Ddr3 что это


Первый взгляд на DDR3

Изучаем новое поколение памяти DDR SDRAM, теоретически и практически

По материалам наших ежегодных iТогов по десктопной оперативной памяти (см., например, материалы за 2004, 2005 и 2006 год) легко заметить, что наиболее приоритетным направлением развития технологии оперативной памяти DDR SDRAM уже который год подряд является дальнейшее увеличение ее пропускной способности (напрямую зависящей от ее тактовой частоты) и снижение задержек. На втором месте по важности, пожалуй, располагается уменьшение ее энергопотребления и, наконец, увеличение емкости отдельных компонентов (микросхем) и модулей памяти в целом. По-видимому, реализация первого направления считается наиболее важной, в связи с чем происходит практически непрерывно (в рамках одной и той же ступени эволюции технологии — например, плавный переход от DDR2-400 к DDR2-800 и выше), тогда как реализация остальных из перечисленных выше задач, как правило, требует определенного эволюционного скачка в технологическом развитии (например, перехода от технологии DDR к технологии DDR2). Действительно, простое увеличение частоты шины памяти сказывается на ее энергопотреблении явно не положительным образом, поэтому для решения задачи снижения энергопотребления требуются иные подходы. Более того, ситуация, как правило, осложняется тем, что решение этой задачи несколько противоречит «генеральной линии» развития технологий памяти, которая, напомним, заключается в достижении все больших пропускных способностей (частот) и все меньших задержек. И правда, хорошо известно, что первые варианты памяти типа DDR2 ощутимо проигрывали их «равночастотным» аналогам типа DDR по задержкам. Тем не менее, неограниченный рост частот (и снижение задержек) в рамках одной и той же технологии памяти невозможен — он ограничен вполне определенными физическими причинами (прежде всего, тепловыделением), поэтому «эволюционные скачки» в развитии технологий памяти все же необходимы, и обусловлены они не только заботой о меньшем потреблении энергии.

Так обстояло дело при первом эволюционном скачке в развитии технологий памяти DDR SDRAM — переходе от DDR к DDR2. Первые образцы DDR функционировали на частоте всего 100 МГц (и имели рейтинг DDR-200), затем частота постепенно увеличилась до 200 МГц (DDR-400). Происходило одновременное уменьшение задержек — первоначальные схемы таймингов вида 3-3-3-8 сменились весьма низкими схемами вида 2-2-2-5. Затем появились и более высокочастотные модули памяти DDR (вплоть до 300 МГц, т.е. DDR-600), однако официально они так и не были приняты стандартом JEDEC. Увеличение частоты модулей памяти, либо снижение задержек требовало повышения питающего напряжения со стандартного уровня 2.5 В до значений порядка 2.85 В, проблема избыточного тепловыделения решалась, как правило, применением обычных теплоотводов.

Когда дальнейшее увеличение тактовых частот памяти DDR оказалось практически невозможным, на рынке десктопной оперативной памяти появилось новое, второе поколение памяти DDR SDRAM — память DDR2, которая постепенно начала доказывать свою конкурентоспособность и медленно, но верно вытеснять «старое» поколение памяти DDR. Первоначальные варианты DDR2 были представлены частотами 200 МГц (DDR2-400) и 266 МГц (DDR2-533) — так сказать, DDR2 начала свое развитие там, где (официально) закончила свое развитие DDR. Более того, первоначальный стандарт DDR2 предусматривал гораздо более высокочастотные варианты, по сравнению с привычной DDR — 333-МГц модули типа DDR2-667 и 400-МГц вариант DDR2-800. При этом микросхемы DDR2 были основаны на новом технологическом процессе, позволяющем использовать питающее напряжение всего 1.8 В (что явилось одним из факторов снижения их энергопотребления) и достигать более высоких емкостей компонентов и, следовательно, модулей памяти.

Благодаря чему удалось достичь (сначала — в теории, а затем — и на практике) больших тактовых частот (а следовательно, и пропускных способностей) памяти DDR2 при одновременном уменьшении ее энергопотребления, по сравнению с DDR? Были ли при этом у DDR2 только одни преимущества перед DDR, или имелись и недостатки? Чтобы ответить на эти вопросы, позволим себе сделать краткий экскурс в теорию. Для начала, рассмотрим предельно упрощенную схему функционирования памяти типа DDR (рис. 1).Рис. 1. Схематическое представление передачи данных в микросхеме памяти DDR-400

Передача данных от микросхем памяти модуля к контроллеру памяти по внешней шине данных осуществляется по обоим полупериодам синхросигнала (восходящему — «фронту», и нисходящему — «срезу»). В этом и заключается суть технологии «Double Data Rate», именно поэтому «рейтинг», или «эффективная» частота памяти DDR всегда является удвоенной (например, DDR-400 при 200-МГц частоте внешней шины данных). Итак, «эффективная» частота внешней шины данных памяти DDR-400 составляет 400 МГц, тогда как ее истинная частота, или частота буферов ввода-вывода, составляет 200 МГц. В устройствах памяти первого поколения DDR внутренняя частота функционирования микросхем памяти приравнена к истинной частоте внешней шины (частоте буферов ввода-вывода) и составляет 200 МГц для рассматриваемой микросхемы памяти DDR-400. При этом совершенно очевидно, что для того, чтобы передавать по 1 биту данных за такт (по каждой линии данных) по внешней шине с «эффективной» частотой 400 МГц, за один такт внутренней 200-МГц шины данных необходимо передать 2 бита данных. Иными словами, можно сказать, что при прочих равных условиях внутренняя шина данных должна быть вдвое шире по сравнению с внешней шиной данных. Такая схема доступа к данным называется схемой «2n-предвыборки» (2n-prefetch).Рис. 2. Схематическое представление передачи данных в микросхеме памяти DDR2-800

Наиболее естественным путем решения проблемы достижения более высоких тактовых частот при переходе от DDR к DDR2 явилось снижение тактовой частоты внутренней шины данных вдвое по отношению к реальной тактовой частоте внешней шины данных (частоте буферов ввода-вывода). Так, в рассматриваемом примере микросхем памяти DDR2-800 (рис. 2) частота буферов ввода-вывода составляет 400 МГц, а «эффективная» частота внешней шины данных — 800 МГц (поскольку сущность технологии Double Data Rate остается в силе — данные по-прежнему передаются как по восходящему, так и по нисходящему полупериоду синхросигнала). При этом частота внутренней шины данных составляет всего 200 МГц, поэтому для передачи 1 бита (по каждой линии данных) за такт внешней шины данных с эффективной частотой 800 МГц на каждом такте 200-МГц внутренней шины данных требуется передача уже 4 бит данных. Иными словами, внутренняя шина данных микросхемы памяти DDR2 должна быть в 4 раза шире по сравнению с ее внешней шиной. Такая схема доступа к данным, реализованная в DDR2, называется схемой «4n-предвыборки» (4n-prefetch). Ее преимущества перед схемой 2n-prefetch, реализованной в DDR, очевидны. С одной стороны, для достижения равной пиковой пропускной способности можно использовать вдвое меньшую внутреннюю частоту микросхем памяти (200 МГц для DDR-400 и всего 100 МГц для DDR2-400, что позволяет значительно снизить энергопотребление). С другой стороны, при равной внутренней частоте функционирования микросхем DDR и DDR2 (200 МГц как для DDR-400, так и DDR2-800) последние будут характеризоваться вдвое большей теоретической пропускной способностью. Но очевидны и недостатки — функционирование микросхем DDR2 на вдвое меньшей частоте (в условиях равенства теоретической пропускной способности устройств DDR и DDR2) и использование более сложной схемы преобразования «4-1» приводит к ощутимому возрастанию задержек, что и наблюдалось на практике в ходе исследования первых образцов модулей памяти DDR2.

Естественно, применение схемы 4n-prefetch — не единственное нововведение в DDR2, однако оно является наиболее значимым отличием от предыдущего поколения памяти DDR, поэтому достаточно для нашего краткого рассмотрения. За более полными подробностями относительно DDR2 мы рекомендуем обратиться к нашей статье «DDR2 — грядущая замена DDR. Теоретические основы и первые результаты низкоуровневого тестирования».

Дальнейшее развитие технологии памяти DDR2 явилось существенно аналогичным развитию ее предыдущего поколения, памяти DDR. А именно, были достигнуты частоты в 333 и 400 МГц (т.е. реализованы официальные стандарты DDR2-667 и DDR2-800). Были значительно снижены задержки, даже официально появилась новая версия стандарта JEDEC (JESD79-2B), допускающая снижение схемы таймингов от 4-4-4 до 3-3-3 — для DDR2-533, от 5-5-5 до 4-4-4 — для DDR2-667, от 6-6-6 до 5-5-5 и даже 4-4-4 — для DDR2-800. Конечно же, следом появились и «нестандартные» разновидности DDR2, по своей частоте выходящие далеко за пределы спецификации JEDEC — вплоть до 625 МГц («DDR2-1250») при схеме таймингов 5-5-5, либо «стандартные» DDR2-800, но с экстремально низкими схемами таймингов вроде 3-3-3. Как и прежде, для достижения таких рекордов потребовалось значительное поднятие питающего напряжения модулей со стандартного уровня 1.8 В до экстремально высоких уровней порядка 2.4 В (что совсем немного уступает стандартному значению предыдущего поколения памяти DDR — 2.5 В). Разумеется, это потребовало применения более «продвинутых» способов отвода тепла от микросхем памяти — как оригинальных, патентованных фирменных конструкций теплоотводов, так и применения внешнего активного охлаждения.

Тем не менее, как и в случае с прошлым поколением памяти DDR, на сегодняшний день предел технологии памяти DDR2 (по частоте, задержкам и значительно возросшему тепловыделению вследствие значительного увеличения питающего напряжения) практически достигнут. Поэтому уже сегодня вполне закономерно ожидать очередной «эволюционный скачок» технологии памяти DDR SDRAM — переход от памяти стандарта DDR2 к новому стандарту DDR3.Рис. 3. Схематическое представление передачи данных в микросхеме памяти DDR3-1600

Нетрудно догадаться, что основной принцип, лежащий в основе перехода от DDR2 к DDR3, в точности повторяет рассмотренную выше идею, заложенную при переходе от DDR к DDR2. А именно, DDR3 — это «все та же DDR SDRAM», т.е. передача данных по-прежнему осуществляется по обоим полупериодам синхросигнала на удвоенной «эффективной» частоте относительно собственной частоты шины памяти. Только рейтинги производительности выросли в 2 раза, по сравнению с DDR2 — типичными скоростными категориями памяти нового стандарта DDR3 будут являться разновидности от DDR3-800 до DDR3-1600 (а возможно, и выше). Очередное увеличение теоретической пропускной способности компонентов памяти в 2 раза вновь связано со снижением их внутренней частоты функционирования во столько же раз. Поэтому отныне, для достижения темпа передачи данных со скоростью 1 бит/такт по каждой линии внешней шины данных с «эффективной» частотой в 1600 МГц (как в примере, рассмотренном на рис. 3) используемые 200-МГц микросхемы должны передавать по 8 бит данных за каждый «свой» такт. Т.е. ширина внутренней шины данных микросхем памяти окажется уже в 8 раз больше по сравнению с шириной их внешней шины. Очевидно, такая схема передачи данных с рассмотренным преобразованием типа «8-1» будет называться схемой «8n-предвыборки» (8n-prefetch). Преимущества при переходе от DDR2 к DDR3 будут теми же, что и при состоявшемся ранее переходе от DDR к DDR2: с одной стороны, это снижение энергопотребления компонентов в условиях равенства их пиковой пропускной способности (DDR3-800 против DDR2-800), с другой стороны — возможность дальнейшего наращивания тактовой частоты и теоретической пропускной способности при сохранении прежнего уровня «внутренней» частоты компонентов (DDR3-1600 против DDR2-800). Теми же будут и недостатки — дальнейший разрыв между «внутренней» и «внешней» частотой шин компонентов памяти будет приводить к еще большим задержкам. Резонно ожидать, что относительное увеличение последних, при переходе от DDR2 к равночастотной DDR3, будет примерно таким же, как и при переходе от DDR к равночастотной DDR2.

Что ж, перейдем к несколько более детальному рассмотрению нового поколения микросхем и модулей памяти DDR3, грядущих на смену нынешней DDR2.

DDR3: некоторые технические сведения

Стандарт DDR3 на сегодняшний день еще не принят JEDEC, его принятие ожидается ближе к середине текущего года (предположительно, он будет носить имя JESD79-3). Поэтому представленная ниже информация о микросхемах и модулях памяти DDR3 пока что носит предварительный характер.

Начнем с микросхем памяти DDR3, первые прототипы которых были объявлены еще в 2005 году. Доступные сегодня образцы микросхем DDR3 основаны на 90-нм технологическом процессе и характеризуются уровнем питающего напряжения 1.5 В, что само по себе вносит примерно 30% вклад в снижение мощности, рассеиваемой этими микросхемами памяти по сравнению с микросхемами DDR2 (имеющими стандартное питающее напряжение 1.8 В). Полное снижение энергопотребления по сравнению с равночастотной DDR2 достигает примерно 40%, что особенно важно для мобильных систем. Емкости компонентов, предусмотренные предварительными спецификациями JEDEC, варьируются от 512 Мбит до 8 Гбит, тогда как типичные выпускаемые на сегодня микросхемы имеют емкость от 1 до 4 Гбит. Теоретическая пропускная способность микросхем DDR3 вдвое выше по сравнению с DDR2 благодаря использованию рассмотренной выше схемы 8n-prefetch (против 4n-prefetch в DDR2). Количество логических банков в микросхемах DDR3 также увеличено вдвое по сравнению с типичным значением для DDR2 (4 банка) и составляет 8 банков, что теоретически позволяет увеличить «параллелизм» при обращении к данным по схеме чередования логических банков и скрыть задержки, связанные с обращением к одной и той же строке памяти (tRP). Микросхемы DDR3 корпусируются в FBGA-упаковку, обладающую рядом улучшений по сравнению с DDR2, а именно (рис. 4):

  • Большим количеством контактов питания и «земли»;
  • Усовершенствованным распределением питающих и сигнальных контактов, позволяющим достичь лучшее качество электрического сигнала (необходимое для более устойчивого функционирования при высоких частотах);
  • Полным «заселением» массива, что увеличивает механическую прочность компонента.
Рис. 4. Корпусировка микросхем DDR3 и DDR2

Перейдем к рассмотрению модулей памяти DDR3. Как и модули памяти DDR2, они выпускаются в виде 240-контактной печатной платы (по 120 контактов с каждой стороны модуля), однако не являются электрически совместимыми с последними, и по этой причине имеют иное расположение «ключа» (см. рис. 5а).Рис. 5а. Внешний вид типичных модулей памяти DDR3 (сверху) и DDR2 (снизу)

Рис. 5б. Внешний вид типичных разъёмов на системной плате (комбо) для установки модулей памяти DDR3 (голубой/розовый) и DDR2 (зелёный/оранжевый)

Отличительной особенностью схемотехнического дизайна модулей памяти DDR3 является применение «сквозной», или «пролетной» (fly-by) архитектуры передачи адресов и команд, а также сигналов управления и тактовой частоты отдельным микросхемам модуля памяти с применением внешнего терминирования сигналов (резистором, расположенным на модуле памяти). Схематически эта архитектура представлена на рис. 6. Она позволяет добиться увеличения качества передачи сигналов, что необходимо при функционировании компонентов при высоких частотах, типичных для памяти DDR3 и не требуется для компонентов памяти стандарта DDR2.Рис. 6. «Пролетная» (fly-by) архитектура передачи сигналов в модулях памяти DDR3

Различие между способом подачи адресов и команд, сигналов управления и тактовой частоты в модулях памяти DDR2 и DDR3 (на примере модулей, физический банк которых составлен из 8 микросхем разрядностью x8) представлено на рис. 7. В модулях памяти DDR2 подача адресов и команд осуществляется параллельно на все микросхемы модуля, в связи с чем, например, при считывании данных, все восемь 8-битных элементов данных окажутся доступными в один и тот же момент времени (после подачи соответствующих команд и истечения соответствующих задержек) и контроллер памяти сможет одновременно прочитать все 64 бита данных. В то же время, в модулях памяти DDR3 вследствие применения «пролетной» архитектуры подачи адресов и команд каждая из микросхем модуля получает команды и адреса с определенным отставанием относительно предыдущей микросхемы, поэтому элементы данных, соответствующие определенной микросхеме, также окажутся доступными с некоторым отставанием относительно элементов данных, соответствующих предыдущей микросхеме в ряду, составляющем физический банк модуля памяти. В связи с этим, с целью минимизации задержек, в модулях памяти DDR3, по сравнению с модулями DDR2, реализован несколько иной подход ко взаимодействию контроллера памяти с шиной данных модуля памяти. Он называется «регулировкой уровня чтения/записи» (read/write leveling) и позволяет контроллеру памяти использовать определенное смещение по времени при приеме/передачи данных, соответствующее «запаздыванию» поступления адресов и команд (а следовательно, и данных) в определенную микросхему модуля. Этим достигается одновременность считывания (записи) данных из микросхем (в микросхемы) модуля памяти.Рис. 7. Регулировка уровня чтения/записи (read/write leveling) в модулях памяти DDR3

В заключение рассмотрим скоростные характеристики предполагаемых спецификаций модулей памяти DDR3, которые представлены в таблице 1.

Табл. 1. Скоростные характеристики модулей памяти DDR3
Тип модулейРейтингЧастота шины, МГцТипичная схема тайминговТеоретическая пропускная способность, ГБ/сОдно-канальный режимДвух-канальный режим
DDR3-800PC3-64004006-6-6-186.4012.80
DDR3-1066PC3-85005337-7-7-218.5317.07
DDR3-1333PC3-106676678-8-8-2410.6721.33
DDR3-1600PC3-128008009-9-9-2712.8025.60
DDR3-1866PC3-1490093310-10-10-3014.9329.87

Предположительно, модули памяти DDR3 будут предлагаться в вариантах от DDR3-800 до DDR3-1600 включительно, далее не исключено появление и более высокоскоростных модулей категории DDR3-1866. Рейтинг производительности модулей памяти DDR3 имеет значение вида «PC3-X», где X означает пропускную способность модуля в одноканальном режиме, выраженную в МБ/с (если быть точным — млн. байт/с). Поскольку модули памяти DDR3 имеют ту же разрядность, что и модули памяти DDR2 — 64 бита, численные значения рейтингов равночастотных модулей памяти DDR2 и DDR3 совпадают (например, PC2-6400 для DDR2-800 и PC3-6400 для DDR3-800).

Типичные схемы таймингов, предполагаемые в настоящее время для модулей памяти DDR3, выглядят весьма «внушительно» (например, 9-9-9 для DDR3-1600), однако не стоит забывать, что столь большие относительные значения таймингов, будучи переведенными в абсолютные значения (в наносекундах), учитывая все меньшее время цикла (обратно пропорциональное частоте шины памяти), становятся вполне приемлемыми. Так, например, задержка сигнала CAS# (tCL) для модулей памяти DDR3-800 со схемой таймингов 6-6-6 составляет 15 нс, что, конечно, несколько великовато по сравнению с «типичными» DDR2-800 со схемой таймингов 5-5-5, для которых tCL составляет 12.5 нс. В то же время, память типа DDR3-1600 со схемой таймингов 9-9-9 уже характеризуются величиной задержки tCL всего 11.25 нс, что находится на уровне DDR2-533 с достаточно низкими задержками (схемой таймингов 3-3-3). Таким образом, даже при предполагаемом на данный момент «раскладе» схем таймингов модулей памяти DDR3 можно ожидать постепенное снижение реально наблюдаемых задержек при доступе в память, вплоть до значений, типичных для нынешнего поколения модулей памяти DDR2. К тому же, не стоит забывать и о дальнейшем снижении задержек (и снижении таймингов) по мере развития технологии.

Конфигурация тестового стенда

  • Процессор: Intel Core 2 Duo E6600, 2.4 ГГц, 4 МБ shared L2 cache
  • Чипсет: Intel P35
  • Материнская плата: MSI P35 Neo Combo, версия BIOS V1.0B16 от 20.04.2007
  • Память DDR2: Corsair DOMINATOR XMS2-9136C5D в режиме DDR2-1066, тайминги 5-5-5-15
  • Память DDR3: Corsair XMS3-1066C7 (инженерный образец), DDR3-1066, тайминги 7-7-7-21
Тесты проводились с использованием системной платы MSI P35 Neo Combo

DDR3: первые результаты реального тестирования

Перейдем, как говорится, от теории к практике. В распоряжении нашей тестовой лаборатории оказались уникальные предсерийные образцы материнской платы MSI P35 Neo Combo, основанная на новом чипсете Intel P35 и модулей памяти Corsair XMS3-1066 (CM3X1024-1066C7 ES). Материнская плата MSI P35 Neo Combo, как следует из ее названия, представляет собой «комбинированный» вариант, т.е. позволяет устанавливать как модули памяти DDR2, так и DDR3. Заметим, что «комбинирование» модулей памяти в этой материнской плате осуществляется по принципу «либо DDR2, либо DDR3», т.е. одновременное использование модулей памяти DDR2 и DDR3 (как в общем канале, так и для составления разных каналов) невозможно. На настоящее время, вследствие отсутствия официальной спецификации на новые чипсеты Intel, невозможно сказать, является ли это принципиальным ограничением чипсета Intel P35, либо просто особенностью разводки данной платы. Однако весьма вероятно, что имеет место первый вариант — чипсеты Intel, как правило, не отличаются сомнительным экзотическим преимуществом в виде одновременной поддержки разных типов памяти.

Модули памяти CM3X1024-1066C7 ES представляют собой инженерный образец модулей памяти DDR3-1066 со схемой таймингов 7-7-7-21 (в точности совпадающей с предполагаемой схемой для модулей памяти DDR3 данной скоростной категории, приведенной в табл. 1). Для сопоставления скоростных характеристик этих модулей памяти, как представителей нового типа памяти DDR3, со скоростными характеристиками нынешнего поколения модулей памяти DDR2 были выбраны модули памяти Corsair DOMINATOR XMS2-9136C5D примерно равной скоростной категории «DDR2-1142», использованные в режиме DDR2-1066 с номинальной для этих модулей схемой таймингов 5-5-5-15.

Режим функционирования модулей памяти DDR2 и тайминги устанавливались вручную в настройках BIOS материнской платы, питающее напряжение было увеличено до 2.3 В. Заметим, что текущая версия BIOS (V1.0B16 от 20.04.2007) материнской платы MSI P35 Neo Combo не позволяет настроить значения таймингов модулей памяти DDR3 должным образом, по-прежнему предлагая значения основных параметров (tCL, tRCD и tRP) от 3 до 6 включительно, что соответствует таймингам памяти DDR2, но не DDR3. То же касается и питающего напряжения модулей — по-прежнему предлагается выбор от 1.8 В до 2.5 В, тогда как «официальное» питающее напряжение модулей памяти DDR3 составляет всего 1.5 В. В связи с этим, для модулей памяти DDR3 были выбраны «автоматические» настройки «by SPD» при минимальном питающем напряжении 1.8 В, однако сказать что-либо определенное относительно этих настроек (как о реальной поддержки еще не утвержденного стандарта специфических расширений SPD для DDR3, так и о корректной настройке временных параметров контроллера памяти чипсета Intel P35 при использовании DDR3) невозможно. Достаточно сказать лишь главное: используемая нами связка модули памяти DDR3 Corsair XMS3-1066 и материнской платы MSI P35 Neo Combo оказались работоспособной. Так что приступим к рассмотрению результатов наших тестов, выполненных в последней доступной версии тестового пакета RightMark Memory Analyzer 3.72, включающего в себя тест многопоточного доступа к памяти RightMark Multi-Threaded Memory Test 1.0.

Начнем с тестов реальной пропускной способности памяти (ПСП) при «одноядерном» варианте доступа. Как обычно, измерение реальной ПСП проводилось в четырех режимах доступа: «простом» чтении данных (Read), «простой» записи данных (Write), чтении данных с программной предвыборкой при оптимальной дистанции предвыборки, которая для процессора Intel Core 2 Duo в составляет примерно 1024 байта (Read SW PF) и, наконец, записи данных методом прямого сохранения (Write NT). При этом первые два режима доступа позволяют оценить «среднюю» реальную ПСП при операциях чтения и записи, а два последних режима — максимальную реальную ПСП при тех же операциях.

Рис. 8. Реальная пропускная способность памяти DDR2 и DDR3, одноядерный доступ

Из приведенной на рис. 8 диаграммы с результатами тестов памяти DDR2-1066 и DDR3-1066 в однопоточном режиме доступа видно, что DDR3 если и уступает равночастотной DDR2, то весьма незначительно: отставание составляет примерно 5-8% и особенно заметно по максимальной реальной ПСП при операциях чтения. При этом и в том, и в другом случае реально наблюдаемые величины ПСП весьма далеки от максимальной теоретической ПСП DDR2/DDR3-1066, которая в двухканальном режиме составляет примерно 17.1 ГБ/с. Впрочем, последнее обстоятельство хорошо объясняется наличием «узкого места» в системе в виде 266-МГц системной шины (1066 МГц Quad-Pumped bus), пиковая пропускная способность которой — всего 8.53 ГБ/с.

Рис. 9. Реальная пропускная способность памяти DDR2 и DDR3, двухъядерный доступ

Использование двухпоточного варианта доступа к памяти (одновременно с обоих ядер процессора, см. рис. 9) позволяет достичь несколько больших значений ПСП (порядка 8.0 ГБ/с, что ближе к теоретическому пределу ПС системной шины 8.53 ГБ/с), причем в данном случае DDR3-1066 в целом оказывается примерно наравне с DDR2-1066, а в случае максимальной реальной ПСП на чтение даже превосходит последнюю примерно на 2%. Итак, заключаем: что касается реальной пропускной способности, на нынешнем поколении платформ Intel оперативная память нового стандарта DDR3 как минимум не уступает, а в ряде случаев и превосходит равночастотную память стандарта DDR2. А значит, применение «сквозной» архитектуры подачи адресов и команд (fly-by architecture) и компенсирующего ее принципа регулировки уровня чтения/записи (read/write leveling), необходимых для достижения высоких частот функционирования компонентов памяти, оправдывает свое назначение, поскольку как минимум не ухудшает (а возможно, и несколько улучшает) скоростные характеристики подсистемы памяти.

Внимательный читатель вполне может возразить на эти выводы, сделанные на основании тестов памяти исключительно в двухканальном режиме. Действительно, ведь «узким местом» системы в данном случае является не шина памяти (от двух каналов контроллера к каждому из модулей памяти), а системная шина (от процессора к чипсету/контроллеру памяти). Поэтому, быть может, мы просто «не видим» разницу между DDR2 и DDR3 именно по этой причине? Поскольку такое возражение было бы вполне закономерным, мы решили проверить правомерность сделанного нами вывода, исследовав одноканальный режим работы памяти. Конечно, такой режим работы в наши дни представляет лишь чисто теоретический интерес, но именно он позволяет «приравнять» пиковую ПС системной шины и шины памяти, тем самым исключив возможное влияние первой на результаты низкоуровневого тестирования. Соответствующие результаты приведены в таблице 2.

Табл. 2. Реальная пропускная способность памяти DDR2 и DDR3в одноканальном режиме
Режим доступаРеальная пропускная способность, ГБ/сDDR2-1066DDR3-1066
Чтение, 1 ядро6.475.80
Запись, 1 ядро2.422.33
Чтение с программной предвыборкой, 1 ядро6.906.34
Запись методом прямого сохранения, 1 ядро4.884.88
Чтение, 2 ядра6.836.89
Запись, 2 ядра2.172.06
Чтение с программной предвыборкой, 2 ядра6.967.10
Запись методом прямого сохранения, 2 ядра4.834.84

Как и следовало ожидать, величины ПСП, как при «одноядерном», так и при «двухъядерном» доступе к памяти в одноканальном режиме ее работы оказываются заметно меньшими по сравнению с соответствующими значениями ПСП при двухканальном режиме работы оперативной памяти. Более того, «одноядерный» вариант доступа показывает несколько большее, но все же не столь существенное отставание DDR3 от DDR2 (4-11%), однако «двухъядерный» доступ в память вновь практически выравнивает показания DDR2 и DDR3 и также позволяет последней выиграть примерно 1-2% у равночастотной DDR2 при операциях чтении данных. Максимальная реальная ПСП как DDR2-1066, так и DDR3-1066 достигает примерно 82-83% от теоретического максимума памяти рассматриваемой скоростной категории, функционирующей в одноканальном режиме, что, на наш взгляд, является весьма неплохим результатом. А сами по себе результаты тестов DDR2 и DDR3 в одноканальном режиме подтверждают правомерность выводов относительно скоростных характеристик памяти DDR3, сделанных нами выше.

Что ж, нам остается оценить задержки при доступе к равночастотной памяти DDR2 и DDR3 (так называемую «латентность памяти»). Конечно, из общих соображений следует ожидать большую их величину для последней (учитывая, хотя бы, большую схему таймингов 7-7-7 против 5-5-5 для DDR2), однако посмотрим, какой окажется разница по задержкам на самом деле. Заметим, что в данном случае мы получили практически идентичный результат как в двухканальном, так и в одноканальном режиме работы памяти, поэтому приведем лишь результаты для двухканального режима, имеющего практический смысл (см. рис. 10).

Рис. 10. Латентность памяти DDR2 и DDR3

Итак, задержки при доступе в память типа DDR3-1066, естественно, оказываются выше по сравнению с доступом в память типа DDR2-1066. Относительное увеличение задержек составляет примерно 13% при псевдослучайном доступе и примерно 16% — при истинно случайном доступе. Тем не менее, если учесть, что различие между схемами таймингов 7-7-7-21 и 5-5-5-15 составляет целых 40% (правда, как мы писали выше, в случае DDR3 мы пока не можем сказать ничего определенного относительно реально используемой схемы таймингов), реально наблюдаемое увеличение задержек при переходе от DDR2 к DDR3 выглядит более чем приемлемым.

Заключение

Результаты нашего первого низкоуровневого тестирования инженерных образцов модулей памяти DDR3 в сопоставлении с равночастотными модулями памяти DDR2 в идентичных условиях тестирования позволяют нам заключить, что память нового, еще не принятого окончательно стандарта DDR3 уже на сегодняшний день может оправдывать свое существование. Ее скоростные характеристики как минимум не уступают, а в ряде случаев и несколько превосходят характеристики аналогичных модулей памяти текущего стандарта DDR2. Сравнительно небольшим оказалось и относительное возрастание задержек (13-16%) при переходе от DDR2 к DDR3 при прочих равных условиях. А если учесть, что развитие технологий памяти в основном идет по пути одновременного роста тактовых частот и снижения задержек, будущее поколение DDR3 вполне сможет сократить указанный разрыв, а то и вовсе выигрывать по задержкам у DDR2 (уже сегодня практически прекратившей свое дальнейшее развитие).

В то же время, нельзя не заметить, что пока что новую память DDR3 ждет примерно та же участь, что и нынешнее поколение высокоскоростной DDR2 (DDR2-800 и выше). А именно — серьезное затруднение раскрытия гигантского скоростного потенциала самой оперативной памяти, которая давно перестала быть «узким местом» системы. Так, например, на участвующей в нашем сегодняшнем исследовании платформе Intel Core 2 Duo / Intel P35 приличного раскрытия потенциала памяти DDR2-1066 или DDR3-1066 можно ожидать лишь в одноканальном режиме работы последней (как мы показали, при этом реальная пропускная способность памяти достигает примерно 83% от теоретического максимума), который, согласитесь, не представляет интереса с практической точки зрения. Применение же двухканального режима работы памяти приводит к серьезному ограничению ее ПСП со стороны системной шины, вдвое более узкой по своей пропускной способности. Мы неоднократно упоминали о подобных ограничениях в нашем цикле статей по оперативной памяти (см., например, iТоги за 2006 год), и нам остается надеяться, что производители важнейших компонентов платформы — процессоров и чипсетов — осознают необходимость серьезной модернизации последних для достижения высоких стандартов скорости, диктуемых... технологиями оперативной памяти.

Материнская плата MSI P35 Neo Combo предоставлена компанией MSI. Модули памяти Corsair XMS3-1066C7 предоставлены компанией Corsair Memory

www.ixbt.com

Что такое память DDR3

Память стандарта DDR третьего поколения — DDR3 SDRAM.

Производительность этой памяти удвоилась по сравнению с предыдущей: теперь каждая операция чтения или записи означает доступ к восьми группам данных DDR3 DRAM, которые, в свою очередь, с помощью двух различных опорных генераторов мультиплексируются по контактам I/O с частотой, в четыре раза превышающей тактовую частоту.

Теоретически эффективные частоты DDR3 располагаться в диапазоне 800 МГц — 1600 МГц (при тактовых частотах 400 МГц — 800 МГц), таким образом, маркировка DDR3 в зависимости от скорости будет: DDR3-800, DDR3-1066, DDR3-1333, DDR3-1600.

Среди основных преимуществ нового стандарта, прежде всего, стоит отметить существенно меньшее энергопотребление (напряжение питания DDR3 — 1,5 В, DDR2 — 1,8 В, DDR — 2,5 В).

Минусом DDR3 против DDR2 (и, тем более, по сравнению с DDR) можно назвать большую латентность.

Модули памяти DDR3 DIMM для настольных ПК обладают 240-контактной структурой, привычной нам по модулям DDR2; однако физической совместимости между ними нет (благодаря «зеркальной» цоколевке и различному расположению ключей разъема).

Page 2

FAQ HardГлавнаяНовостиВопрос-ОтветСтатьиСправочникWindows

Новая версия драйвера AMD Radeon Software Adrenalin Edition 19.9.2 Optional повышает производительность в игре «Borderlands 3» и добавляет поддержку технологии коррекции изображения Radeon Image Sharpening.

Новое в Radeon Software Adrenalin 2019 Edition 19.9.2:

— Поддержка «Borderlands 3: Повышение FPS до 16% в игре при использовании видеокарты Radeo RX 5700 и драйверов Radeon Software Adrenalin 2019 Edition версии 19.9.2 по сравнению с версией 19.9.1.— Коррекция изображения Radeon Image Sharpening: технология доступна на видеокартах Radeon RX 590, Radeon RX 580, Radeon RX 570, Radeon RX 480 и Radeon RX 470 при использовании DirectX12 и Vulkan.

— Интеллектуальный алгоритм коррекции четкости с адаптивной регулировкой контрастности, обеспечивающий высокую четкость и детализацию изображения практически без снижения производительности.

Исправленные проблемы:

— С включенной V-синхронизацией показатели FPS могут быть заблокированы до 30 на некоторых дисплеях, настроенных на частоту обновления 75 Гц.— При просмотре видео в веб-браузере на некоторых конфигурациях видеокарт серии Radeon RX 5700 может наблюдаться нестабильность системы.— Аудио для клипов, захваченных Radeon ReLive, может быть повреждено или искажено, если включена запись рабочего стола.— В настройках Radeon Settings для некоторых видеокарт серии Radeon RX 5700 могут быть недоступны значения Core Clock.

— Включение расширенной синхронизации может привести к сбоям в играх, приложениях или системе при использовании видеокарт серии Radeon RX 5700.

Radeon Software Adrenalin 2019 Edition 19.9.2 можно загрузить с официального сайта AMD.

14.09.2019

Драйвер AMD Radeon Software Adrenalin Edition 19.9.2 Optional

Новая версия драйвера AMD Radeon Software Adrenalin Edition 19.9.2 Optional повышает производительность в игре «Borderlands 3» и добавляет поддержку технологии коррекции изображения Radeon Image Sharpening.

Читать далее

Накопительное обновление Windows 10 1903 KB4515384 (добавлено)

10 сентября 2019 г. Microsoft выпустила накопительное обновление для Windows 10 версии 1903 — KB4515384 с рядом улучшений безопасности и исправлением ошибки, которая нарушила работу Windows Search и вызвала высокую загрузку ЦП.

Читать далее

Драйвер Game Ready GeForce 436.30 WHQL

Компания NVIDIA выпустила пакет драйверов Game Ready GeForce 436.30 WHQL, который предназначен для оптимизации в играх: «Gears 5», «Borderlands 3» и «Call of Duty: Modern Warfare», «FIFA 20», «The Surge 2» и «Code Vein», исправляет ряд ошибок, замеченных в предыдущих релизах, и расширяет перечень дисплеев категории G-Sync Compatible.

Читать далее

Драйвер AMD Radeon Software Adrenalin 19.9.1 Edition

Первый сентябрьский выпуск графических драйверов AMD Radeon Software Adrenalin 19.9.1 Edition оптимизирован для игры Gears 5.

Читать далее

Накопительное обновление Windows 10 KB4512941

30 августа 2019 г. Microsoft выпустила накопительное обновление KB4512941 для Windows 10 May 2019 Update (версия 1903) на базе процессоров x64 (amd64) и ARM64, и для Windows Server 2019 (1903) на базе процессоров x64.

Читать далее

Все новости

faqhard.ru

Все про оперативную память DDR3

Оперативная память DDR3, относится к ОЗУ третьего поколения. Она пришла на смену памяти DDR2 и имеет полное наименование DDR3 SDRAM.

Модули данной ОЗУ применяется не только в персональных компьютерах, ноутбуков, но и так же в видео памяти.

Причин большой популярности

  1. Первая причина, это понимание того, что все новое созданное считается более лучшим, чем то, что было до этого. И с модулями DDR3 в свое время те, кто их приобрел, не просчитались.
  2. Вторая причина — это ее быстродействие. Скорость передачи данный у данного типа памяти может достигать до 19200 МБ/с, что довольно впечатляет.
  3. Третья причина, это напряжение, при котором память работает, 1,5В, по сравнению со своей предшественницей, которая работала при 1,8 В. А от сюда и меньшее потребление электроэнергии (до 15 %) и меньшее выделение тепла.

Совместимость и отличие от DDR2

Если говорить о совместимости планок ОЗУ DDR3 с DDR2, то, несмотря на то, что у них одинаковое количество контактов (240), данные типы запоминающих устройств не совместимы.

Не совместимость заключается не только по внешним параметрам, но и по электронным.

Электрические параметры, как мы знаем (1,5 В — DDR3, 1,8 В – DDR2 и 2,5 В – DDR), не позволяют использовать модули DDR3 в старых системных платах.

А чтобы планка DDR3 не вышла из строя и не сгорела, ключи ее установки в слоты системной платы находятся в других местах.

На переходном этапе, когда еще не был прекращен выпуск планок DDR2, а следующее поколение ОЗУ только появилась, можно было встретить системные платы, в которых были слоты под два типа памяти, но применять их одновременно не разрешалось, только отдельно.

Комбинация из слотов для обоих типов модулей.

Технические параметры оперативной памяти DDR3 указаны ниже на скриншотах.

Безусловно, что и сейчас данный тип ОЗУ пользуется успехом. И хотя ей на смену уже пришла память DDR4, все же скоростных показателей работы DDR3 еще вполне хватает для современных компьютерных систем.

Поэтому, скорее всего, многие пользователи ПК еще не скоро перейдут на новую модель памяти.

it-topic.ru

DDR3 SDRAM - это... Что такое DDR3 SDRAM?

Модули памяти DDR3 представленные Samsung на Intel Developer Forum 2008

DDR3 SDRAM (англ. double-data-rate three synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа DDR2 SDRAM.

У DDR3 уменьшено на 15% (точный процент)[1][2]) потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) напряжением питания ячеек памяти.[2] Снижение напряжения питания достигается за счёт использования 90-нм (вначале, в дальнейшем 65-, 50-, 40-нм) техпроцесса при производстве микросхем и применения транзисторов с двойным затвором Dual-gate (что способствует снижению токов утечки).

Микросхемы памяти DDR3 производятся исключительно в корпусах типа BGA.

Совместимость

Сравнение планок памяти DDR, DDR2 и DDR3 по внешнему виду.

Модули DIMM с памятью DDR3, имеющие 240 контактов, не совместимы с модулями памяти DDR2 электрически и механически. Ключ расположен в другом месте, поэтому модули DDR3 не могут быть установлены в слоты DDR2, сделано это с целью предотвращения ошибочной установки одних модулей вместо других и их возможного повреждения вследствие несовпадения электрических параметров. В переходный период производители выпускали материнские платы, которые поддерживали установку и модулей DDR2, и DDR3, имея соответствующие разъёмы (слоты) под каждый из двух типов, но одновременная работа модулей разных типов не допускалась.

Стандартное название Частота памяти Время цикла Частота шины Эффективная(удвоенная) скорость Название модуля Пиковая скорость передачи данных при 64-битной адресации в одноканальном режиме
DDR3-800 100 МГц 10,00 нс 400 МГц 800 МТ PC3-6400 6400 МБ/с
DDR3-1066 133 МГц 7,50 нс 533 МГц 1066 МТ PC3-8500 8533 МБ/с
DDR3-1333 166 МГц 6,00 нс 667 МГц 1333 МТ PC3-10600 10667 МБ/с
DDR3-1600 200 МГц 5,00 нс 800 МГц 1600 МТ PC3-12800 12800 МБ/с
DDR3-1866 233 МГц 4,29 нс 933 МГц 1866 МТ PC3-14900 14930 МБ/с
DDR3-2000 250 МГц 4,00 нс 1000 МГц 2000 МТ PC3-16000 16000 МБ/с
DDR3-2133 266 МГц 3,75 нс 1066 МГц 2133 МТ PC3-17000 17066 МБ/с
DDR3-2200 275 МГц 3,64 нс 1100 МГц 2200 МТ PC3-17600 17600 МБ/с
DDR3-2400 300 МГц 3,33 нс 1200 МГц 2400 МТ PC3-19200 19200 МБ/с
  • Предвыборка 8 байт
  • Функция асинхронного сброса с отдельным контактом
  • Поддержка компенсации времени готовности на системном уровне
  • Зеркальное расположение контактов, удобное для сборки модулей
  • Выполнение CAS Write Latency за такт
  • Встроенная терминация данных
  • Встроенная калибровка ввода/вывода (мониторинг времени готовности и корректировка уровней)
  • Автоматическая калибровка шины данных
  • Последовательная топология управляющей шины (управление, команды, адреса) с внутримодульной терминацией
  • Высокоточные резисторы в цепях калибровки
  • Бо́льшая пропускная способность (до 19200 МБ/с)
  • Меньшее энергопотребление
  • Более высокая CAS-латентность (компенсируется большей пропускной способностью)
  • DDR2 SDRAM
  • Двухканальный режим
  • Трёхканальный режим
  • DDR4 SDRAM
Набор Kingston KHX1600C9D3X2K2/8GX 8GB DDR3-1600 CL9 240-pin DIMM установленный на материнской плате ASUS P8H67
  • AMD
  • Corsair
  • SuperTalent (USA)
  • Kingston
  • Patriot
  • Samsung
  • PQI
  • NCP
  • Hynix
  • OCZ

В. Соломенчук, П. Соломенчук Железо ПК. — 2008. — ISBN 978-5-94157-711-8

Ссылки

dic.academic.ru

Выбор оперативной памяти по маркировке и характеристикам

Для правильного выбора оперативной памяти необходимо разбираться в маркировке характеристик и понимать их влияние на быстродействие компьютера. Нельзя опираться только на объём памяти и игнорировать другие важные параметры.

Расшифровка обозначений

Производители оперативной памяти используют часто свои собственные маркировки для обозначения моделей, но характеристики всё же стараются указывать в едином формате. Например, из планки от «Сrusial» можно извлечь следующую информацию.

4GB DDR3L-1600 UDIMM 1.35V CL11

Стандарт планок DIMM, UDIMM и SODIMM

Такими сокращениями обозначают стандарт планок. DIMM это планки для персональных компьютеров, а SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) — для ноутбуков — по размеру короче и выше.

Кроме этого можно встретить следующие обозначения:

  • U-DIMM — без буфера;
  • R-DIMM — с буфером;
  • LR-DIMM — с буфером и пониженным энергопотреблением;
  • FB-DIMM — с полной буферизацией.

U-DIMM — разновидность DIMM памяти, используется в 99% домашних ПК. «U» обозначает что у планки нет защиты от возникновения ошибок при обращения к ячейкам. Это позволяет ей быстрее работать и дешевле стоить. Для повседневных задач отсутствие защиты не критично. В маркировке часто букву «U» не пишут, оставляя только DIMM.

R-DIMM, LR-DIMM и FB-DIMM — планки для серверов и вычислительных систем, в которых нужна максимальная надёжность работы. Стоят дороже и не рекомендуются для покупки в обычные компьютеры.

Тип памяти: DDR4, DDR3 и DDR3L

Типы памяти отличаются по техническим характеристикам. DDR4 работает на более высоких частотах и более энерго эффективна. Подробно об отличиях DDR4 от DDR3 читайте здесь. Отмечу, что DDR4 и DDR3/DDR3L память несовместимы.

Разница между DDR3 и DDR3L заключается лишь в энергоэффективности. «L» это сокращение от «Low». Память с этим маркером потребляет 1.35V, в то время как без него — 1.5V. Оба типа совместимы и могут использоваться одновременно в одном компьютере. Более низкое энергопотребление не позволит сэкономить на электричестве, но обеспечит памяти чуть меньший нагрев.

Частота работы: 1333, 1600, 1866, 2133 МГц

Чем выше частота, тем лучше быстродействие. Но есть нюанс. Процессор имеет максимальный порог частоты на которой он может взаимодействовать с оперативной памятью. Если в процессоре этот порог 1600 МГц, то покупка памяти с частотой 2133 МГц ничего не даст. Работать всё будет на частоте 1600 МГц.

Данную характеристику часто не указывают у процессоров и её следует искать на сайте производителя. Для примера приведу небольшой список максимальной частоты взаимодействия с ОЗУ для некоторых процессоров.

Серия процессораMax частотаCore i3Core i5Core i7AMD FXAMD Ryzen
Core i3 8й серии2400 МГц
Core i3 7й серии2133/2400 МГц
Core i3 6й серии2133 МГц
Core i3 4й серии1600 МГц
Core i5 7й серии2400 МГц
Core i5 6й серии2133 МГц
Core i5 4й серии1600 МГц
Core i7 7й серии2666 МГц
Core i7 6й серии2400 МГц
Core i7 4й серии1600 МГц
AMD FX-4ххх1866 МГц
AMD FX-6ххх1866 МГц
AMD FX-8ххх1866 МГц
AMD Ryzen 3 1й серии2666 МГц
AMD Ryzen 5 1й серии2666 МГц
AMD Ryzen 7 1й серии2933 МГц

Пиковая скорость передачи данных: PC10600, PC12800, PC19200

Максимальная скорость передачи данных зависит от частоты работы памяти и обозначается префиксом «PC». Далее идёт скорость, измеряемая в МБ/с. Чем больше скорость — тем лучше.

ЧастотаСкорость
2400 МГцPC19200
2133 МГцPC17000
1866 МГцPC14900
1600 МГцPC12800
1333 МГцPC10600

Иногда встречается префикс «PC3» или «PC4». Ссылка на тип памяти — DDR3 или DDR4.

В конце может добавляться буква, обозначающая стандарт планки. Например, «PC4-24000U» или «PC4-24000R».

  • U — U-DIMM;
  • S — SO-DIMM;
  • R — R-DIMM;
  • L — LR-DIMM;
  • F — FB-DIMM.

Редко встречается «E» — ECC (error-correcting code) — память c коррекцией ошибок.

Тайминг: 8-8-8-24, CL11

Тайминг это задержка, которая происходит при обращении процессора к памяти. Обычно указывается в виде 4 чисел. Они описывают скорость чтения, записи и выполнения действия. А Четвёртая указывает на полный цикл выполнения этих операций. Иногда указывают только скорость чтения — CL11 (CAS Latency 11).

Чем меньше задержки, тем лучше. Но это не точно. Дело в том, что, архитектура современных процессоров подразумевает наличие большого кеша и процессор не так часто обращается к оперативной памяти. Поэтому в DDR3 и DDR4 этим показателям производители не уделяют должного внимания. Разницу в быстродействии между 8-8-8-24 и 17-17-17-42 практически нельзя заметить.

Размещение чипов памяти: 1Rx8 и 2Rx8

В некоторых моделях памяти в маркировке присутствует обозначение 1Rx8 или 2Rx8. Это указание на схематическое расположение чипов на плате.

  • 1Rx8 — 8 чипов на одной стороне платы;
  • 2Rx8 — 16 чипов по 8 с каждой стороны.

In some memory models, the marking is 1Rx8 or 2Rx8. This is an indication of the schematic layout of the chips on the board.

В одном компьютере может использоваться одновременно память с разной организацией размещения чипов, на быстродействие это не влияет. Производитель просто решает как ему удобней разместить их на плате.

Расшифровка маркировки Corsair

Маркировка оперативной памяти фирмы «Corsair» значительно отличается от обозначений других производителей. Разберем обозначения «Corsair DDR4 CMU32GX4M4A2666C16R».

  • CM — это аббревиатура Corsair Memory;
  • U — серия;
  • 32G — общий объём памяти комплекта;
  • X4 — цифра указывает на тип памяти DDR4 (Х3 — DDR3);
  • M4 — количество планок, которые входя в комплект;
  • A2666 — частота работы оперативной памяти в мегагерцах;
  • C16 — тайминг считывания (16 тактов);
  • R — цвет радиатора, то есть красный (Red).

Развернутый вид: Vengeance 32GB (4 x 8GB) DDR4 DRAM 2666MHz C16 Memory Kit - Red [CMU32GX4M4A2666C16R].

Выбор объёма оперативной памяти

Объём памяти следует выбирать из материальных возможностей и назначения компьютера. В игровых платформах необходимо иметь в наличии 8 гигабайт. Этот объём указан в требованиях ко многим современным играм. Для домашнего или офисного ПК можно ограничиться 4 гигабайтами, хотя из личного опыта могу сказать что иногда этого мало и системе приходится расширять объём за счёт жесткого диска. Это приводит к небольшим задержкам при переключении между запущенными программами, но в целом, для работы не критично.

НазначениеОбъём памяти
Офисный ПК4 — 8 Гб
Мультимедиа ПК4 — 8 Гб
Игровой ПК8 — 16 Гб

Основные характеристики для выбора

Многие характеристики неважны при выборе оперативной памяти. Основной упор следует делать на тип и частоту работы памяти. Не забывайте проверять эти параметры на совместимость с процессором и материнской платой. Небольшим преимуществом будет пониженное энергопотребление или наличие радиатора. Хотя, практика показывает что перегрев происходит редко.

Andy Si

14 окт. 2017 г.

84056

realadmin.ru

Типы и стандарты оперативной памяти

Приветствую, дорогие читатели! Сегодня я расскажу про типы оперативной памяти компьютера. Ее разновидностей существует много – достаточно, чтобы запутаться в параметрах.

Краткий экскурс в историю

Давным‐давно, когда компьютеры были большими, программы маленькими, а вирусов не существовало вообще, применялись модули SIMM нескольких модификаций: на 30, 68 и 72 контакта. Работали они в связке с процессорами от 286 до 486 включительно.

Сейчас найти такой компьютер в работоспособном состоянии крайне сложно: для него не существует современного софта. Программы, которые теоретически можно было бы запустить, на практике оказываются слишком тяжеловесными.

DIMM

Главное отличие от предшественника в том, что расположенные на обеих сторонах планки контакты независимы, в отличие от спаренных контактов на SIMM. Здесь уже задействована технология SDRAM – синхронная динамическая память с произвольным доступом.Массовый выпуск этого типа памяти начался в 1993 году. Предназначались такие модули, в первую очередь, для процессора Intel Pentium или Celeron на 64‐разрядной шине данных.

Модули памяти SO‐DIMM более компактны, так как используются в ноутбуках.

DDR

Если точнее, правильно такой тип памяти называется DDR SDRAM. Появилась на рынке в 2001 году и использовалась в качестве оперативки и видеопамяти. Отличия от предшественника в удвоенной частоте, так как планка способна передавать данные дважды за один такт.

Это первый из типов модулей памяти, который может работать в двухканальном режиме.

Подробнее о том, что такое двухканальный режим, вы можете узнать здесь.

И так да, DDR SDRAM и ее потомки выпускаются в формфакторе DIMM, то есть имеют независимые контакты с обеих сторон.

DDR2

Этот тип памяти смог составить конкуренцию предшественнику уже в 2004 году и занимал лидирующие позиции до 2010 года. Планки выпускались в формфакторах DIMM для десктопных компьютеров и SO‐DIMM для портативных.

По сравнению с предшественником этот тип памяти имеет:

  • Большую пропускную способность;
  • Меньшее энергопотребление;
  • Улучшенное охлаждение благодаря конструкции.

К недостаткам стоит отнести более высокие тайминги оперативной памяти. Что это такое можно узнать здесь.

DDR3

Подобно предшественнику, выпускаются в виде 240‐контактной планки, однако несовместимы из‐за разных разъемов (далее расскажу об этом более подробно).

Тип памяти отличается еще большей частотой и меньшим энергопотреблением, а также увеличением предподкачки с 4 до 8 бит. Существует модификация DDR3L со сниженным до 1,35 В рабочим напряжением. Кстати, о частоте. Есть несколько модификаций: 1066, 1333, 1600, 1866, 2133 или 2400 с соответствующей скоростью передачи данных.Выпускается с 2012 года. Компьютеры, использующий этот тип памяти, работают до сих пор. Объем установленных модулей от 1 до 16 Гб. В формфакторе SO‐DIMM «потолок» – 8 Гб.

DDR4

Четвертое поколение удвоило количество внутренних банков, благодаря чему увеличилась скорость передачи внешней шины. Массовое производство началось с 2014 году. У топовых моделей пропускная способность достигает 3200 миллионов передач за секунду, а выпускаются они в модулях объемом от 4 до 128 Гб.

Имеют они уже 288 контактов. Физические размеры детали те же, поэтому разъемы упакованы плотнее. По сравнению с DDR3 незначительно увеличена высота.Модули SO‐DIMM имеют по 260 контактов, расположенных ближе друг к другу.

А что дальше?

А дальше, полагаю, стандарты DDR5 и далее по нарастающей (но это неточно). Возможно, неожиданно изобретут нечто эдакое, что кардинально изменит архитектуру ЭВМ и сделает оперативную память для ПК лишним элементом.

Интересная тенденция: у каждого следующего поколения памяти увеличиваются тайминги, что инженеры стараются компенсировать увеличением рабочей частоты и скоростью передачи данных. Настолько эффективно, что следующее поколение оказывается шустрее предшественников.

Именно поэтому еще раз акцентирую ваше внимание на том, что при выборе комплектующих старайтесь «плясать» от стандарта DDR4 как самого нового и прогрессивного.

Совместимость типов памяти

Существует заблуждение, что из‐за особенностей интерфейса планку памяти невозможно вставить в неподходящие слоты. Скажу так: достаточно сильный парень (и даже некоторые девчонки) вставит что угодно куда угодно – не только оперативную память, но и процессор Intel в слот для AMD. Правда, есть одно НО: работать такая сборка, увы, не будет.

Остальные юзеры, собирающие компы аккуратно, обычно оперативку вставить в неподходящий слот не могут. Даже если планки имеют одинаковые габариты, это не позволит сделать так называемый ключ. Внутри слота есть небольшой выступ, не дающий смонтировать несоответствующий тип ОЗУ. На подходящей же планке в этом месте есть небольшой вырез, поэтому вставить ее можно без проблем.

Как определить модель

Встроенные в Windows утилиты позволяют узнать только минимальную информацию – объем установленной памяти. Какого она типа, таким способом узнать невозможно. На помощь придет сторонний софт, выдающий полную информацию о системе – например, Everest или AIDA64.

Также тип памяти прописан в BIOS. Где именно указана эта информация и как вызвать BIOS, зависит от его модификации. В большинстве случаев достаточно удерживать кнопку Del при запуске компьютера, однако возможны исключения.

Естественно, маркировка указывается на самой оперативке, а точнее на приклеенном шильдике. Чтобы добраться до планки, придется разобрать корпус и демонтировать ее. В случае с ноутбуком эта простая задача превращается в увлекательнейший квест с просмотром подробных инструкций по разборке.

Вот, собственно, все о типах оперативки, что достаточно знать для самостоятельного подбора комплектующих. И если вы собираете игровой комп, рекомендую ознакомиться с информацией о влиянии оперативной памяти в играх.

Спасибо за внимание и до следующих встреч! Не забывайте подписаться на обновления этого блога и делиться публикациями в социальных сетях.

С уважением автор блога Андрей Андреев.

infotechnica.ru


Смотрите также