voltage: 1.1 V.
  • Memory Voltage: 1.42 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: enabled.

Hynix MFR/AFR, Micron b-die 3200 MHz CL16 (single rank)

  • SOC Voltage: 1.025 V.
  • Memory Voltage: 1.35 V – 1.37 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: enabled.

Результаты тестирования

AIDA 64

-43% задержка , +78% пропускная способность памяти, не плохо?

SiSoftware Sandra

Тест, который демонстрирует эффективность процессорной взаимосвязи, эффективность обработки ядрами блоков данных и передачи их другим ядрам для дальнейшей параллельной обработки (парадигма производитель-потребитель) разных размеров и цепочек разных размеров. На простом языке — тест Infinity Fabric.

В этом тесте я хотел показать вам, как время и частота влияют на многопоточную производительность процессора. Мы видим улучшения в задержке (21–28%) и пропускной способности Infinity Fabric (+17%). Это уникальное явление, которое доступно только процессорам Ryzen.

Cinebench R20.0

Blender 2.80

К сожалению, разгон памяти не дает ощутимого роста в пакетах, которые используют сырую вычислительную мощность процессора.

3DMark

Довольно неплохая реакция на разгон оперативной памяти, в лучшем сценарии мы можем наблюдать прирост в размере +17% по очкам. Так же хочу отметить один нюанс, сборка Windows 10 1903 и чипсетные драйверы 19.10 содержат обновленный алгоритм взаимодействия планировщика ОС с многоядерными процессорами Ryzen. Будьте внимательны, мои результаты могут быть куда хуже ваших из-за разных версий Windows.

Metro Exodus

Вы можете спросить, почему я выбрал такие низкие настройки графики. Все просто, я хотел показать вам результаты, которые не будут зависеть от возможностей видеокарты.

Эта игра (как и многие другие) хорошо отреагировала на разгон, мы видим преимущество до 28% (Avg fps). Минимальный fps в этом тесте был довольно непредсказуемым. Возможно, причина в посредственной оптимизации игрового движка или планировщика Windows. Обычно это исправляется в патчах.

Assassin's Creed Odyssey

В этой игре даже при минимальных настройках качества я получил упор в видеокарту. Минимальная загрузка видео ядра составила 85%. Это означает, что тест является гибридной версией, и для раскрытия потенциала процессора Ryzen 7 2700X вам может потребоваться видеокарта, более мощная, чем GeForce GTX 1080 Ti.

Тем не менее, мы можем наблюдать значительное увеличение производительности из-за качественного разгона оперативной памяти (+30% fps).

The Witcher 3

Тест проводился в городе Новиград с одинаковым маршрутом для всех предустановок.

Эта игра любит тюнинг ОЗУ. Один из лучших результатов — +47% к среднему fps. Это означает, что вы можете наслаждаться комфортным игровым процессом на мониторе с частотой развертки 144 Гц.

Shadow of the Tomb Raider

+38% к среднему fps.

Сonclusions

Это руководство я планирую постоянно обновлять и дополнять. Возможно, будут добавлены дополнительные результаты тестирования в других играх, хотя в этом смысла не так уж много ибо большинство проектов продемонстрируют аналогичный рост производительности. Плюс 40% к среднему fps это не миф и не сказки. Это реальность, которую можно достичь, если у вас: а) железо подобрано грамотно; б) вы проявили пару дней терпения для прочтения и дальнейшего осознания сей писанины.

К сожалению, в Интернете существует множество обзоров, в которых недостаточно внимания уделяется настройке ОЗУ. И я не говорю о профилях XMP, которые в 99% случаев не имеют стабильности или имеют посредственную производительность. Из-за отсутствия стабильности я не включил типичные профили XMP 3600C16/19 в это руководство. Вы можете наблюдать огромный прирост fps, несмотря на то, что процессор работал в режиме по умолчанию (сток). Средняя частота процессора в играх колебалась от 3975 до 4075 МГц.

Одним из интересных нюансов, который возник во время тестирования — проблемы со стабильностью ОЗУ, когда процессор работал на частоте 4200 МГц. Я объясню. Процессор и оперативная память находятся на противоположных сторонах качелей. Если у нас чрезвычайно разогнанный процессор, то в большинстве случаев мы теряем несколько шагов при разгоне оперативной памяти и наоборот.

Поэтому я не советую ориентироваться на разгон процессора, если вы используете компьютер только для игр. В любой игре видеокарта будет самым слабым звеном во всей системе. В каждой игре произойдет увеличение производительности от разгона оперативной памяти. Вам не хватит одной карты GeForce RTX 2080 Ti, а в некоторых играх вам может понадобиться несколько таких адаптеров, чтобы раскрыть потенциал процессора.

Безусловным лидером в тестировании является оперативная память на чипах Samsung. Есть варианты с частотой 3200 МГц и CL14, а есть 4200 МГц и CL18, но в большинстве случаев вы переплачиваете за название. Казалось бы, тут пахнет отбором, но нет, в большинстве случаев обе плашки с одного комплекта будут иметь разные вольт-частотные характеристики. Большинство памяти на чипах Samsung B-die может работать в режиме 3466–3533 МГц с CL14. Если у вас проблемы с финансами, советую обратить внимание на SK hynix CJR, например G.Skill Sniper X 3600C19 или Ballistix 3000C15 AES на Micron E-die. Стоимость этих комплектов колеблется в районе 80–100 долларов. Вы получите высококачественную память, которая идеально подходит для процессоров Ryzen.

А что же ждать в будущем, на что стоит обратить внимание, а на что нет? Zen 2 — поколение процессоров, которое мне сложно назвать «рефрешем», это оказалось нечто большее, но об этом уже после 7-го июля. Х570 — «жирные» платы с большими амбициями, с PCI Express 4.0, с новым поколение топологии Daysi Chain, у которой предел ограничен только здравым смыслом. К примеру, в UEFI рубеж установлен на уровне 6000 МГц, против 4200 МГц на X470 и к нашему счастью это не маркетинг. Ближе к концу года мы увидим обновление для Samsung B-die с CAS 6,75 против текущих 8,75 нс.

Возвращаясь к нашему гайду и теме в целом хочу посоветовать вам при выборе комплектующих обращаться на форумы. На данный момент существует огромное количество тем, в которых ребята могут рассказать, что выбрать, рассказать о достоинствах или недостатках, помочь решить проблему или разогнать. Вы не одиноки и не стесняйтесь спрашивать (чтение шапок никто не отменял). В крайнем случае, вы можете написать мне.

Особая благодарность компании AMD, и, в отдельности, Джеймсу Приору, Стиву Бассетту и Сэми Макинену за предоставленные образцы и круглосуточную обратную связь.

Page 2

Я хочу обратить особое внимание на важные термины , такие как «procODT», «RTT» и «CAD_BUS», описать, на что они влияют, как их настраивать и что они могут нам рассказать.

Как я упоминал ранее, пользователи столкнулись с огромным количеством проблем, когда вышло первое поколение процессоров Zen. В обзорах была паника, а на форумах было очень мало настоящих экспертов. Единственная тема, которая была — «память плохо разгоняется». Через некоторое время появились первые пресеты от уважаемого Stilt, они стали чудом для сообщества AMD, но, тем не менее, секреты и зависимости не были раскрыты.

Один из самых частых вопросов, который можно найти в форумах о системах Ryzen: «От чего зависит разгон памяти?».

Итак, давайте разбираться. В нашем случае успех разгона зависит от трех компонентов: материнской платы, IMC (контроллера памяти) и самой памяти.

Материнская плата

Большинство плат на базе чипсетов AMD 300 серии имеют T-топологию, и максимальная тактовая частота памяти в большинстве случаев ограничена 3466 МГц. Но есть «фишка», которая позволить нам незначительно подвинуть этот предел. Настройка САПР.

Если нам удастся настроить САПР, то мы сможем получить 3600 МГц. Чтобы понять, почему разгон ограничен такой довольно низкой частотой, нужно взглянуть на печатную плату материнской платы.

Каждая сигнальная трасса на печатной плате является проводником, сигнальной линией, которая может повлиять на другие сигнальные линии. Кроме того, существует вероятность паразитных связей (паразитная индуктивность и высокочастотные помехи). Чтобы бороться с отрицательными связями, каждый разработчик материнской платы должен правильно спроектировать все сигнальные трассы.

Выше изображено такое изменение конструкции, которое добавляет «кривую», заменяя прямую линию. Это изменение может кардинально изменить возможности сигнальной линии.

Также форм-фактор, количество слоев печатной платы и состав проводников влияют на качество материнской платы. Для плат более дорогого сегмента часто выделяется больше времени на разработку и обычно используются более качественные базовые компоненты. Еще одним ключевым отличием материнских плат на чипсетах серии «X» является увеличенное количество слоев PCB (вместо 3–4 слоев мы имеем 6–8). Это, безусловно, влияет на те самые «паразитные связи». Зачастую на каждой мат плате на одном из краев будет набита надпись, которая свидетельствует о количестве слоев.

Умные слова это, конечно, интересно, но как распознать качественную материнскую плату? procODT. И чем ниже рабочий procODT, тем лучше результаты разгона, которые вы можете получить на этой материнской плате. Специально для лучшего понимания я создал несколько таблиц, которые могут продемонстрировать вам различия.

В результате мы видим колоссальную разницу между материнскими платами. Я считаю это одной из главных проблем пользователей. И в их выборе, я думаю, виноваты рецензенты материнских плат. За последние два года я не видел обзоров на YouTube, где были рассмотрены топология материнской платы и ее возможности. Рассматривалась коробка, ее содержимое, режимы RGB, как выглядит охлаждение VRM или какая красивая футболку надета на рецензента.

Нет обзоров, в которых вы найдете реальные расчеты возможностей VRM. Вместо этого используются числа, которые существуют только в даташитах при идеальных тестовых условиях и при 25 °C, с идеальным поверхностным монтажом. Одно значение умножается на другие. Вот и весь обзор. Но вернемся к нашей теме.

В качестве бонуса у меня есть еще две рекомендации для вас, на что стоит обратить внимание при покупке материнской платы:

  • Это шаг напряжения для DRAM и шаг VTT DDR. Существуют платы с шагом VDRAM 0,01 В, а некоторые имеют 0,005 В. То есть в первом случае мы получаем 1,35 В, 1,36 В и т.д., а во втором случае получаем 1,35 В, 1,355 В, 1,36 В. Во втором случае мы значительно увеличим шансы на стабилизацию DRAM, так как у нас увеличилась гранулярность.
  • Напряжение DRAM, которое вы устанавливаете в UEFI, не всегда будет точным. Это может быть ниже, это может быть выше. Иногда возникают ситуации, когда VTT DDR не соответствует половине реального напряжения DRAM. Вам нужно будет настроить другие значения соответственно. Напомним формулу VTT DDR = 1/2 * vDRAM. Платы с большей гранулярностью автоматически получают преимущество.

Оперативная память

Я часто слышу на форумах «там есть Samsung B-die, но они работают на низкой частоте и с огромным напряжением, этого не может быть, виновато AMD». Я объясню. Модуль RAM состоит не только из микросхем от конкретного производителя, но и из печатной платы (она тоже имеет определённое количество слоев), на которой мы найдем сотни сигнальных линий. Конденсаторы (обвязка) и, конечно, чип-биннинг оказывают огромное влияние.

Например, мы можем найти в магазинах оперативную память от Corsair — Vengeance RGB Pro 3600MHz C16, которая использует тот самый знаменитый B-die, но мы не найдем рекордов на этом продукте. Рассмотрим другой пример — G.Skill Sniper X F4-3400C16D, который не выглядит «вкусным» по сравнению с предыдущим комплектом от Corsair. Однако, если мы сравним результаты разгона, то получится что-то вроде 3200–3466 МГц с CL14 против 3666–3733 МГц с CL14 в пользу набора G.Skill. Поэтому при выборе оперативной памяти советую посетить форумы.

Нюанс. Так как модуль памяти несет на себе несколько чипов памяти, может возникнуть ситуация, когда один из чипов будет иметь иные вольт-частотные характеристики. Такие чипы могут потребовать на несколько шагов больше напряжения для стабилизации на определенной частоте, чем их братья и сестры. При этом другие микросхемы могут стать нестабильными из-за повышенного напряжения. Идеальным вариантом для пользователя является покупка набора с заводским разгоном более 3600 МГц. Это даст вам дополнительную гарантию того, что все чипы могут достигать целевой частоты (заводской бининг все же штука полезная).

Контроллер памяти

Оба поколения контроллеров памяти Ryzen в большинстве случаев ограничены частотой UCLK 1733–1766 МГц (от DDR-3466 до DDR-3525). Безусловно есть случаи, когда контроллер может работать и на более высоких частотах. Чтобы упростить жизнь нашему контроллеру памяти, можно использовать модули, способные работать с очень низким procODT, что значительно меняет согласование сигналов. Рабочий диапазон procODT, по словам AMD, находится в диапазоне 40–60 Ом. 68 Ом уже за пределами зеленой зоны. Стабильность в этой области будет сильно зависеть от настроек САПР (CAD_BUS) и качества материнской платы.

В приведенной выше таблице показано, как procODT / RTT может меняться с ростом частоты DRAM.

Дабы улучшить восприятие этой информации, представьте циферблаты механических часов. procODT будет считать часы, RTT_PARK будет считать минуты, а CAD будет действовать как секундная стрелка. Для каждой частоты циферблаты на часах будут показывать разные результаты. Но есть нюанс, так как AMD очень любит менять настройки контроллера памяти с каждым последующим микрокодом, есть вероятность, что наши «механические часы» сломаются.

Чтобы быть готовы к подобному повороту событий, мы должны проверить сначала соседние значения RTT_PARK и только затем попытаться изменить procODT. В большинстве случаев кардинальных изменений в прошивках PMU (контроллера памяти) нет. Так же вам не следует спешить менять САПР, поскольку в нем слишком много переменных, и вы можете потерять много времени, пытаясь стабилизировать систему. Существует несколько алгоритмов выбора САПР, но на данный момент я не могу с уверенностью сказать, насколько они эффективны. Я считаю, что САПР не может иметь кардинальных отличий от базовых значений 24-24-24-24, и в большинстве случаев одно из значений можно перемещать вверх или вниз. То есть опция 24-30-24-24 может иметь дополнительный запас безопасности для частоты 3466+ МГц.

Из моих предпочтений это 20-20-20-20, в данном режиме присутствует чуть больший запас «прочности», когда оперативная память подбирается к 52 градусам.

В будущем я постараюсь дополнить эту статью поиском идеального САПР.

Зависимость рабочего напряжения DRAM от procODT и RTT

Я провел небольшой тест, в котором использовал разные настройки для напряжения procODT и DRAM. Идея состоит в том, чтобы установить минимально возможное значение DRAM Voltage и избежать BSOD во время теста.

На основании результатов, полученных в этом простом и коротком тесте, мы можем сделать вывод: после изменения procODT стабильное рабочее напряжение DRAM может измениться. Также имеется небольшое влияние RTT на рабочее напряжение памяти.

Холодная загрузка или двойной старт

Нет пользователей процессоров Ryzen, которые не сталкивались с холодным или двойным стартом (иногда даже с тройным). Я могу сразу заверить вас, что в этом нет ничего плохого. Это тесно связано с тренировкой памяти. Когда система не может запуститься в первый раз, запускается алгоритм, который изменяет некоторые параметры, недоступные пользователю, и пытается запустить систему снова. На это явление могут влиять procODT, RTT и CAD.

Иногда внешний BCLK генерируют двойной старт (система тренируется на внутреннем BCLK, а затем на внешнем ). В любом случае, попробуйте следовать рекомендациям калькулятора.

Так же львиная доля успешной тренировки отводится CAD_BUS Timings. Это сложное название является настройкой задержек приемо-передатчика. Формулами я вас томить не буду, конкретные значения будут предлагаться калькулятором, начиная с версии 1.5.2.

Page 3
  • Не используйте слишком высокие напряжения для SOC и DRAM. Калькулятор подскажет вам, в каком диапазоне значений вы должны попытаться получить стабильный результат. Как правило, лучшие значения SOC находятся в диапазоне 1,025–1,05 В для десктопов и 0,975–1,025 для HEDT.
  • Джиттер. Отклонение цифрового сигнала в результате отражений, межсимвольных помех, перекрестных помех, колебаний PVT (напряжение–температура–процесс) и других факторов составляет джиттер. Некоторый джиттер просто случайный.

Яркий пример я даже записал на видео, память потеряет стабильность, когда прогреется до 52,3 градусов. В прочем, в этом ничего особенного, дискотеку для эпилептиков можно получить даже на прогретой HBM.

Всегда используйте дополнительное охлаждение для оперативной памяти. Так же был замечен положительный эффект от настройки CAD_BUS 20 20 20 20. Система была стабильна впредь до 58 градусов.

  • Изменение в procODT или RTT требуется, когда система не выполняет POST, имеет огромное количество ошибок или происходит BSOD.
  • VRM frequency для DRAM и SOC. Оптимален в диапазоне 350–400 кГц.
  • Одиночные и редкие ошибки можно исправить, изменив tRDWR (с 6 до 9) и tWRRD (с 1 до 4). Обратите внимание, что время должно быть настроено в парах. Пример: tRDWR 6 и tWRRD 2, tRDWR 6 и tWRRD 3, tRDWR 6 и tWRRD 4, tRDWR 7 и tWRRD 1 и т.д.
  • Одиночные и редкие ошибки можно исправить, изменив tRFC. Калькулятор предлагает несколько вариантов для tRFC. Кроме того, не забывайте, что tRC кратно tRFC. Например, tRC = 44 -> tRFC 6 (или 8) * 44; tRFC 2/4 не нужно настраивать для Ryzen.
  • Включение Geardown может улучшить стабильность системы.
  • VDDP может улучшить стабильность системы. Рекомендуемый диапазон: от 855 до 950 мВ. Попробуйте увеличить его с шагом 10–15 мВ. Мне нравится 900 мВ.
  • Отключение spread-spectrum может улучшить стабильность системы.
  • Источником ошибок также может быть Windows. В последнее время Microsoft доказала, что даже калькулятор можно сделать с багами.
  • Увеличение tRCDRD и tRP на 1 может улучшить стабильность и снизить требования к напряжению памяти.
  • Отключенный RTT_NOM иногда будет иметь лучшую стабильность.
  • Увеличение значений RTT_PARK или procODT может улучшить стабильность.
  • Не забудьте следовать правилу tRC = tRAS + tRP.
  • CLDO_VDDP. Наилучшие значения: по умолчанию (850 мВ), 950 мВ, 945 мВ, 940 мВ, 915 мВ, 905 мВ, 895 мВ, 865 мВ и 840 мВ.
  • Четные значения для tWRWR SCL и tRDRD SCL могут улучшить стабильность системы. Например, 4-4 или 6-6.
  • Чрезмерный разгон процессора может негативно сказаться на стабильности работы оперативной памяти.
  • CAD_BUS 24 30 24 24 может быть полезен для конфигураций с двумя модулями, а 24-20-24-24 для конфигураций, состоящих из четырех модулей.
  • Следите за новыми прошивками к материнской плате, которые включают обновления AGESA, поскольку новые версии улучшают возможности настройки памяти.
  • Смена местами планок оперативной памяти может положительно повлиять на разгон и стабильность.
  • Существует немало комплектов памяти, в которых один из чипов будет иметь дефект. Отсюда проблема стабильности или разгона. Вероятность встретить такое чудо велика, из 16 модулей у меня было три с дефектами, которые обменивались по гарантии.
  • Существует немало 2-х и 4-х канальных комплектов памяти, в которых один или несколько модулей будет иметь выраженные, отличные от соседей вольт-частотные характеристики.
  • Ручная настройка CAD_BUS timings может облегчить тренировку или улучшить стабильность системы.
Page 4

Тестовый стенд был следующий:

  • процессор: AMD Ryzen 2700X;
  • система охлаждения: NZXT Kraken X62;
  • материнская плата: MSI X470 GAMING M7 AC (UEFI V1.51);
  • память №1: 2x8GB G.Skill Sniper X 3600C19 (Hynix CJR 18 nm, Single Rank);
  • память №2: 2x8GB G.Skill Sniper X 3400C16 (Samsung B-die 20 nm, Single Rank);
  • память №3: 2x16GB G.Skill Trident Z 3000C14 (Samsung B-die 20 nm, Dual Rank);
  • видеокарта: MSI GeForce GTX 1080 Ti GAMING X;
  • накопитель: Samsung 970 Pro 512GB;
  • блок питания: Corsair HX750i;
  • операционная система: Windows 10 64-bit Fall Creators Update;
  • драйверы: NVIDIA GeForce 417.35 WHQL.

Все опубликованные пресеты имеют полную стабильность. Не забывайте, что нет универсальной предустановки. Различные топологии материнских плат, бининг памяти и процессора — это всегда лотерея. Если нет стабильности, сначала попробуйте соседние напряжения для SOC и DRAM.

Дополнительную информацию и пресеты настройки можно найти в программе DRAM Calculator for Ryzen.

2133 MHz — Default

  • SOC Voltage: auto.
  • Memory Voltage: auto.
  • Power Down Mode: auto (enabled).
  • Gear Down Mode: auto (enabled).

Samsung b-die 3200 MHz CL14 XMP (single rank)

  • SOC Voltage: 1.025 V.
  • Memory Voltage: 1.35 V.
  • Power Down Mode: auto (enabled).
  • Gear Down Mode: auto (enabled).

Samsung b-die 3200 MHz CL14 (single rank)

  • SOC Voltage: 1.025 V.
  • Memory Voltage: 1.36 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: disabled.

Samsung b-die 3200 MHz CL14 (dual rank)

  • SOC Voltage: 1.025 V.
  • Memory Voltage: 1.37 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: enabled.

Samsung b-die 3200 MHz CL14 (multi rank)

  • SOC Voltage: 1.025 V.
  • Memory Voltage: 1.35 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: disabled.

Samsung b-die 3200 MHz CL12 (single rank)

  • SOC Voltage: 1.025 V.
  • Memory Voltage: 1.50 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: disabled.

Samsung b-die 3333 MHz CL14 (dual rank)

  • SOC Voltage: 1.025 V.
  • Memory Voltage: 1.39 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: enabled.

Samsung b-die 3400 MHz CL14 (multi rank)

  • SOC Voltage: 1.025 V.
  • Memory Voltage: 1.39 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: enabled.

Samsung b-die 3466 MHz CL14 (single rank)

  • SOC Voltage: 1.025 V.
  • Memory Voltage: 1.42 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: disabled.

Samsung b-die 3533 MHz CL14 (single rank)

  • SOC Voltage: 1.025 V.
  • Memory Voltage: 1.44 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: disabled.
  • RTT_PARK: 48 ohm (RZQ/5) or 60 ohm (RZQ/4).

Samsung b-die 3600 MHz CL14 (single rank)

  • SOC Voltage: 1.1 V.
  • Memory Voltage: 1.45 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: enabled.

Hynix CJR 3200 MHz CL14 (single rank)

  • SOC Voltage: 1.025 V.
  • Memory Voltage: 1.37 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: disabled.

Hynix CJR 3200 MHz CL14 (multi rank)

  • SOC Voltage: 1.025 V.
  • Memory Voltage: 1.37 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: disabled.
  • procODT: 48 ohm.
  • RTT_NOM: 34 ohm (RZQ/7).
  • RTT_WR: disabled.
  • RTT_PARK: 40 ohm (RZQ/6).

Hynix CJR 3400 MHz CL14 (single rank)

  • SOC Voltage: 1.025 V.
  • Memory Voltage: 1.45 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: disabled.

Hynix CJR 3466 MHz CL16 (single rank)

  • SOC Voltage: 1.025 V.
  • Memory Voltage: 1.35 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: disabled.

Hynix CJR 3600 MHz CL16 (single rank)

  • SOC Voltage: 1.1 V.
  • Memory Voltage: 1.40 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: enabled.

Hynix CJR 3800 MHz CL16 (single rank)

  • SOC Voltage: 1.1 V.
  • Memory Voltage: 1.42 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: enabled.

Hynix MFR/AFR, Micron b-die 3200 MHz CL16 (single rank)

  • SOC Voltage: 1.025 V.
  • Memory Voltage: 1.35 V – 1.37 V.
  • Power Down Mode: disabled.
  • Gear Down Mode: enabled.
Page 5

-43% задержка , +78% пропускная способность памяти, не плохо?

SiSoftware Sandra

Тест, который демонстрирует эффективность процессорной взаимосвязи, эффективность обработки ядрами блоков данных и передачи их другим ядрам для дальнейшей параллельной обработки (парадигма производитель-потребитель) разных размеров и цепочек разных размеров. На простом языке — тест Infinity Fabric.

В этом тесте я хотел показать вам, как время и частота влияют на многопоточную производительность процессора. Мы видим улучшения в задержке (21–28%) и пропускной способности Infinity Fabric (+17%). Это уникальное явление, которое доступно только процессорам Ryzen.

Cinebench R20.0

Blender 2.80

К сожалению, разгон памяти не дает ощутимого роста в пакетах, которые используют сырую вычислительную мощность процессора.

3DMark

Довольно неплохая реакция на разгон оперативной памяти, в лучшем сценарии мы можем наблюдать прирост в размере +17% по очкам. Так же хочу отметить один нюанс, сборка Windows 10 1903 и чипсетные драйверы 19.10 содержат обновленный алгоритм взаимодействия планировщика ОС с многоядерными процессорами Ryzen. Будьте внимательны, мои результаты могут быть куда хуже ваших из-за разных версий Windows.

Metro Exodus

Вы можете спросить, почему я выбрал такие низкие настройки графики. Все просто, я хотел показать вам результаты, которые не будут зависеть от возможностей видеокарты.

Эта игра (как и многие другие) хорошо отреагировала на разгон, мы видим преимущество до 28% (Avg fps). Минимальный fps в этом тесте был довольно непредсказуемым. Возможно, причина в посредственной оптимизации игрового движка или планировщика Windows. Обычно это исправляется в патчах.

Assassin's Creed Odyssey

В этой игре даже при минимальных настройках качества я получил упор в видеокарту. Минимальная загрузка видео ядра составила 85%. Это означает, что тест является гибридной версией, и для раскрытия потенциала процессора Ryzen 7 2700X вам может потребоваться видеокарта, более мощная, чем GeForce GTX 1080 Ti.

Тем не менее, мы можем наблюдать значительное увеличение производительности из-за качественного разгона оперативной памяти (+30% fps).

The Witcher 3

Тест проводился в городе Новиград с одинаковым маршрутом для всех предустановок.

Эта игра любит тюнинг ОЗУ. Один из лучших результатов — +47% к среднему fps. Это означает, что вы можете наслаждаться комфортным игровым процессом на мониторе с частотой развертки 144 Гц.

Shadow of the Tomb Raider

+38% к среднему fps.

Сonclusions

Это руководство я планирую постоянно обновлять и дополнять. Возможно, будут добавлены дополнительные результаты тестирования в других играх, хотя в этом смысла не так уж много ибо большинство проектов продемонстрируют аналогичный рост производительности. Плюс 40% к среднему fps это не миф и не сказки. Это реальность, которую можно достичь, если у вас: а) железо подобрано грамотно; б) вы проявили пару дней терпения для прочтения и дальнейшего осознания сей писанины.

К сожалению, в Интернете существует множество обзоров, в которых недостаточно внимания уделяется настройке ОЗУ. И я не говорю о профилях XMP, которые в 99% случаев не имеют стабильности или имеют посредственную производительность. Из-за отсутствия стабильности я не включил типичные профили XMP 3600C16/19 в это руководство. Вы можете наблюдать огромный прирост fps, несмотря на то, что процессор работал в режиме по умолчанию (сток). Средняя частота процессора в играх колебалась от 3975 до 4075 МГц.

Одним из интересных нюансов, который возник во время тестирования — проблемы со стабильностью ОЗУ, когда процессор работал на частоте 4200 МГц. Я объясню. Процессор и оперативная память находятся на противоположных сторонах качелей. Если у нас чрезвычайно разогнанный процессор, то в большинстве случаев мы теряем несколько шагов при разгоне оперативной памяти и наоборот.

Поэтому я не советую ориентироваться на разгон процессора, если вы используете компьютер только для игр. В любой игре видеокарта будет самым слабым звеном во всей системе. В каждой игре произойдет увеличение производительности от разгона оперативной памяти. Вам не хватит одной карты GeForce RTX 2080 Ti, а в некоторых играх вам может понадобиться несколько таких адаптеров, чтобы раскрыть потенциал процессора.

Безусловным лидером в тестировании является оперативная память на чипах Samsung. Есть варианты с частотой 3200 МГц и CL14, а есть 4200 МГц и CL18, но в большинстве случаев вы переплачиваете за название. Казалось бы, тут пахнет отбором, но нет, в большинстве случаев обе плашки с одного комплекта будут иметь разные вольт-частотные характеристики. Большинство памяти на чипах Samsung B-die может работать в режиме 3466–3533 МГц с CL14. Если у вас проблемы с финансами, советую обратить внимание на SK hynix CJR, например G.Skill Sniper X 3600C19 или Ballistix 3000C15 AES на Micron E-die. Стоимость этих комплектов колеблется в районе 80–100 долларов. Вы получите высококачественную память, которая идеально подходит для процессоров Ryzen.

А что же ждать в будущем, на что стоит обратить внимание, а на что нет? Zen 2 — поколение процессоров, которое мне сложно назвать «рефрешем», это оказалось нечто большее, но об этом уже после 7-го июля. Х570 — «жирные» платы с большими амбициями, с PCI Express 4.0, с новым поколение топологии Daysi Chain, у которой предел ограничен только здравым смыслом. К примеру, в UEFI рубеж установлен на уровне 6000 МГц, против 4200 МГц на X470 и к нашему счастью это не маркетинг. Ближе к концу года мы увидим обновление для Samsung B-die с CAS 6,75 против текущих 8,75 нс.

Возвращаясь к нашему гайду и теме в целом хочу посоветовать вам при выборе комплектующих обращаться на форумы. На данный момент существует огромное количество тем, в которых ребята могут рассказать, что выбрать, рассказать о достоинствах или недостатках, помочь решить проблему или разогнать. Вы не одиноки и не стесняйтесь спрашивать (чтение шапок никто не отменял). В крайнем случае, вы можете написать мне.

Особая благодарность компании AMD, и, в отдельности, Джеймсу Приору, Стиву Бассетту и Сэми Макинену за предоставленные образцы и круглосуточную обратную связь.

Page 6

Ниже приведен список технических терминов, относящихся к разгону памяти с процессором Ryzen. Последний использует стандартную архитектуру памяти DDR4, поэтому вы можете быть знакомы с некоторыми из этих терминов. Некоторые другие термины являются новыми и характерными для UEFI материнских плат платформы AM4.

SOC Voltage — напряжение контроллера памяти. Предел 1,2 В.

DRAM Boot Voltage — напряжение, на котором происходит тренировка памяти при запуске системы. Лимит: до 1,45–1,50 В.

VDDP Voltage — это напряжение для транзистора, который конфигурирует содержимое оперативной памяти. Лимит: до 1,1 В.

VPP (VPPM) Voltage — напряжение, которое определяет надежность доступа к строке DRAM.

CLDO_VDDP Voltage — напряжение для DDR4 PHY на SoC. DDR4 PHY, или интерфейс физического уровня DDR4, преобразует информацию, которая поступает из контроллера памяти в формат, понятный модулям памяти DDR4.

Несколько нелогично, что снижение CLDO_VDDP часто может быть более выгодным для стабильности, чем повышение. Опытные оверклокеры также должны знать, что изменение CLDO_VDDP может сдвинуть или устранить дыры в памяти. Небольшие изменения в CLDO_VDDP могут иметь большой эффект, и для CLDO_VDDP нельзя установить значение, превышающее VDIMM –0,1 В. Tсли вы измените это напряжение, то потребуется холодная перезагрузка. Лимит: 1,05 В.

Vref Voltage — источник опорного напряжения оперативной памяти. «Настройка» взаимосвязи контроллера памяти и модуля памяти в зависимости от уровня напряжения, которое рассматривается как «0» или «1»; то есть напряжения, найденные на шине памяти ниже MEMVREF, должны рассматриваться как «0», а напряжения выше этого уровня должны считаться «1». По умолчанию этот уровень напряжения составляет половину VDDIO (около 0,500x). Некоторые материнские платы позволяют пользователю изменять это соотношение, обычно двумя способами: (1) «DRAM Ctrl Ref Voltage» (для линий управления с шины памяти; официальное название JEDEC для этого напряжения — VREFCA) и (2) «DRAM Ctrl Data Ref Voltage» (для строк данных с шины памяти; официальное название JEDEC — VREFDQ). Эти параметры настроены как множитель.

VTT DDR Voltage — напряжение, используемое для управления сопротивлением шины, чтобы достигнуть высокой скорости и поддержать целостность сигнала. Это осуществляется с помощью резистора параллельного прерывания.

PLL Voltage — определяет напряжение питания системы Фазовой АвтоПодстройки Частоты (ФАПЧ или PLL — Phase Locked Loop) и является актуальной лишь для повышения стабильности во время разгона системы с помощью BCLK. Лимит: 1,9 В.

CAD_BUS — САПР командной и адресной шины. Для тех, кто может тренировать память на высоких частотах (>=3466 МГц), но не может стабилизировать ее из-за проблем с сигнализацией. Я предлагаю вам попробовать уменьшить токи привода, связанные с «Командой и адресом» (увеличив сопротивление).

CAD_BUS Timings — задержка трансивера. Значения являются битовой маской (грубой / точной задержки). Аналог RTL/IOL в исполнении AMD. Имеют огромное влияние на тренировку памяти.

procODT — значение сопротивления, в омах, который определяет, как завершенный сигнал памяти терминируется. Более высокие значения могут помочь стабилизировать более высокие скорости передачи данных. Ограничение: нет.

RTT (время приема-передачи) — это время, затраченное на отправку сигнала, плюс время, которое требуется для подтверждения, что сигнал был получен. Это время задержки, следовательно, состоит из времени передачи сигнала между двумя точками. Настройка, которая отвечает за оптимизацию целостности сигнала. DRAM предлагает диапазон значений сопротивления нагрузки. Конкретное сопротивление приемника выводов DQ, представленное интерфейсу, выбирается комбинацией начальной конфигурации микросхемы и рабочей команды DRAM, если включено динамическое завершение на кристалле.

Geardown Mode — позволяет памяти уменьшать эффективную скорость передачи данных на шинах команд и адресов.

Power Down Mode — может незначительно экономить энергию системы за счет более высокой задержки DRAM, переводя DRAM в состояние покоя после периода бездействия.

BankGroupSwap (BGS) — настройка, которая изменяет способ назначения приложениям физических адресов в модулях памяти. Цель этого регулятора — оптимизировать выполнение запросов к памяти, учитывая архитектуру DRAM и тайминги памяти. Теория гласит, что переключение этого параметра может сместить баланс производительности в пользу игр или синтетических приложений.

Игры получают ускорение при отключенной BGS, а пропускная способность памяти AIDA64 была выше при включенной BGS.

Алгоритм настройки системы

Инструмент, который будет нам помогать с рекомендациями — DRAM Calculator for Ryzen. Самый главный, фундаментальный шаг — это запуск системы на определенной частоте, которую мы хотим получить. Для этого нам потребуется вручную установить такие настройки в UEFI: профиль XMP памяти (он может называться по-разному, смысл от этого не меняется), частоту для оперативной памяти (которую мы хотим получить), установить частоту BCLK (если присутствует такая настройка в прошивке), тайминги (которые рекомендует калькулятор), напряжение для SOC и DRAM (рекомендации калькулятора) и procODT + RTT (NOM, WR и PARK). Не забывайте про важный нюанс, что материнская плата или оперативная память может не справиться с вашими амбициями, потому советую посетить страницу поддержки вашей материнской платы и посмотреть QVL-список, в котором будут указаны частоты, на которых плата в заводских условиях функционировала без ошибок. Эта частота и будет нашей отправной точкой. Зачастую это 3000–3200 МГц.

Параметры procODT + RTT (NOM, WR и PARK) мы будем подбирать так, чтоб система имела минимальное кол-во ошибок. Тестовый пакет TM5 0.12 (Basic Preset). Безусловно, от всех ошибок мы не сможем избавиться, и для этого нам нужен будет следующий шаг.

Цель следующего шага — поиск самого оптимального напряжения для DRAM и SOC, при которых система будет иметь минимальное кол-во ошибок. Сначала подбираем напряжение для SOC, а затем для DRAM (калькулятор вам подскажет диапазон). Для отлова ошибок используем тестовый пакет TM5 0.12 (Basic Preset).

В половине случаев вы можете на данном этапе получить полностью стабильную систему. Если тестовый пакет TM5 0.12 не находит ошибок, то вы должны увеличить спектр тестовых программ для проверки стабильности. Вы можете использовать LinX, HCI, Karhu, MEMbench и другие программы. В случае если вышеописанные утилиты нашли ошибку, то вам стоит перейти к следующему шагу, отладочному.

На отладочном шаге главная цель — это изменение определенных таймингов, указанные на иллюстрации ниже.

На данном этапе вы должны проверить по очереди влияние каждого тайминга на стабильность системы. Примечание: я не рекомендую изменять все задержки сразу, постарайтесь набраться терпения. Если тестируемый тайминг никак не улучшает ситуацию, мы его возвращаем на место и проверяем по списку следующую задержку.

На этом шаге основной инструктаж по отладке системы для простых пользователей заканчивается. Дальнейшие шаги я могу посоветовать более опытным оверклокерам, которые знакомы с разгоном достаточно давно.

Тонкая настройка CAD_BUS

и корректировка дополнительных напряжений.

На каждой иллюстрации присутствуют списки параметров, которые мы используем или изменяем. Эти списки я сформировал так, чтобы более приоритетные настройки, которые могут помочь улучшить стабильность, вы проверили первыми. Безусловно, вы можете пойти своей дорогой, четких правил и закономерностей нет.

Page 7

Существует пять основных операций (или четыре, если объединить чтение и запись в одну), которые необходимо выполнить при доступе к данным в DRAM.

Активация открывает одну из строк DRAM в банке и копирует данные из открытой строки в буфер строк.

Восстановление гарантирует, что заряд, который расходуется из каждой ячейки в строке DRAM во время активации, восстанавливается до полного уровня, чтобы предотвратить потерю данных.

Чтение и запись могут выполняться после копирования данных активированной строки в буфер строк.

Precharge освобождает данные из буфера строк, когда контроллер памяти выполняет чтение и запись в активированную строку, и подготавливает банк для активации другой строки.

Из них задержка доступа DRAM в основном состоит из задержки трех операций: активация, восстановление и предварительная зарядка.

На рисунке выше показана временная шкала команд, выполненных для чтения (вверху) или записи (внизу) для одной строки данных кэша. Контроллер памяти выдает четыре команды: (1) ACT (активировать), (2) READ или (3) WRITE и (4) PRE (предварительная зарядка). Обратите внимание, что восстановление не имеет явной команды, а вместо этого запускается автоматически после команды ACT. Время, затрачиваемое на каждую операцию, определяется набором временных параметров, которые определяются поставщиками DRAM. Хотя каждая команда работает с гранулярностью строк, для простоты мы описываем, как операции DRAM влияют на одну ячейку DRAM.

В начальном предварительно заряженном состоянии (1) битовая линия поддерживается на уровне напряжения VDD / 2, где VDD — полное напряжение питания DRAM. Линия слова находится в 0 В, и поэтому битовая линия отключена от конденсатора. После того, как контроллер памяти выдает команду ACT (2), словосочетание повышается до Vh, тем самым соединяя конденсатор ячейки DRAM с разрядной линией. Так как в этом примере напряжение на конденсаторе выше, чем на разрядной линии, заряд поступает на разрядную линию, повышая уровень напряжения до VDD / 2 + δ. Этот процесс называется разделением заряда. Затем усилитель считывания измеряет отклонение на битовой линии и соответственно усиливает это отклонение (3). Эта фаза, называемая чувственным усилением, в конечном итоге приводит уровень напряжения разрядной линии и ячейки к исходному состоянию напряжения ячейки (в данном примере VDD).

Как только усилитель считывания достаточно усилил данные в битовой линии (например, уровень напряжения достигнет 3VDD / 4), контроллер памяти может выдать команду READ или WRITE для доступа к данным ячейки в буфере строк. Время, необходимое для достижения этого состояния (3) после команды ACT, задается параметром синхронизации tRCD, как показано на первом рисунке. После того, как команда READ или WRITE введена, фаза чувствительного усиления продолжает управлять напряжением на битовой линии (4), пока уровень напряжения битовой линии и ячейка не достигнут VDD. Другими словами, исходный уровень заряда ячейки полностью восстанавливается до исходного значения для READ или корректно обновляется до нового значения для WRITE.

Для запросов на чтение DRAM задержка для ячейки, которая будет полностью восстановлена после ACT, определяется параметром синхронизации tRAS. Для запросов записи DRAM время, необходимое для полного обновления ячейки, определяется tWR. После восстановления битовая линия может быть предварительно заряжена с помощью команды PRE, чтобы подготовить подмассив для будущего доступа к другой строке. Этот процесс отключает ячейку от разрядной линии путем понижения напряжения на словарной линии. Затем он сбрасывает напряжение разрядной линии до VDD / 2. Время завершения операции предварительной зарядки определяется параметром синхронизации tRP.

Значения tRCD и tRAS могут быть значительно ниже, чем в даташитах. Как так?

Обычные микросхемы DRAM выполняют операции активации и восстановления с использованием фиксированной задержки, которая определяется значением параметров синхронизации, показанных на первом изображении. Однако существуют способы, с помощью которых задержки для активации и восстановления могут быть уменьшены путем использования текущего уровня заряда ячейки. Если элемент имеет высокий уровень заряда, соответствующий процесс возмущения напряжения на битовой линии во время активации происходит быстрее, и, следовательно, усилителю считывания требуется меньше времени для достижения состояний 3 и 4 на втором изображении. «ChargeCache» — это современный механизм, который использует эту информацию для безопасного уменьшения временных параметров tRCD и tRAS для сильно заряженной ячейки.

ChargeCache отслеживает строки, к которым недавно был получен доступ, что означает, что их ячейки имеют высокий уровень заряда, поскольку с момента последнего восстановления ячеек до полного уровня заряда прошло только короткое время. Поэтому, если недавно активированная строка снова активируется в течение короткого интервала времени (например, 1 мс), ChargeCache использует более низкие значения tRCD и tRAS для строки, что уменьшает общую задержку доступа к DRAM. Аналогичный подход может быть применен для уменьшения времени восстановления. В обычном чипе DRAM каждая команда ACT запускает операцию восстановления, которая полностью восстанавливает уровень заряда ячеек в активированном ряду. Аналогично, каждая операция обновления полностью восстанавливает уровень заряда элемента в фиксированный интервал времени (каждые 64 мс в DDRx DRAM).

Существует также механизм Restore Truncation, который частично восстанавливает уровень заряда ячейки ровно настолько, чтобы сохранять правильные данные — до следующего обновления ячейки. Одним из элементов управления для этого механизма является время tWR и tRAS.

Некоторые предустановки, опубликованные в моей статье, используют эти механизмы, поэтому я советую вам забыть о типичных формулах, которые вы можете найти в Интернете.

Выводы

Поскольку элемент DRAM состоит из конденсатора, элемент теряет заряд, даже когда к нему нет доступа. Чтобы предотвратить потерю данных, DRAM должен выполнять периодические операции обновления для всех ячеек. Операция обновления возвращает уровень заряда ячейки к ее полному значению.

Современные микросхемы памяти позволяют устанавливать агрессивные временные интервалы благодаря механизму Restore Truncation и ChargeCache.

Микросхемы SDRAM в некотором смысле позволяют выполнять третью и четвертую операции параллельно. Если быть точным, команда перезарядки линии PRECHARGE может быть отправлена за определенное количество тактов x до момента, когда был выпущен последний элемент данных запрошенного пакета, не опасаясь возникновения «сломанной» ситуации в переданном пакете (последнее произойдет, если команда PRECHARGE отправит команды READ с периодом времени меньше x).

Чтобы предотвратить потерю данных в ячейках, вы можете увеличить напряжение DRAM или изменить временные характеристики, которые отвечают за предварительную зарядку и обновление. Регулировка tRP и tRFC будет иметь наибольшее влияние, tWR и tRTP также могут помочь. Я не советую поднимать значение tWR выше 12.

tRC> = tRAS + tRP. Для большинства случаев это должна быть оптимальная формула.

tRAS = tRCD + tCL. У меня нет четкого определения для этого тайминга, оно может быть равно tRCD + tCL, но иногда значительно ниже из-за механизмов, перечисленных выше. Также не стоит забывать и о запасе, пределы которого определяются чисто экспериментальным путем, поскольку каждый чип имеет различные характеристики ячеек. Вот вам один из примеров.

Для высоких частот я использую формулу из первого рисунка. tRAS = tRCD + tBL + tWR, где tWR тюнингованное, которое равно 12 или 10. tBL для DDR4 всегда равен 4, но контроллер может использовать и 2.

Пример:

www.overclockers.ua

Производство популярной памяти Samsung B-Die прекращено: новые M-Die и A-Die будут быстрее

Одна из самых популярных веток на немецком форуме Hardwareluxx посвящена списку планок памяти на модулях Samsung 8Gbit B-Die. В ней приведены почти все модули памяти и комплекты производителей, использующие Samsung B-Die.

Samsung 8Gbit B-Die представляют собой чипы памяти DDR4 со спецификацией K4A8G045WB (PDF). Их можно встретить на различных модулях памяти. С восемью чипами на одной стороне возможна емкость 8 Гбайт (одноранговый модуль), с 16 чипами - емкость 16 Гбайт (двуранговый модуль).

Данная память зарекомендовала себя как универсальная и дружественная к разгону. Тактовые частоты масштабируются почти линейно с задержками и напряжениями, то есть можно выбрать высокие частоты с ослабленными задержками и низким напряжением, либо высокие частоты с минимальными задержками на более высоком напряжении. Планки, оснащенные данными чипами памяти, показали отличную совместимость с процессорами AMD Ryzen, после обновлений AGESA они обычно разгоняются до высоких тактовых частот.

За B-Die последуют M-Die и A-Die

Samsung недавно объявила, что в ближайшем времени начнет производство третьего поколения чипов DRAM класса 1z. В документации Product Guide в мае 2018 Samsung уже отмечала, что чипы B-Die рано или поздно уступят место другим. Похоже, это как раз и произошло - чипы достигли состояния EOL (End of Life), что означает прекращение производства. Возможно, причина кроется в том, что Samsung планирует перевести производство с 20 нм на меньший техпроцесс.

Если верить китайским источникам, чипы M-Die производятся по техпроцессу 1y нм (класс 1y), причем они уже перешли на стадию массового производства. Чипы A-Die достигли этапа тестирования в первом квартале 2019. Помимо меньшего техпроцесса у новых чипов есть другое преимущество - они позволяют удвоить емкость. Переход с техпроцесса 20 нм на 1y нм наверняка позволит выжать более высокие тактовые частоты. В результате мы получим односторонние модули на 16 Гбайт, двусторонние на 32 Гбайт и крупные односторонние на 32 Гбайт.

Скорее всего, первые модули на чипах M-Die уже начнут поступать в продажу в мае. Но пока нет каких-либо подробностей о тактовых частотах и других спецификациях.

Насчет чипов A-Die известно еще меньше. Они должны производиться по новому и улучшенному техпроцессу 1z нм (класс 1z), поэтому и позиционироваться чипы будут выше M-Die. Но технических подробностей чипов A-Die пока нет. Вероятно, пройдет какое-то время, прежде чем планки с чипами A-Die появятся на рынке. Скорее всего, ждать придется не меньше шести месяцев.

В любом случае, лето будет весьма интересным с точки зрения рынка памяти. Кроме чипов M-Die и A-Die от Samsung можно ожидать E-Die от Micron и C-Die от SK Hynix. После того, как последние модули B-Die уйдут с рынка, начнется гонка за емкость и производительность. Будет интересно посмотреть, обеспечат ли чипы M-Die схожий потенциал производительности и разгона.

www.hardwareluxx.ru

Обзор и тестирование четырех модулей оперативной памяти DDR4-2400 Samsung M378A1K43CB2-CRC объемом 8 Гбайт: когда AMD выступает лучше Intel

Оглавление

Вступление

Несколько дней назад мы затронули новую программную платформу AMD AGESA 1.0.0.6, на базе которой строятся прошивки BIOS материнских плат для процессоров AMD Ryzen. И улучшение действительно оказалось стоящим. При том, что для экспериментов была взята далеко не самая лучшая память (хоть и не худшая) Samsung E-Die, к тому же в двухранговом исполнении.

И наш очередной материал, посвященный изучению частотного потенциала различной памяти, будет несколько отличаться от предыдущих публикаций: тестовых стендов будет не один, а два – к привычному на платформе Intel прибавится новый на базе AMD Ryzen 7 и материнской платы с микрокодом BIOS на основе AGESA 1.0.0.6.

Благодаря нашему постоянному партнеру – компании Регард, мы изучим возможности оперативной памяти Samsung M378A1K43CB2-CRC объемом 8 Гбайт. Отметим, что в связи с большим количеством тестов пришлось пойти на некоторые жертвы: модулей памяти будет только четыре вместо традиционных шести-восьми. Но итоговые результаты стоили того.

Обзор и тестирование шести модулей оперативной памяти DDR4-2133 Crucial CT8G4DFS8213 объемом 8 Гбайт

С тех пор, как AMD представила свою процессорную архитектуру «Zen», выяснилось, что новинке довольно-таки желательна именно быстрая память, а не абы что. Причем уже DDR4, а не DDR3 – последняя Socket AM4 не поддерживается. Поэтому запасами старых модулей при апгрейде уже не обойтись. Нашей «жертвой» станет продукция Micron: шесть модулей, выпущенных под торговой маркой Crucial.

Перед прочтением данной статьи настоятельно рекомендуется ознакомиться с предыдущим материалом, в котором мы рассмотрели четыре модуля оперативной памяти DDR4-2133 Samsung M378A1G43EB1-CPB объемом 8 Гбайт. Помимо этого, было рассказано об отличиях AGESA 1.0.0.6 от AGESA 1.0.0.4 и ряде других нюансов, которые могут быть уже неактуальны (например, проблемах CPU-Z старых версий), но совсем забывать о них не стоит.

На всякий случай отметим, что официально прошивки BIOS на программной платформе AGESA 1.0.0.6 пока существуют только в статусе тестовых версий, выпущены не для всех материнских плат и не предназначены для штатной эксплуатации.

Обзор Samsung M378A1K43CB2-CRC

Упаковка и комплектация

OEM-модули Samsung в подавляющем большинстве случаев лишены какой-либо упаковки вовсе, не стала исключением из этого правила и память, ставшая объектом нашего внимания.

Риск повреждения очень велик: царапины на лаковом покрытии и микросхемах, сбитые элементы, которые не всегда можно заметить сразу. Но часто память Samsung оправдывает подобные риски.

Дизайн и особенности модулей памяти

Рассматриваемые модули являются одноранговыми («Single Rank»), односторонними.

На этикетках, наклеенных на каждую планку, присутствует указание производителя (Samsung), наименование серии (M378A1K43CB2-CRC), тип (PC4 – DDR4), частота (2400 МГц), объем модуля (8 Гбайт), указание на одноранговое строение (1R) и серийный номер (цифро-буквенный код типа «S0M2A2070434B96440»). Формула таймингов и рабочее напряжение в явном виде не указываются.

Нужно отметить, что модельный номер модулей приводится не только на этикетке, он также нанесен на поверхность самих модулей.

Количество слоев металлизации можно посчитать только визуально, на печатной плате нет никакой явной маркировки. Судя по всему, их шесть.

В качестве микросхемы SPD используется EBFT 8648, термомониторинг отсутствует.

Модули построены на микросхемах Samsung K4A8G085WC-BCRC.

Это новые микросхемы, компания Samsung развернула их поставки только в конце прошлого года, собраны они на базе 18 нм DRAM-кристаллов Samsung C-Die. И насколько хороши такие микросхемы в разгоне (особенно на системах AMD), пока не совсем ясно.

Нужно отметить еще один нюанс – цифру «2» в маркировке модулей на двенадцатой позиции (M378A1K43CB2-CRC), которая обозначает, что печатная плата, используемая в основе этих модулей, относится ко второй ревизии. Кстати, десятый символ в маркировке модулей (M378A1K43CB2-CRC) указывает тип микросхем DRAM (C-Die), что облегчает поиск по прайс-листам магазинов.

overclockers.ru


Смотрите также